专利名称：一种用于上部反应室盘漏真空测试的氦气测漏结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种用于上部反应室盘漏真空测试的氦气测漏结构。
背景技术：
上部反应室盘是半导体制造生产设备中关键核心零件之一，其工作环境处于无尘高度真空条件下，对于漏真空的控制有着极高的要求。如图1所示，上部反应室盘1包括设于左侧的左反应室11和设于右侧的右反应室 12，所述左反应室11和右反应室12的顶面和底面均与外界连通，且所述左反应室腔体11 和右反应室腔体12之间也设有连通管道。由于上部反应室盘工作的环境是处在无尘真空条件下的，对其连接外部的工作面上的密封要求是严格的，绝对不能有一丝漏真空。正因为如此，所以上部反应室盘在清洗完后，需要进行漏真空测试。因此，一种专用于上部反应室盘漏真空测试的氦气测漏结构是本领域技术人员致力于研究的方向之一。
发明内容本实用新型的目的在于克服现有技术的缺陷而提供一种用于上部反应室盘漏真空测试的氦气测漏结构，采用该氦气测漏结构可方便地进行上部反应室盘漏真空的测试。本实用新型的目的是这样实现的本实用新型的一种用于上部反应室盘漏真空测试的氦气测漏结构，所述上部反应室盘包括设于左侧的左反应室和设于右侧的右反应室，且所述左、右反应室的顶面和底面均与外界连通，所述氦气测漏结构包括测漏底盘、左反应室盖和右反应室盖，所述上部反应室盘置于所述测漏底盘上，所述左反应室盖盖于所述左反应室的顶部，右反应室盖盖于所述右反应室的顶部。上述的一种用于上部反应室盘漏真空测试的氦气测漏结构，其中，所述测漏底座包括一平板本体，该平板本体上表面的左侧固定有三个呈等边三角形排列的第一突起，且该三个第一突起均紧贴于所述左反应室的内壁内侧，所述三个第一突起的外周设有一内嵌密封圈的同心圆沟槽；该平板本体上表面右侧固定有三个呈倒等边三角形排列的第二突起，且该三个第二突起均紧贴于所述右反应室的内壁内侧，所述三个第二突起围成的倒等边三角形的中心处设有一通孔，且该通孔底部向下延伸形成接口，所述三个第二突起的外周还设有四个呈正方形排列的第三突起，且该四个第三突起均紧贴于所述右反应室的内壁外侧。上述的一种用于上部反应室盘漏真空测试的氦气测漏结构，其中，所述测漏底座的上表面为镜面处理表面。上述的一种用于上部反应室盘漏真空测试的氦气测漏结构，其中，所述测漏底座由不锈钢制成。[0013]本实用新型具有以下优点1.采用本实用新型氦气测漏结构进行上部反应室盘漏真空测试，操作简单容易， 仅需要将上部反应室盘“放”到测漏底座上，再将盖子盖于上部反应室盘上即可，上部反应室盘与测漏底座间的接合方式清楚且简单，可有效避免作业人员因为步骤繁多所造成的错误机率；2.本实用新型氦气测漏结构中的测漏底座保养维护容易，由于测漏底座采用不锈钢进行制作，坚固且耐用，保养仅需要定期清洁外观，以保持测漏底座干净即可。

图1是上部反应室盘的结构示意图；图2是本实用新型的结构示意图；图3是本实用新型中测漏底座的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合附图对本实用新型作进一步说明。请参阅图1，图中示出了上部反应室盘的结构示意图，上部反应室盘1包括设于左侧的左反应室11和设于右侧的右反应室12，所述左反应室11和右反应室12的顶面和底面均与外界连通，且所述左反应室腔体11和右反应室腔体12之间也设有连通管道。请参阅图2，图中示出了本实用新型用于上部反应室盘漏真空测试的氦气测漏结构的示意图，氦气测漏结构包括测漏底盘2、左反应室盖3和右反应室盖4，上部反应室盘1 置于测漏底盘2上，左反应室盖3盖于左反应室11的顶部，右反应室盖4盖于右反应室12 的顶部。请参阅图2和图3，测漏底座2包括一平板本体，该平板本体上表面的左侧固定有三个呈等边三角形排列的第一突起21，且该三个第一突起21均紧贴于左反应室11的内壁内侧，三个第一突21起的外周设有一内嵌密封圈的同心圆沟槽23 ；该平板本体上表面右侧固定有三个呈倒等边三角形排列的第二突起22，且该三个第二突起22均紧贴于右反应室12的内壁内侧，三个第二突起22围成的倒等边三角形的中心处设有一通孔25，且该通孔25底部向下延伸形成接口(图中为画出)，三个第二突起22 的外周还设有四个呈正方形排列的第三突起24，且该四个第三突起M均紧贴于右反应室 12内壁的外侧。测漏底座2的上表面为镜面处理表面，且测漏底座2是由不锈钢制成的。将上部反应室盘1放置于测漏底盘2上方，再分别将左反应室盖3和右反应室盖4 盖在上部反应室盘1的左、右反应室11、12上方进行密封。真空管道的一端连接在测漏底盘 2底面的接口上，另一端分别连接真空泵和氦气测漏机。启动真空泵，将左、右反应室11、12 内抽至真空。真空值达到中度真空范围133. 322Pa-0. 133Pa，其中真空值能够达到13. 33Pa 以下为理想数值。启动氦气测漏机。在上部反应室盘1外喷入氦气，观察氦气测漏仪反应。 如果发现到漏真空，氦气测漏仪会发出警告声响，并变动真空灵敏值表示漏真空状况。以上实施例仅供说明本实用新型之用，而非对本实用新型的限制，有关技术领域的技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围的情况下，还可以作出各种变换或变型，因此所有等同的技术方案也应该属于本实用新型的范畴，应由各权利要求所限定。
权利要求1.一种用于上部反应室盘漏真空测试的氦气测漏结构，所述上部反应室盘包括设于左侧的左反应室和设于右侧的右反应室，且所述左、右反应室的顶面和底面均与外界连通，其特征在于，所述氦气测漏结构包括测漏底盘、左反应室盖和右反应室盖，所述上部反应室盘置于所述测漏底盘上，所述左反应室盖盖于所述左反应室的顶部，右反应室盖盖于所述右反应室的顶部。
2.如权利要求1所述的一种用于上部反应室盘漏真空测试的氦气测漏结构，其特征在于，所述测漏底座包括一平板本体，该平板本体上表面的左侧固定有三个呈等边三角形排列的第一突起，且该三个第一突起均紧贴于所述左反应室的内壁内侧，所述三个第一突起的外周设有一内嵌密封圈的同心圆沟槽；该平板本体上表面右侧固定有三个呈倒等边三角形排列的第二突起，且该三个第二突起均紧贴于所述右反应室的内壁内侧，所述三个第二突起围成的倒等边三角形的中心处设有一通孔，且该通孔底部向下延伸形成接口，所述三个第二突起的外周还设有四个呈正方形排列的第三突起，且该四个第三突起均紧贴于所述右反应室的内壁外侧。
3.如权利要求1或2所述的一种用于上部反应室盘漏真空测试的氦气测漏结构，其特征在于，所述测漏底座的上表面为镜面处理表面。
4.如权利要求1或2所述的一种用于上部反应室盘漏真空测试的氦气测漏结构，其特征在于，所述测漏底座由不锈钢制成。
专利摘要本实用新型涉及一种用于上部反应室盘漏真空测试的氦气测漏结构，所述上部反应室盘包括设于左侧的左反应室和设于右侧的右反应室，且所述左、右反应室的顶面和底面均与外界连通，所述氦气测漏结构包括测漏底盘、左反应室盖和右反应室盖，所述上部反应室盘置于所述测漏底盘上，所述左反应室盖盖于所述左反应室的顶部，右反应室盖盖于所述右反应室的顶部。采用本实用新型氦气测漏结构进行上部反应室盘漏真空测试，操作简单容易，且上部反应室盘与测漏底座间的接合方式清楚且简单，可有效避免作业人员因为步骤繁多所造成的错误机率。
文档编号G01M3/02GK202305131SQ201120426879
公开日2012年7月4日 申请日期2011年11月1日 优先权日2011年11月1日
发明者吴志君 申请人:上海科秉电子科技有限公司, 科治新技股份有限公司