专利名称：双极型晶体管结电容的提取方法
技术领域：
本发明涉及半导体器件参数测试及提取方法，特别涉及一种双极型晶体管结电容的提取方法。
背景技术：
双极型晶体管是现代半导体集成电路中所采用的重要器件之一。单体的双极型晶体管版图尺寸一般偏小，特别的，在射频集成电路中其相应的结电容往往在lOe-15法拉数量级，因此采用普通电容计测试所得的数值误差较大。为了减小双极型晶体管结电容的测试误差，人们通常会用并联器件的方法来人为地增加电容数值，但这种方法会增加测试芯片的面积，同时又会人为地引入连线的寄生效应。

发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种双极型晶体管结电容的提取方法，能快速可靠地提取双极型晶体管结电容。为解决上述技术问题，本发明的双极型晶体管结电容的提取方法，包括以下步骤一 .在版图设计中，将双极型晶体管的发射极直接接地，将双极型晶体管的基极接为二端口网络的端口 1，而将双极型晶体管的集电极接为二端口网络的端口 2 ；二 .分别进行第一高频测试、第二高频测试，得到双极型晶体管结电容；第一高频测试，是在双极晶体管的基极加扫描电压，在双极型晶体管的集电极加一个OV的电压，同时，选定测试频率freq，测两个端口之间的Y参数，接着按以下三个公式进行推导，得到双极型晶体管发射结电容Cje和集电结电容Cjc在不同扫描电压下的电容值，以及衬底电容Cjs在零偏压时的电容值；第二高频测试，是在双极晶体管的集电极加扫描电压，在双极型晶体管的基极加一个OV的电压，同时，选定测试频率freq，测两个端口之间的Y参数，接着按以下三个公式进行推导，得到双极型晶体管衬底电容Cjs和集电结电容Cjc在不同扫描电压下的电容值， 以及发射结电容Cje在零偏压时的电容值；所述三个公式如下，其中Imag为一个复数的虚部，Yl 1，Y12，Y21，Y22为二端口网络的四个Y参数，2 31 *freq*Cje = Im ag((Yll+Y12)/2)，2 π*freq*Cjc = -Imag((Y21+Y12)/2)，2 π*freq*Cjs = Imag((Y21+Y22)/2)。本发明的双极型晶体管结电容的提取方法，在版图设计中，将双极型晶体管的发射极直接接地，将双极型晶体管的基极接为二端口网络的端口 1，而将双极型晶体管的集电极接为二端口网络的端口 2，通过特殊设计的两次高频测试，并采用高频参数的计算方法， 得到双极型晶体管结电容，可以极大地提高双极型晶体管结电容的提取效率，降低技术开发的成本。同时，特殊设计的两次高频测试，一次能得到双极型晶体管发射结电容Cje、集电结电容Cjc在不同扫描电压下的电容值、衬底电容Cjs在零偏压时的电容值，另一次能得到双极型晶体管衬底电容Cjs、集电结电容Cjc在不同扫描电压下的电容值、发射结电容 Cje在零偏压时的电容值，由于在以上两次测试中都得到了集电结电容Cjc在不同扫描电压下的电容值，所以可以检查对比两次高频测试特定偏压情况下集电结电容Cjc数值的一致性，从而有效地验证测试结果的可靠性。


下面结合附图及具体实施方式
对本发明作进一步详细说明。图1是双极型晶体管对应的二端口网络示意图；图2是本发明的本发明的双极型晶体管结电容的提取方法的流程图。
具体实施例方式根据高频网络理论，双极型晶体管可视为典型的二端口网络，如图1所示。其中， 端口 1至端口 2，端口 1至地，端口 2至地共三个射频支路的导纳值均可由二端口网络的Y 参数推导而得。将双极型晶体管发射结电容定义为Cje，双极型晶体管集电结电容定义为 Cjc，而双极型晶体管衬底电容定义为Cjs。因此，Cje是端口 1至地支路的导纳虚部，Cjc 是端口 1至端口 2支路的导纳虚部，而Cjs是端口 2至地支路的导纳虚部。则有2 π *freq*Cje = Imag((Yll+Y12)/2)........................ (1)2 π *freq*Cjc = -Imag ((Y21+Y12)/2)........................... (2)2 π *freq*Cjs = Imag ((Y21+Y22) /2)........................ (3)以上3个公式中，打叫为高频测试的频率，1!11叫为一个复数的虚部311312321， Y22为二端口网络的四个Y参数。因此，只要设计一些特殊的高频测试，即可通过测试数据的推导，得到结电容的精确数值。本发明的双极型晶体管结电容的提取方法一实施方式如图2所示，包括以下步骤一 .在版图设计中，将双极型晶体管的发射极直接接地，将双极型晶体管的基极接为二端口网络的端口 1，而将双极型晶体管的集电极接为二端口网络的端口 2 ；二 .分别进行第一高频测试、第二高频测试，得到双极型晶体管结电容；第一高频测试，是在双极晶体管的基极加从-3V到+0. 7V的扫描电压，在双极型晶体管的集电极加一个OV的电压，同时，选定测试频率freq为10GHz，测两个端口之间的Y参数，接着按以上三个公式进行推导，得到双极型晶体管发射结电容Cje和集电结电容Cjc在不同扫描电压下的电容值，以及衬底电容Cjs在零偏压时的电容值；第二高频测试，是在双极晶体管的集电极加从-3V到+0. 7V的扫描电压，在双极型晶体管的基极加一个OV的电压，同时，选定测试频率freq为IOGHz，测两个端口之间的Y参数，接着按以上三个公式进行推导，得到双极型晶体管衬底电容Cjs和集电结电容Cjc在不同扫描电压下的电容值，以及发射结电容Cje在零偏压时的电容值。所述扫描电压也可以选择其它范围，如选用从-5V到+IV，可以在IOOMHz到50GHz
4以内选择测试频率freq，如测试频率可以为100MHz、IGHz、20GHz、50GHz。
本发明的双极型晶体管结电容的提取方法，在版图设计中，将双极型晶体管的发射极直接接地，将双极型晶体管的基极接为二端口网络的端口 1，而将双极型晶体管的集电极接为二端口网络的端口 2，通过特殊设计的两次高频测试，并采用高频参数的计算方法， 得到双极型晶体管结电容，可以极大地提高双极型晶体管结电容的提取效率，降低技术开发的成本。同时，特殊设计的两次高频测试，一次能得到双极型晶体管发射结电容Cje、集电结电容Cjc在不同扫描电压下的电容值、衬底电容Cjs在零偏压时的电容值，另一次能得到双极型晶体管衬底电容Cjs、集电结电容Cjc在不同扫描电压下的电容值、发射结电容 Cje在零偏压时的电容值，由于在以上两次测试中都得到了集电结电容Cjc在不同扫描电压下的电容值，所以可以检查对比两次高频测试特定偏压情况下集电结电容Cjc数值的一致性，从而有效地验证测试结果的可靠性。
权利要求
1.一种双极型晶体管结电容的提取方法，其特征在于，包括以下步骤一.在版图设计中，将双极型晶体管的发射极直接接地，将双极型晶体管的基极接为二端口网络的端口 1，而将双极型晶体管的集电极接为二端口网络的端口 2 ；二.分别进行第一高频测试、第二高频测试，得到双极型晶体管结电容；第一高频测试，是在双极晶体管的基极加扫描电压，在双极型晶体管的集电极加一个 OV的电压，同时，选定测试频率freq，测两个端口之间的Y参数，接着按以下三个公式进行推导，得到双极型晶体管发射结电容Cje和集电结电容Cjc在不同扫描电压下的电容值，以及衬底电容Cjs在零偏压时的电容值；第二高频测试，是在双极晶体管的集电极加扫描电压，在双极型晶体管的基极加一个 OV的电压，同时，选定测试频率freq，测两个端口之间的Y参数，接着按以下三个公式进行推导，得到双极型晶体管衬底电容Cjs和集电结电容Cjc在不同扫描电压下的电容值，以及发射结电容Cje在零偏压时的电容值；所述三个公式如下，其中Imag为一个复数的虚部，Yl 1，Y12，Y21，Y22为二端口网络的四个Y参数，2 π*freq*Cje = Imag((Yll+Y12)/2)，2 π*freq*Cjc = -Imag((Y21+Y12)/2)，2 π*freq*Cjs = Imag((Y21+Y22)/2)。
2.根据权利要求1所述的双极型晶体管结电容的提取方法，其特征在于，所述扫描电压为从-3V到+0. 7V。
3.根据权利要求1所述的双极型晶体管结电容的提取方法，其特征在于，所述扫描电压为从-5V到+IV。
4.根据权利要求1所述的双极型晶体管结电容的提取方法，其特征在于，所述测试频率 freq 在 IOOMHz 到 50GHz 以内。
5.根据权利要求4所述的双极型晶体管结电容的提取方法，其特征在于，所述测试频率 freq 为 100MHz、IGHz、IOGHz、20GHz 或 50GHz。
全文摘要
本发明公开了一种双极型晶体管结电容的提取方法，在版图设计中，将双极型晶体管的发射极直接接地，将双极型晶体管的基极接为二端口网络的端口1，而将双极型晶体管的集电极接为二端口网络的端口2；然后进行第一高频测试、第二高频测试，分别测两个端口之间的Y参数，接着分别按三个公式进行推导得到双极型晶体管发射结电容Cje和集电结电容Cjc在不同扫描电压下的电容值，以及衬底电容Cjs在零偏压时的电容值；双极型晶体管衬底电容Cjs和集电结电容Cjc在不同扫描电压下的电容值，以及发射结电容Cje在零偏压时的电容值。本发明的双极型晶体管结电容的提取方法，能快速可靠地提取双极型晶体管结电容。
文档编号G01R27/26GK102338828SQ20101023362
公开日2012年2月1日 申请日期2010年7月22日 优先权日2010年7月22日
发明者周天舒 申请人:上海华虹Nec电子有限公司