专利名称：测有机膜和高分子膜厚度的前处理方法
技术领域：
本发明属于测有机膜和高分子膜厚度的前处理方法。
本发明根据以上的X射线衍射测量有机膜和高分子膜厚度、X射线光电子能谱测量膜的厚度、扫描电镜测量膜的厚度、椭偏仪测量膜厚度时的局限性和准确性而提出的，特别对纳米膜的处理方法。
本发明将旋涂在硅片上的待测样品膜用铜薄把膜遮挡住一部分，以双面胶带将铜薄与样品膜粘合，然后将露出部分用氩离子进行剥离，氩离子枪的束能3-10千伏，聚焦电压3-8千伏，束流3-20微安，剥离后将铜薄去掉；样品膜可以是1层或2层。


附图1是聚丙烯酸甲酯膜剥离后的示意中1)聚丙烯酸甲酯膜2)硅片本发明的处理方法在操作上对样品没有任何要求和限制，处理过程非常简单，对没有剥离的膜不具有破坏性。有机膜和高分子膜经过本发明提供的方法的处理后，避免了目前测量的各种条件限制，具有非常好的直观性。
实施例2将旋涂在硅片上的聚氯乙烯膜用铜薄把膜遮挡住一部份，以双面胶带将铜薄与样品膜粘合，然后将露出部分用氩离子进行剥离，氩离子枪的束能4千伏，聚焦电压3千伏，束流5微安，剥离后将铜薄去掉；用原子力显微镜测膜厚度为43纳米。
实施例3将分别旋涂在硅片上的聚乙二醇和聚丙交酯膜用铜薄把膜遮挡住一部份，以双面胶带将铜薄与样品膜粘合，然后将露出部分用氩离子进行剥离，氩离子枪的束能7千伏，聚焦电压6千伏，束流20微安，剥离后将铜薄去掉；用原子力显微镜测其膜厚度分别为聚乙二醇28纳米，聚丙交酯45纳米。
权利要求
1.一种测有机膜和高分子膜厚度的前处理方法，其特征在于将旋涂在硅片上的待测样品膜用铜薄把膜遮挡住一部分，以双面胶带将铜薄与样品膜粘合，然后将露出部分用氩离子进行剥离，氩离子枪的束能3-10千伏，聚焦电压3-8千伏，束流3-20微安，剥离后将铜薄去掉；
2.如权利要求1所述的测有机膜和高分子膜厚度的前处理方法，其特征在于样品膜可以是1层或2层。
全文摘要
本发明提供一种测有机膜和高分子膜厚度的前处理方法。特别对纳米级的膜更显出优势。有目前测量各种膜厚度的方法有很多。但是，都有各自的局限性，受各种条件的制约。X射线衍射测量有机膜和高分子膜厚度时，样品必须是晶体；X射线光电子能谱测量膜的厚度时，受到样品和仪器条件的限制；扫描电镜测量膜的厚度时，受到样品制备的限制；椭偏仪测量膜厚度时，受到标准模型选择的制约。有机膜和高分子膜经过本发明提供的方法的处理后，避免了目前测量的各种条件限制，具有非常好的直观性。
文档编号G01B15/02GK1470849SQ0314501
公开日2004年1月28日 申请日期2003年6月20日 优先权日2003年6月20日
发明者李兴林 申请人:中国科学院长春应用化学研究所