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深海高压传感器封装结构的制作方法

时间:2025-06-15    作者: 管理员

专利名称:深海高压传感器封装结构的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种深海高压传感器封装结构,属于海洋资源开发勘探装备制造 技术领域。
背景技术
人类在继续不断探测海洋、了解海洋与开发海洋的过程中,需要借助一些测量仪 器或设备如压力传感器来获取压力参量。传统的陆地压力传感器的压力端通常能测量高达 lOOMPa的超高压力,而在没有高压保护措施的情况下,其外部结构及其内部测量芯片很难 承受深海高压环境,因而严重制约了陆地高压传感器在深海的应用。因而,设计一种深海高 压传感器封装结构,将陆地高压传感器进行封装,可用于深海高压环境下的精确测量。
发明内容本实用新型的目的是针对传统陆地高压传感器在深海高压环境下无压力保护机 构时本体结构及测量芯片受损的不足,设计一种深海高压传感器封装结构,该封装结构可 直接裸露在深海极端环境中工作。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是一种新型深海高压传感器封装 结构,包括上端盖、硫化插座、电缆、套筒和底盖,套筒的上下两端分别连接上端盖和底盖, 套筒与上端盖和底盖均采用0型圈密封,通过螺钉将上端盖和底盖固定在套筒的两端,硫 化插座螺纹连接上端盖上部,硫化插座的下部电极与电缆焊接,电缆与传感器电气端连接, 传感器的受力端与底盖的内螺纹通孔连接,底盖下部与被测介质连接。本发明的优点是采用组装结构,易于拆卸、机构简单、可靠性高。
以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

图1是本实用新型的截面示意图。图中1.上端盖,2.硫化插座,3.电缆,4.0型圈1,5.套筒,6.0型圈2,7.底盖。
具体实施方式

以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。一种深海高压传感器封装结构,包括上端盖(1)、硫化插座(2)、电缆(3)、0型圈 1(4)、套筒(5)、0型圈2(6)和底盖(7)。上端盖(1)为阶梯状柱型结构,材料为不锈钢,中心开螺纹通孔,上腹部均布四通 孔,下腹部周向开一凹槽。硫化插座⑵螺纹连接在上端盖⑴上部,硫化插座(2)的上、下部各有四个电 极,分别连接水密插头和电缆(3),电缆(3)连接传感器电气端。底盖(7)为阶梯状柱型结构,材料为不锈钢,中心开螺纹通孔,上腹部周向开一凹槽,腰部周向均布四通孔。底盖(7)的上、下端分别连接传感器的受力端和被测介质。柱状套筒(5)为不锈钢管,上、下两端周向均布开四螺纹孔。0型圈1(4)和0型圈2(6)分别安装在上端盖(1)、底盖(7)的凹槽内,用于上端 盖(1)、底盖(7)与套筒(5)的密封。端盖(1)和底盖(7)由螺钉固定在套筒(5)两端。封装过程传感器的受力端旋进底盖(7)螺纹通孔,安装0型圈2 (6),底盖(7)压 入柱状套筒(5),并用螺钉固定,传感器电气端与电缆(3)连接,硫化插座⑵从上端盖⑴ 上部的螺孔处旋紧,硫化插座(2)下部电极焊接电缆(3),安装0型圈1(4),上端盖(1)压 入柱状套筒(5),用螺钉固定,该封装结构的上、下两端分别连接水密插头和被测介质。
权利要求一种新型深海高压传感器封装结构,包括上端盖(1)、硫化插座(2)、电缆(3)、套筒(5)和底盖(7),其特征在于套筒(5)的上、下两端分别连接上端盖(1)和底盖(7),套筒(5)与上端盖(1)、底盖(7)采用O型圈密封,并通过螺钉将上端盖(1)和底盖(7)固定在套筒(5)两端,硫化插座(2)螺纹连接在上端盖(1)上部,硫化插座(2)下部电极与电缆(3)焊接,电缆(3)连接传感器电气端,传感器受力端与底盖(7)的螺纹通孔连接,底盖(7)下端连接被测介质。
2.如权利要求1所述的一种新型深海高压传感器封装结构,其特征在于上端盖(1) 为阶梯状柱型结构,中心开螺纹通孔,上腹部均布四通孔,下腹部周向开一凹槽。
3.如权利要求1所述的一种新型深海高压传感器封装结构,其特征在于底盖(7)为 阶梯状柱型结构,中心开螺纹通孔,上腹部周向开一凹槽,腰部周向均布四通孔。
专利摘要本实用新型涉及一种深海高压传感器封装结构,可提高陆地高压传感器在深海高压极端环境下的使用安全性能,具有易于拆卸、机构简单、可靠性高等优点。本实用新型包括上端盖、硫化插座、电缆、套筒和底盖,套筒的上下两端分别连接上端盖和底盖,套筒与上端盖、底盖采用O型圈密封,通过螺钉将上端盖、底盖固定在套筒的两端,硫化插座螺纹连接在上端盖上部,硫化插座下部电极与电缆焊接,电缆与传感器电气端连接,传感器的受力端与底盖的螺纹通孔连接,底盖下端连接被测介质。
文档编号G01L19/14GK201583379SQ20092025989
公开日2010年9月15日 申请日期2009年12月29日 优先权日2009年12月29日
发明者吴鸿云, 陈秉正, 高宇清 申请人:长沙矿山研究院

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