专利名称：压力传感器及压力传感器的制造方法
技术领域：
本发明涉及压力传感器及压力传感器的制造方法，尤其涉及具有隔膜的压力传感 器及该传感器的制造方法。
背景技术：
利用了半导体的压阻效应的压力传感器，由于具有小型、轻量、高敏感度等优点， 所以被广泛地应用在工业测量、医疗等领域。专利文献1所记载的压力传感器中，在半导体 基板的隔膜部形成了具有压阻效应的应变片、电阻部。而且，在半导体基板上形成有具有接 点的绝缘膜。并且，通过该接点，使形成在绝缘膜上的电极焊盘与电阻部连接。专利文献1 日本特开平06-102119号公报但是，在专利文献1所记载的压力传感器中，不能防止因绝缘不良引起的漏电流。 在图14中，示意性地表示了专利文献1涉及的压力传感器。如图14所示，有时会在电极焊 盘205的下面的绝缘膜204上存在缺陷206等，而发生绝缘不良。该情况下，在该绝缘不良 的部分206中，产生从电极焊盘205向半导体基板201的漏电流，由此，存在着在应变片202 中流动的测定电流产生误差，导致引起检测误差等特性异常的问题。并且，产生不必要的电 流消耗。

发明内容
本发明为了解决上述问题而提出，其目的在于，提供一种能够防止因漏电流而引 起的特性异常的压力传感器及压力传感器的制造方法。本发明的第1方式涉及的压力传感器具备半导体基板、绝缘膜和外部导电部。在 所述半导体基板上形成有内部电阻部。而且，所述绝缘膜形成在所述半导体基板上。并且， 所述外部导电部形成在所述绝缘膜上。而且，在所述绝缘膜中形成有将所述外部导电部与 所述内部电阻部电连接的接点。并且，所述外部导电部形成在与所述半导体基板上形成的 所述内部电阻的范围相当的范围内。根据本发明涉及的第1方式，外部导电部形成在与半导体基板上形成的内部电阻 部的范围相当的范围内。换言之，外部导电部形成在形成有内部电阻部的范围上。由此，当 在位于外部导电部的下方的绝缘膜存在缺陷等绝缘不良部时，在该绝缘不良部的下面形成 有内部电阻部。并且，由于外部导电部与内部电阻部在理想的情况下为同电位，所以，即使 在绝缘膜上存在该绝缘不良部，也几乎不会因该绝缘不良部而产生漏电流。另外，即使假设 因该绝缘不良部而产生了漏电流，也只是从预先通过接点实现电连接的外部导电部向内部 电阻部流动电流。因此，不影响压力传感器的特性。从而，可以防止因漏电流引起的特性异
堂
巾ο本发明的第2方式涉及的压力传感器具有半导体基板、绝缘膜和外部导电部。在 所述半导体基板上形成有多个内部电阻部。而且，所述绝缘膜形成在所述半导体基板上。并 且，在所述绝缘膜上形成有多个所述外部导电部。而且，在所述绝缘膜中，形成有将所述外部导电部与所述内部电阻部电连接的多个接点。并且，所述外部导电部形成在与所述半导 体基板上形成的所述内部电阻部的范围相当的范围内。根据本发明涉及的第2方式，可以得到和第1方式相同的效果。而且，优选所述半导体基板是η型半导体基板，所述内部电阻部由ρ型半导体构 成，对所述半导体基板的未形成所述内部电阻部的部分，以大于等于所述外部导电部的电 位，对所述半导体基板的未形成所述内部电阻部的部分施加电压，且施加电压后，所述半导 体基板的所述内部电阻部、与所述半导体基板的未形成所述内部电阻部的部分的电位差要 小于压力传感器的击穿电压。并且，优选所述半导体基板是ρ型半导体基板，所述内部电阻部由η型半导体构 成，对所述半导体基板的未形成所述内部电阻部的部分，以小于等于所述外部导电部的电 位，对所述半导体基板的未形成所述内部电阻部的部分施加电压，且施加电压后，所述半导 体基板的所述内部电阻部、与所述半导体基板的未形成所述内部电阻部的部分的电位差要 小于压力传感器的击穿电压。由此，可以将从外部导电部向半导体基板的未形成内部电阻部的部分流动的电流 控制为微少量。从而，能够更可靠地防止压力传感器的特性异常。并且，优选设置于所述绝缘膜的所述接点个数与所述外部导电部的个数相同，或 者少于所述外部导电部的个数。在接点个数较多的情况下，在构造上，容易受到压力以外的应力的影响。根据本发 明，由于将接点的个数限制为必要的最小限度，所以可以减少压力以外的应力带来的影响。本发明的第3方式涉及的压力传感器的制造方法，具有内部电阻部形成处理、绝 缘膜形成处理、外部导电部形成处理、接点形成处理。在所述内部电阻部形成处理中，在半 导体基板上形成内部电阻部。而在所述绝缘膜形成处理中，在所述半导体基板上形成绝缘 膜。在所述外部导电部形成处理中，在所述绝缘膜上形成外部导电部。并且，在所述接点形 成处理中，在所述绝缘膜中形成将所述外部导电部与所述内部电阻部电连接的接点。进而， 在所述外部导电部形成处理中，在与所述半导体基板上的形成所述内部电阻部的范围相当 的范围内，形成所述外部导电部。根据本发明涉及的第3方式，外部导电部形成在与半导体基板上的形成内部电阻 部的范围相当的范围内。换言之，外部导电部形成在形成了内部电阻部的范围上。由此，当 在位于外部导电部的下面的绝缘膜上存在缺陷等绝缘不良时，在该绝缘不良部的下面形成 有内部电阻部。而且，由于外部导电部与内部电阻部在理想的情况下为同电位，所以即使在 绝缘膜上存在该绝缘不良部，也几乎不会因该绝缘不良部而产生漏电流。另外，即使假设因 该绝缘不良部而产生了漏电流，也只是从预先通过接点实现电连接的外部导电部向内部电 阻部流动电流。因此，不影响压力传感器的特性。从而，可以防止因漏电流引起的特性异常。而且，优选在所述接点形成处理中，在所述绝缘膜上形成与所述外部导电部的个 数相同个数、或者少于所述外部导电部的个数的所述接点。在接点个数较多的情况下，在构造上，容易受到压力以外的应力的影响。根据本发 明，由于将接点的个数限制为必要的最小限度，所以可以减少压力以外的应力带来的影响。根据本发明，可以防止因漏电流引起的特性异常。


图1是表示本发明的实施方式涉及的压力传感器的构成的俯视图。图2是图1所示的传感器芯片的II-II剖面图。图3是图1所示的传感器芯片的III-III剖面图。图4是图1所示的压力传感器的IV-IV局部剖面图。图5是表示本发明的实施方式涉及的传感器芯片的制造工序的图。图6是表示本发明的实施方式涉及的传感器芯片的制造工序的图。图7是表示本发明的实施方式涉及的传感器芯片的制造工序的工序剖面图。图8是表示本发明的实施方式涉及的传感器芯片的形成工序的工序剖面图。图9是表示本发明的实施方式涉及的压力传感器的形成工序的工序剖面图。图10是表示本发明的实施方式涉及的压力传感器的形成工序的工序剖面图。图11是表示本发明的实施方式涉及的压力传感器的形成工序的工序剖面图。图12是表示本发明的实施方式涉及的压力传感器的形成工序的工序剖面图。图13是对本发明的实施方式涉及的压力传感器中的绝缘膜的绝缘不良给特性造 成的影响进行说明的剖面图。图14是对以往的压力传感器中的绝缘不良给特性造成的影响进行说明的剖面 图。符号说明3-第2半导体层(半导体基板)，6々、68、6(、60-扩散电阻布线(内部 电阻部)，7-绝缘膜，8A、8B、8C、8D-外部导电部，9A、9B、9C、9D_接点，100-压力传感器。
具体实施例方式下面，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。下面，一边参照附图，一边对应用了本发明的具体实施方式
进行详细说明。图1是 表示本实施方式涉及的压力传感器100的构成的俯视图。图2是图1所示的传感器芯片10 的II-II剖面图，图3是图1所示的传感器芯片10的III-III剖面图。本实施方式涉及的 压力传感器100是利用了半导体的压阻效应的半导体压力传感器。压力传感器100具有由半导体基板构成的传感器芯片10。传感器芯片10为正方 形。如图1所示，将正方形的传感器芯片10的各个顶点分别设为A、B、C、D。如图1所示那 样，将右上的角设为角A、将左下的角设为角B、将左上的角设为角C、将右下的角设为角D。 将连接角A与角B的对角线设为对角线AB。将连接角C与角D的对角线设为对角线CD。由 于传感器芯片10是正方形，所以对角线AB与对角线⑶正交。如图2所示，传感器芯片10成为作为基台的第1半导体层1、绝缘层2及第2半导 体层3(半导体基板)的3层构造。例如，可以使用由第1半导体层1、厚度为0.5μπι左右 的绝缘层2、及第2半导体层3构成的SOI (Silicon On Insulator)基板，作为传感器芯片 10。第1半导体层1及第2半导体层3在本实施例中由η型单晶硅层构成。绝缘层2例如 由SiO2层构成。在第1半导体层1上形成有绝缘层2。而且，在绝缘层2上形成有第2半 导体层3。因此，在第1半导体层1与第2半导体3之间，设置有绝缘层2。在对第1半导 体层1进行蚀刻时，绝缘层2作为蚀刻阻止器发挥作用。第2半导体层3构成了差压用隔 膜4(隔膜部)。如图2所示，差压用隔膜4被设置在芯片的中央部分。
在传感器芯片10的中央部分，设置有用于检测差压的差压用隔膜4。如图2所示， 通过除去第1半导体层1，形成了差压用隔膜4。即，通过差压用隔膜4，使得传感器芯片10 变薄。这里，如图1所示，差压用隔膜4形成为正方形。而且，差压用隔膜4的中心与传感 器芯片10的中心一致。即，传感器芯片10的中心点位于对角线AB与对角线⑶的交点上。 并且，差压用隔膜4被配置成相对于正方形的传感器芯片10，倾斜45°。因此，对角线AB 垂直通过差压用隔膜4的对置的2边的中心。并且，对角线⑶垂直通过差压用隔膜4的对 置的另2边的中心。在差压用隔膜4的表面，设置有ρ型差压用测定仪5A 5D。将这4个差压用测定 仪统称为差压用测定仪5。差压用测定仪5被设置在差压用隔膜4的端部。这里，在正方形 的差压用隔膜4的各边的附近，分别设有一个差压用测定仪5。差压用测定仪5被设置在差 压用隔膜4的各边的中央的附近。因此，差压用测定仪5A被配置在差压用隔膜4的中心与 角A之间。差压用测定仪5B被配置在差压用隔膜4的中心与角B之间，差压用测定仪5C 被配置在差压用隔膜4的中心与角C之间，差压用测定仪5D被配置在差压用隔膜4的中心 与角D之间。差压用测定仪5A与差压用测定仪5B隔着传感器芯片10的中心对置。差压 用测定仪5C与差压用测定仪5D隔着传感器芯片10的中心对置。差压用测定仪5是具有压阻效应的应变片。因此，当传感器芯片10发生形变时， 各差压用测定仪5A 5D的电阻发生变化。另外，在传感器芯片的上面，形成有与各个差 压用测定仪5A 5D连接的ρ型扩散电阻布线6A 6D。例如，如图1所示，扩散电阻布线 6A 6D在俯视的情况下形成为近似U字形状。而且，扩散电阻布线6A 6D的端部与各个 差压用测定仪5A 5D的两端连接。并且，由差压用测定仪5A 5D和扩散电阻布线6A 6D的组合形成桥接电路。由于被差压用隔膜4隔开的空间的压力差，使得差压用隔膜4变 形。差压用测定仪5根据差压用隔膜4的变形量，电阻发生变化。通过检测该电阻变化，可 以测定压力。差压用测定仪5如图2及图3所示，形成在传感器芯片10的表面。4个差压用测定仪5A 5D被相互平行地配置。即，4个差压用测定仪5A 5D的 长边方向沿着对角线AB设置。而且，在差压用测定仪5A 5D的长边方向的两端连接有扩 散电阻布线6A 6D。差压用测定仪5被形成为在传感器芯片10的结晶面方位(100)中， 与压阻系数最大的<110>的晶轴方向平行。另外，本发明涉及的压力传感器100的桥接电路图案，并不限定于图1。而且，如图1所示，扩散电阻布线6的宽度比较宽。由此，扩散电阻布线6的电阻 值较低。另一方面，如图1所示，差压用测定仪5的宽度比较窄。由此，差压用测定仪5的 电阻值较高。从而，扩散电阻布线6和差压用测定仪5相互配合，形成了桥接电路。并且，形成桥接电路的差压用测定仪5A 5D及扩散电阻布线6A 6D，除了后述 的接点9A 9D以外，被图4所示的绝缘膜(氧化膜)7覆盖。而且，在由差压用测定仪5和扩散电阻布线6的组合而形成的桥接电路的各扩散 电阻布线6A 6D各自的规定位置，形成有贯通绝缘膜7的一部分而形成的接点9A 9D。 其中，在本实施方式的情况下，形成有2个用于向桥接电路施加电力的接点9、和2个用于取 出来自桥接电路的输出的接点9。因此，接点9的个数为差压用测定仪的个数以下。接着，参照图4，对本实施方式涉及的压力传感器100的构成进行说明。图4是图 1的IV-IV局部剖面图，表示压力传感器100的比第2半导体层靠上层的部分。如图4所
6示，压力传感器100具备差压用测定仪5、扩散电阻布线6(内部电阻部)、绝缘膜7、外部 导电部8等。这里，外部导电部8是电极焊盘、金属布线等。如图4所示，在η型第2半导体层3的上面部分，形成有ρ型差压用测定仪5。而 且，在η型第2半导体层3的上面部分，按照夹着ρ型差压用测定仪5的方式形成有ρ型扩 散电阻布线6。ρ型扩散电阻布线6及差压用测定仪5，形成在η型第2半导体层3的相当 于差压用隔膜4的部分。而且，在η型第2半导体层3上形成有绝缘膜7。并且，在绝缘膜7上形成有外部 导电部8。而且，在绝缘膜7中，形成有将外部导电部8与扩散电阻布线6电连接的接点9。 并且，形成于绝缘膜7的接点9的个数，与形成在绝缘膜7上的外部导电部8的个数相同。 另外，形成在绝缘膜7的接点9的个数，还可以比形成在绝缘膜7上的外部导电部8的个数 少。另外，外部导电部8形成在与η型第2半导体层3上的形成ρ型扩散电阻布线6 的范围相当的范围内。换言之，外部导电部8形成在形成有ρ型扩散电阻布线6的范围上。而且，对η型第2半导体层3的未形成ρ型扩散电阻布线6及差压用测定仪5的 部分，以大于等于外部导电部8的电位，并且，按照第2半导体层3的扩散电阻布线6及差 压用测定仪5、与第2半导体层3的未形成扩散电阻布线6及差压用测定仪5的部分的电位 差小于击穿电压的方式，施加电压。这里，使第2半导体层3的扩散电阻布线6及差压用测定仪5、与第2半导体层3 的未形成扩散电阻布线6及差压用测定仪5的部分之间的电压差小于击穿电压的理由是， 当该电位差超过击穿电压时，有可能不作为压力传感器发挥功能，进而有可能将压力传感 器破坏。具体而言，当由η型第2半导体层3向ρ型扩散电阻布线6及差压用测定仪5的 逆电压变大时，急剧流出逆方向电流。而且，当该逆电压超过规定的击穿电压时，逆电流急 剧增加，有可能不作为压力传感器发挥功能，进而有可能破坏压力传感器。另外，在第2半导体层3为ρ型半导体基板，扩散电阻布线6及差压用测定仪5由 η型半导体构成的情况下，只要对第2半导体层的未形成扩散电阻布线6及差压用测定仪5 的部分，以小于等于外部导电部8的电位，并且，按照第2半导体层3的扩散电阻布线6及 差压用测定仪5、与第2半导体层3的未形成扩散电阻布线6及差压用测定仪5的部分的电 压差小于击穿电压的方式，施加电压即可。接着，利用图5至图8，对传感器芯片10的制造方法进行说明。图5及图6是表示 传感器芯片10的制造方法的图，表示了从上方观察传感器芯片10的构成。图7及图8是 表示传感器芯片10的制造方法的工序剖面图，分别表示了图5的VII-VII剖面的构成、图 6的VIII-VIII剖面的构成。首先，准备由第1半导体层1、厚度位0. 5 μ m左右的绝缘层2、及第2半导体层3 构成的SOI (Silicon On Insulator)晶片。为了制作该SOI晶片，可以使用向Si基板注入 氧来形成SiO2层的511\ (5印3仪^011 byIMplanted OXygen)技术，也可以使用将2枚Si 基板贴合的SDB(Silic0nDirect Bonding)技术，还可以使用其他方法。另外，还可以将第2 半导体层3平坦化及薄膜化。例如，通过被称作CCP(Computer ControlledPolishing)的 研磨方法等，将第2半导体层3研磨至规定的厚度。
在第2半导体层3的上面，通过杂质扩散或离子注入法，形成由ρ型Si构成的差 压用测定仪5A 5B。具体而言，在第2半导体层3的上面使杂质(例如硼)扩散，来形成 差压用测定仪5。并且，同样在第2半导体层3的上面，以夹着差压用测定仪5的方式形成 扩散电阻布线6 (内部电阻部形成处理)。由此，成为图5及图7(a)所示的构成。各差压用 测定仪如图1等所示，形成在成为各个隔膜的部位的规定位置。另外，还可以在下面所述的 隔膜形成工序后，形成差压用测定仪5A 5D及扩散电阻布线6。在如此形成的SOI晶片的下面形成抗蚀剂11。通过公知的光刻工程，在第1半导 体层1上形成抗蚀剂11的图案。即，通过涂敷感光性树脂膜、并使其曝光、显像，来形成抗 蚀剂11的图案。抗蚀剂11在相当于感压区域(形成隔膜的区域)的部分具有开口部。艮口， 在形成隔膜的部分，露出了第1半导体层1。由此，成为图7(b)所示构成。然后，将抗蚀剂11作为掩模，对第1半导体层1进行蚀刻。由此，成为图6及图 8(a)所示的构成。例如，可以使用公知的ICP蚀刻等干蚀刻，对第1半导体层1进行蚀刻。 当然，还可以通过使用了 KOH或TMAH等溶液的湿蚀刻，对第1半导体层1进行蚀刻。在对 第1半导体层1进行蚀刻后，形成了差压用隔膜4。这里，绝缘层2作为蚀刻阻止器发挥作 用。因此，从抗蚀剂11的开口部露出了绝缘层2。然后，当除去抗蚀剂11及隔膜部4的绝缘层2时，成为如图8(b)所示的构成。由 此，完成了传感器芯片10的制作。另外，扩散电阻布线6的形成工序、和应变片的形成工序 的顺序没有特殊限定。接着，使用图9至图12，对压力传感器的形成方法进行说明。图9至图12是表示 压力传感器的形成工序的工序剖面图。首先，如图9所示，使第2半导体层3的整个上面氧化，形成绝缘膜7 (绝缘膜形成 处理)。另外，也可以通过CVD (Chemical Vapor Deposition)法、溅射法等，在第2半导体 层3的上面形成绝缘膜7。接着，如图10所示，使用光刻法进行蚀刻，形成接触孔12。然后，如图11所示，使用蒸镀法或溅射法，按照掩埋接触孔12的方式，在绝缘膜7 上形成金属膜13 (接点形成处理)。由此，在接触孔12部分形成接点9。接着，如图12所示那样进行蚀刻，形成外部导电部8 (外部导电部形成处理)。这 时，按照形成外部导电部8的范围成为与形成扩散电阻布线6的范围相当的范围内的方式， 对金属膜13进行蚀刻。换言之，按照在形成扩散电阻布线6的范围的上面形成外部导电部 8的方式，对金属膜13进行蚀刻。在本发明的实施方式1涉及的压力传感器100中，外部导电部8形成在与第2半 导体层3上的形成扩散电阻布线6的范围相当的范围内。换言之，外部导电部8形成在形 成了扩散电阻布线6的范围上。由此，例如如图13所示，当在位于外部导电部8的下面的 绝缘膜7上存在缺陷等绝缘不良部14时，在该绝缘不良部14的下面形成有扩散电阻布线 6。而且，由于外部导电部8和扩散电阻布线6在理想的情况下为同电位，所以即使在绝缘 膜7上存在该绝缘不良部14，也几乎不因该绝缘不良部14而产生漏电流。另外，即使假设 因该绝缘不良部14而产生了漏电流，也只是从预先通过接点9实现电连接的外部导电部8 向扩散电阻布线6流动电流。因此，不对压力传感器100的特性造成影响。从而，能够预防 由于漏电流而引起的特性异常。
而且，第2半导体层3是η型半导体基板，扩散电阻布线6由ρ型半导体构成，向 第2半导体层3的未形成扩散电阻布线6及差压用测定仪5的部分，以大于等于外部导电 部8的电位，并且，按照第2半导体层3的扩散电阻布线6及差压用测定仪5、与第2半导体 层3的未形成扩散电阻布线6及差压用测定仪5的部分的电位差小于击穿电压的方式，施 加电压。由此，可以将从扩散电阻布线6向第2半导体层3的未形成扩散电阻布线6的部 分流入的电流，控制为微少量。因此，能够更可靠地防止压力传感器100的特性异常。另外，在第2半导体层3是ρ型半导体基板，扩散电阻布线6由η型半导体构成时， 只要向第2半导体层3的未形成扩散电阻布线6及差压用测定仪5的部分，以小于等于外 部导电部8的电位，并且，按照第2半导体层3的扩散电阻布线6及差压用测定仪5、与第2 半导体层3的未形成扩散电阻布线6及差压用测定仪5的部分的电位差小于击穿电压的方 式，施加电压即可。并且，设置于绝缘膜7的接点9的个数与外部导电部8的个数相同，或者少于外部 导电部8的个数。当接点9的个数很多时，在构造上，容易受到压力以外的应力的影响。根据本发 明，由于接点9的个数被限制为最小限度，所以可以减少压力以外的应力造成的影响。另外，本发明涉及的压力传感器100中的各差压用测定仪等的配置图案，并不限 定于本实施方式。而且，可以通过对形成外部导电部8的范围进行控制，使形成外部导电部8的范 围，成为与第2半导体层3上的形成扩散电阻布线6的范围相当的范围内。另外，还可以通 过对形成扩散电阻布线6的范围进行控制，使形成外部导电部8的范围，成为与第2半导体 层3上的形成扩散电阻布线6的范围相当的范围内。此外，可以通过对形成外部导电部8 的范围及形成扩散电阻布线6的范围双方进行控制，使形成外部导电部8的范围成为与第 2半导体层3上的形成扩散电阻布线6的范围相当的范围内。而且，本发明还可以在所具备的应变片具有静压用的压阻效应的压力传感器中应用。
权利要求
一种压力传感器，具备形成有内部电阻部的半导体基板、形成在所述半导体基板上的绝缘膜、和形成在所述绝缘膜上的外部导电部，其特征在于，在所述绝缘膜中，形成有将所述外部导电部与所述内部电阻部电连接的接点，所述外部导电部形成在与所述半导体基板上形成的所述内部电阻部的范围相当的范围内。
2.一种压力传感器，具备形成有多个内部电阻部的半导体基板、形成在所述半导体 基板上的绝缘膜、和形成在所述绝缘膜上的多个外部导电部，其特征在于，在所述绝缘膜中，形成有多个将所述外部导电部与所述内部电阻部电连接的接点， 多个所述外部导电部全部形成在与所述半导体基板上形成的多个所述内部电阻部的 范围相当的范围内。
3.根据权利要求1或2所述的压力传感器，其特征在于， 所述半导体基板是η型半导体基板，所述内部电阻部由P型半导体构成，以大于等于所述外部导电部的电位，对所述半导体基板的未形成所述内部电阻部的部 分施加电压，且施加电压后，所述半导体基板的所述内部电阻部、与所述半导体基板的未形 成所述内部电阻部的部分的电位差要小于压力传感器的击穿电压。
4.根据权利要求1或2所述的压力传感器，其特征在于， 所述半导体基板是P型半导体基板，所述内部电阻部由η型半导体构成，以小于等于所述外部导电部的电位，对所述半导体基板的未形成所述内部电阻部的部 分施加电压，且施加电压后，所述半导体基板的所述内部电阻部、与所述半导体基板的未形 成所述内部电阻部的部分的电位差要小于压力传感器的击穿电压。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的压力传感器，其特征在于，设置于所述绝缘膜的所述接点的个数，与所述外部导电部的个数相同，或者少于所述 外部导电部的个数。
6.一种压力传感器的制造方法，其特征在于，具有 在半导体基板上形成内部电阻部的内部电阻部形成处理； 在所述半导体基板上形成绝缘膜的绝缘膜形成处理；在所述绝缘膜上形成外部导电部的外部导电部形成处理；和在所述绝缘膜中，形成将所述外部导电部与所述内部电阻部电连接接点的接点形成处理；在所述外部导电部形成处理中，所述外部导电部形成范围是与所述半导体基板上形 成的所述内部电阻部范围相当的范围内。
7.根据权利要求6所述的压力传感器的制造方法，其特征在于，在所述接点形成处理中，在所述绝缘膜中形成与所述外部导电部的个数相同，或者少 于所述外部导电部的个数的所述接点。
全文摘要
本发明涉及压力传感器及压力传感器的制造方法，能够防止因漏电流引起的特性异常。该压力传感器(100)具备形成有扩散电阻布线(6)的第2半导体层(3)、形成在第2半导体层(3)上的绝缘层(7)、形成在绝缘层(7)上的外部导电部(8)。在绝缘膜(7)中，形成有将外部导电部(8)与扩散电阻布线(6)电连接的接点(9)，外部导电部(8)形成在与第2半导体层(3)上形成的扩散电阻布线(6)的范围相当的范围内。
文档编号G01L9/04GK101943623SQ20101022078
公开日2011年1月12日 申请日期2010年7月2日 优先权日2009年7月6日
发明者东条博史, 米田雅之 申请人:株式会社山武