专利名称：场效应管测试装置及其方法
技术领域：
本发明涉及一种测试装置及其方法，尤其涉及一种用以对场效应管进行测试的装置及其方法。
背景技术：
传统针对场效应管(即M0SFET)的测试只能测试MOSFET单体，不能在MOSFETon board的状态来量测MOSFET的VGS (TH)和RDS (ON)，而未能考虑到MOSFET实际焊接到主板上对焊接、阻抗等因素造成的影响，又，传统针对MOSFET的测试方式不能实时对在主板上的MOSFET的RDS (即MOSFET的D极与S极之间的阻值)、IDS (即MOSFET的D极与S极之间的电流值)和PMOS (PM0S为MOSFET的功耗)随着VGS的变化而变化的趋势进行侦测。当主板上的MOSFET的VGS (TH)(即导通阈值)和RDS (ON)(即MOSFET的D极与S极之间的阻值)有问题时，通常方法是要将MOSFET用热风枪等工具持续加热并拆下来，再对拆卸下来的MOSFET单体进行测量。但是MOSFET经过高温加热后，会使VGS (TH)和RDS (ON) 这两个参数发生变化。MOSFET在经过加热之后可能会使原本失效的VGS (TH)和RDS (ON)变为正常，致使问题的根本原因被掩盖。传统的测试设备不能在主板上直接模拟数据采集器的波形异常使得MOSFET的 RDS、IDS和PMOS随着VGS的变化而变化的趋势，如果用实际有问题的数据采集器做测试， 数据采集器可能在测试中进一步恶化，而导致不能找到数据采集器失效的真正原因。

发明内容
鉴于上述问题，本发明提供了一种场效应管测试装置及其方法。为了达到上述目的，本发明采用了如下的技术方案一种场效应管测试装置，其中，该装置主要包括数据采集器；待测试场效应管Q，其漏极D与该数据采集器的VQ-D端连接，该漏极D还通过电阻 Rl与报警装置连接，该电阻Rl两端分别还连接至该数据采集器的VRl-I端、VR1-2端，其源极S与该数据采集器的VQ-S端连接，且该源极S接地，其栅极G与该数据采集器的VQ-G端连接，该栅极G分别通过电容C1、CT1接地，该电容C1、CT1未接地的一端与开关SWl的2端连接，该开关SWl的3端经可调电压控制器与交流-直流转换器的4端连接，且该开关SWl 的3端与该交流-直流转换器的6端电性连接，并且该开关SWl的3端及该交流-直流转换器的6端接地，又，该交流-直流转换器的1端及3端与交流电源连接；以及电源，其一端分别接至该待测试场效应管Q的源极S及接地，其另一端分别与该报警装置连接，且该另一端分别经电容C2、C3接地。较佳的，本发明提供了一种场效应管测试装置，其中，该报警装置包括LED灯及喇口Λ，该开关SWI的1端通过控制信号模拟器与该交流-直流转换器的4端电性连接，所述电源为3. 3伏特至5伏特，可调电压控制器输出电压0至M伏特，电容Cl、CT1、C2及C3分别设置为0. 47微法、4. 7微法、0. 47微法及0. 1微法，开关SWl为单刀双掷开关，电阻Rl为 0. 1欧姆。相对于先前技术，本发明提供了一种场效应管测试装置，可对主板上的场效应管Q 的VGS(TH)和RDS(ON)进行量测，测试的结果可以把主板上的场效应管Q的焊接、阻抗等因素一并考虑在内，能对场效应管Q的RDS (ON)、IDS和PMOS随着VGS变化而变化的趋势进行实时记录，使测得的场效应管Q的VGS (TH)和RDS (ON)参数避免受加热的影响，在主板上就可以模拟控制器波形异常使得场效应管Q的RDS、IDS和PMOS随着VGS的变化而变化的趋势，同时也可以避免控制器恶化，测试的结果精度高。


图1为本发明的电路图
具体实施例方式请参照图1所示，为本发明的电路图。所述场效应管测试装置主要包括数据采集器101、待测试场效应管Q、控制信号模拟器102、可调电压控制器103以及交流-直流转换器 104。其中，所述待测试场效应管Q，其漏极D与该数据采集器101的VQ-D端连接，该漏极D还通过电阻Rl与报警装置连接，该报警装置包括串联的LED灯及喇叭，该电阻Rl两端分别连接至该数据采集器101的VRl-I端、VR1-2端，该电阻Rl为0. 1欧姆，所述待测试场效应管Q的源极S与该数据采集器101的VQ-S端连接，且该源极S接地，又，待测试场效应管Q的栅极G与该数据采集器101的VQ-G端连接，该栅极G分别通过电容Cl、CTl接地。此外，该电容Cl、CTl未接地的一端与开关SWl的2端连接，该电容Cl、CTl可设置为0.47微法(即μ F)、4. 7微法，该开关SWl的3端经可调电压控制器103与交流-直流转换器104的4端连接，该可调电压控制器输出电压0至M伏特，且该开关SWl的3端与该交流-直流转换器104的6端电性连接，并且该开关SWl的3端及该交流-直流转换器104的6端接地，又，该开关SWl的1端通过控制信号模拟器102与该交流-直流转换器 104的4端电性连接，该交流-直流转换器104的1端及3端与交流电源(图中未示)连接，于本实施例中，该开关SWl为单刀双掷开关。再者，所述电源105可设置为3. 3伏特至5伏特，该电源105 —端分别接至该待测试场效应管Q的源极S及接地，其另一端分别与该报警装置的喇叭电性连接，且该另一端分别经电容C2、C3接地，所述电容C2及C3可设置为0. 47微法及0. 1微法。开始测试后，将开关SWl接到3处，可调电压控制器103可以让场效应管Q的VGS 值(即场效应管Q的栅极G与源极S之间的电压值)由OV 24V持续的从低到高变化，且数据采集器101的三个通道VQ-G端、VQ-D端及VQ-S端测量的值分别为场效应管Q的VGS， VDS及VRl，以计算获得场效应管Q的VGS (TH)和RDS (on)，以及场效应管Q的RDS、IDS和 PMOS随着VGS变化而变化的趋势。将SWl接到1处，控制信号模拟器102可以模拟在主板上的控制器(图中未示) 输出至场效应管Q的实际的信号波形。由于电源105的电压值在3. 3V 5V之间可调，利用用场效应管测试装置中的控制信号模拟器102仿真出场效应管Q所在主板上的控制器发出的异常信号，进行长时间实验，从而避免了在实际电路中上电就烧场效应管Q而不能抓取有效信号的缺陷。 本发明提供了一种场效应管测试装置，可对主板上的场效应管Q的VGS(TH)和 RDS(ON)进行量测，测试的结果可以把主板上的场效应管Q的焊接、阻抗等因素一并考虑在内，能对场效应管Q的RDS (ON)、IDS和PMOS随着VGS变化而变化的趋势进行实时记录，使测得的场效应管Q的VGS(TH)和RDS(ON)参数避免受加热的影响，在主板上就可以模拟控制器波形异常使得场效应管Q的RDS、IDS和PMOS随着VGS的变化而变化的趋势，同时也可以避免主板上的控制器恶化，测试的结果精度高。
权利要求
1.一种场效应管测试装置，其特征在于，该装置主要包括 数据采集器；待测试场效应管Q，其漏极D与该数据采集器的VQ-D端连接，该漏极D还通过电阻Rl 与报警装置连接，该电阻Rl两端分别连接至该数据采集器的VRl-I端、VR1-2端，其源极S 与该数据采集器的VQ-S端连接，且该源极S接地，其栅极G与该数据采集器的VQ-G端连接，该栅极G分别通过电容Cl、CTl接地，该电容Cl、CTl未接地的一端与开关SWl的2端连接，该开关SWl的3端经可调电压控制器与交流-直流转换器的4端连接，且该开关SWl 的3端与该交流-直流转换器的6端电性连接，并且该开关SWl的3端及该交流-直流转换器的6端接地，又，该交流-直流转换器的1端及3端与交流电源连接；以及电源，其一端分别接至该待测试场效应管Q的源极S及接地，其另一端分别与该报警装置连接，且该另一端分别经电容C2、C3接地。
2.根据权利要求1所述的场效应管测试装置，其特征在于，该报警装置包括LED灯及喇叭。
3.根据权利要求1所述的场效应管测试装置，其特征在于，该开关SWl的1端通过控制信号模拟器与该交流-直流转换器的4端电性连接。
4.根据权利要求1所述的场效应管测试装置，其特征在于，所述电源为3.3伏特至5伏特。
5.根据权利要求1所述的场效应管测试装置，其特征在于，可调电压控制器输出电压0 至对伏特。
6.根据权利要求1所述的场效应管测试装置，其特征在于，电容C1、CT1、C2及C3分别设置为0. 47微法、4. 7微法、0. 47微法及0. 1微法。
7.根据权利要求1所述的场效应管测试装置，其特征在于，开关SWl为单刀双掷开关。
8.根据权利要求1所述的场效应管测试装置，其特征在于，电阻Rl为0.1欧姆。
全文摘要
本发明提供了一种场效应管测试装置，包括数据采集器；待测试场效应管Q，漏极D与该数据采集器的VQ-D端连接，该漏极D通过电阻R1与报警装置连接，该电阻R1两端分别连接至VR1-1端、VR1-2端，源极S与VQ-S端连接，源极S接地，栅极G与VQ-G端连接，该栅极G分别通过电容C1、CT1接地，该电容C1、CT1与开关SW1的2端连接，开关SW1的3端经可调电压控制器与交流-直流转换器的4端连接，开关SW1的3端与该交流-直流转换器的6端电性连接，开关SW1的3端及该交流-直流转换器的6端接地，该交流-直流转换器的1端及3端与交流电源连接；及电源一端分别接至该待测试场效应管Q的源极S及接地，另一端与该报警装置连接，且经电容C2、C3接地。本发明测试的结果精度高。
文档编号G01R31/27GK102478622SQ201010558628
公开日2012年5月30日 申请日期2010年11月25日 优先权日2010年11月25日
发明者杜业美 申请人:佛山市顺德区顺达电脑厂有限公司