专利名称：包括量子点的发光器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及包括量子点的器件的技术领域。

发明内容
根据本发明的一个方面，提供了一种发光器件，包括阴极、包含包括无机材料的能 够输运和注入电子的材料的层、包含量子点的发射层、包含能够输运空穴的材料的层、空穴 注入材料、以及阳极。在一些实施方式中，发光器件包括阴极和阳极、和设置在阴极和阳极之间的包含 量子点的发射层，并且其中所述器件进一步包括设置在阴极和发射层之间的包含能够输 运和注入电子的材料的层、设置在发射层和阳极之间的包含能够输运空穴的材料的层、以 及设置在阳极和包含能够输运空穴的材料的层之间的包含空穴注入材料的层，其中能够输 运和注入电子的材料包括无机材料，而能够输运空穴的材料包括有机材料。在一些实施方式中，能够输运和注入电子的材料包括无机材料，该无机材料掺杂 有增强无机材料的电子输运特性的物质。在一些实施方式中，能够输运和注入电子的材料包括无机半导体材料。在一些实施方式中，能够输运和注入电子的材料包括金属硫属化物(或氧族化合 物)。在一些实施方式中，无机材料包括金属硫化物。在一些优选的实施方式中，能够输运 和注入电子的材料包括金属氧化物。在--些实施方式中，无机材料包括二氧化钛。在--些更优选的实施方式中，无机材料包括氧化锌。在--些实施方式中，无机材料包括两种或更多种无机材料的混合物。在--些优选的实施方式中，无机材料包括氧化锌和氧化钛的混合物。在--些实施方式中，层以下面的相继顺序(sequential order)形成阴极、包含包括无机材料的能够输运和注入电子的材料的层、包含量子点的发射层、包含包括有机材 料的能够输运空穴的材料的层、包含空穴注入材料的层、以及阳极。
在一些实施方式中，包含能够输运和注入电子的材料的层包括层状结构，该层状 结构包括两个或更多个具有不同导电率的水平区。在一些实施方式中，层状结构包括在该 结构的更靠近阴极的一侧上的第一区，该第一区包括具有电子注入特性的η型掺杂材料; 以及在该结构的更靠近发射层的一侧上的第二区，该第二区包括具有电子输运特性的本征或轻掺杂材料。在一些实施方式中，例如，第一区可包括η型掺杂的氧化锌，而第二区可包 括本征氧化锌或η型掺杂浓度(掺杂剂浓度)低于第一区中的氧化锌的η型掺杂的氧化锌。 在一些实施方式中，例如，层状结构可包括在该结构的更靠近阴极的一侧上的第一区，该第 一区包括具有电子注入特性的η型掺杂的材料；在该结构的更靠近发射层的一侧上的第三 区，该第三区包括具有空穴阻断特性的本征材料；以及在第一区和第三区之间的第二区，该 第二区包括具有电子输运特性的本征或轻掺杂的材料。在一些实施方式中，例如，包含能够 输运和注入电子的材料的层可包括更靠近阴极的第一层，该第一层包括能够注入电子的材 料；和更靠近发射层的第二层，该第二层包括能够输运电子的材料。在一些实施方式中，例 如，包含能够输运和注入电子的材料的层可包括更靠近阴极的第一层，该第一层包括能够 注入电子的材料；更靠近发射层的第二层，该第二层包括能够阻断空穴的材料；以及在第 一层与第二层之间的第三层，该第三层包括能够输运电子的材料。在一些实施方式中，器件可进一步包括在发射层和器件中包括的邻近层(如包 含能够输运空穴的材料的层和/或包含能够输运和注入电子的材料的层)之间的分隔层 (spacer layer)0分隔层可包括无机材料。分隔层可包括有机材料。下面提供了关于分隔层的额外 fn息ο在一些优选的实施方式中，分隔层包括对于量子点发射为非猝灭的材料。在一些实施方式中，空穴注入材料可包括能够输运空穴的ρ型掺杂的材料。在一些实施方式中，在量子点的Eu 与阴极的功函数之间的差的绝对值小于 0. MV。在一些实施方式中，在量子点的Eu 与阴极的功函数之间的差的绝对值小于0. 3eV0 在一些实施方式中，在量子点的Eum与阴极的功函数之间的差的绝对值小于0. 2eV0在一些实施方式中，在量子点的E_与能够输运和注入电子的材料的Ei^as之间 的差的绝对值小于0. 5eV0在一些实施方式中，在量子点的Euisro与能够输运和注入电子的 材料的间的差的绝对值小于0. 3eV0在一些实施方式中，在量子点的Euaro与能够 输运和注入电子的材料的间的差的绝对值小于0. 2eV0在一些实施方式中，在量子点的Eraro与能够输运和注入电子的材料的之间 的差的绝对值大于约leV。在一些实施方式中，在量子点的Eraro与能够输运和注入电子的 材料的E1^as之间的差的绝对值大于约0. 5eV0在一些实施方式中，在量子点的Eraro与能 够输运和注入电子的材料的E1^as之间的差的绝对值大于约0. 3eV0在一些实施方式中，器件可具有不大于1240/λ的初始导通电压，其中λ表示由 发射层发射的光的波长(nm)。在一些实施方式中，在跨器件的偏压(器件两端的偏压)小于发射层中量子点的 带隙电子伏时，发生来自发光材料(光发射材料，light emissive material)的发光。在一些实施方式中，量子点可包括核和壳，该核包含第一材料，该壳设置在核的至 少一部分外表面上，优选设置在核的基本上全部的外表面上，该壳包含第二材料。(包括核 和壳的量子点在下文中也描述为具有核/壳结构)。在一些实施方式中，可在核中包括多于 一个的壳。在一些实施方式中，第一材料包括无机半导体材料。在一些实施方式中，第二材 料包括无机半导体材料。在一些实施方式中，量子点包括无机半导体纳米晶体。在一些实施方式中，无机半导体纳米晶体可包括核/壳结构。在一些优选的实施方式中，量子点包括胶体生长的无机 半导体纳米晶体。在一些实施方式中，至少一部分量子点包括附着于其外表面的配位体。在一些实 施方式中，两个或更多个化学不同的配位体可附着于至少一部分量子点的外表面。在一些 实施方式中，可使用包含具有<5eV功函数的材料的阳极，因而避免利用贵金属如金等的需求。根据本发明另一个方面，提供了 一种用于制备发光器件的方法，该方法包括在阴极上形成包含能够输运和注入电子的材料的层，其中能够输运和注入电子的 材料包括无机材料；在包含能够输运和注入电子的材料的层上施加包含量子点的发射层；在发射层上形成包含包括有机材料的能够输运空穴的材料的层；在包含能够输运空穴的材料的层上形成包含空穴注入材料的层；以及在包含空穴注入材料的层上形成阳极。在一些实施方式中，所述方法进一步包括封装发光器件。根据本发明的另一个方面，提供了一种发光器件，该发光器件包括一对电极；设 置在电极之间的包含含有量子点的发光材料的层；以及设置在发射层与电极中的一个之间 的包含包括无机材料的能够输运电子的材料的层，其中包含包括无机材料的能够输运电子 的材料的层包含包括两个或更多个具有不同导电率的水平区的层状结构。包括在层状结构 的不同区中的无机材料可以是掺杂或未掺杂形式的相同或不同材料。在一些实施方式中，在器件的发射层处，电子和空穴的数量是平衡的。在一些实施方式中，无机材料包括无机半导体材料。在一些优选的实施方式中，无机材料包括金属硫属化物。在一些实施方式中，无机 材料包括金属硫化物。在一些优选的实施方式中，无机材料包括金属氧化物。在一些实施 方式中，无机材料包括二氧化钛。在一些更优选的实施方式中，无机材料包括氧化锌。在一些实施方式中，用氧化剂 对氧化锌进行表面处理以使最接近于发射层的表面本征化。在一些实施方式中，无机材料可包括两种或更多种无机材料的混合物。在一些实施方式中，包括这里描述的层状结构的层可用作能够输运和注入电子的 层。在一些实施方式中，包括这里描述的层状结构的层中的区可具有预定的导电率，以便用 作能够输运电子的层、能够注入电子的层、和/或能够阻断空穴的层。在一些实施方式中， 该区可包含不同层。根据本发明的另一个方面，提供了一种发光器件，其中该器件具有不大于1240/λ 的初始导通电压，其中λ表示由发射层发射的光的波长(nm)。在一些实施方式中，发光器件包括阴极、包含能够输运和注入电子的材料的层、包 含量子点的发射层、包含能够输运空穴的材料的层、空穴注入材料、以及阳极，该器件具有 不大于1240/λ的初始导通电压，其中λ表示由发射层发射的光的波长(nm)。在一些实施方式中，能够输运空穴的材料包括有机材料。在一些实施方式中，能够输运和注入电子的材料包括无机材料。在一些实施方式中，能够输运和注入电子的材料包括无机半导体材料。
在一些实施方式中，能够输运和注入电子的材料包括金属硫属化物。在一些实施 方式中，无机材料包括金属硫化物。在一些优选的实施方式中，能够输运和注入电子的材料 包括金属氧化物。在一些实施方式中，无机材料包括二氧化钛。在一些更优选的实施方式中，无机材料包括氧化锌。在一些实施方式中，无机材料包括两种或更多种无机材料的混合物。在一些优选的实施方式中，无机材料包括氧化锌和氧化钛的混合物。在一些实施方式中，能够输运空穴的材料包括无机材料。在一些实施方式中，能够输运空穴的材料包括有机材料。优选在一些实施方式中，层是以下面的相继顺序形成的阴极、包含包括无机材料 的能够输运和注入电子的材料的层、包含量子点的发射层、包含能够输运空穴的材料的层、 包含空穴注入材料的层、以及阳极。根据本发明的另一个方面，提供了一种发光器件，该发光器件包括一对电极和设 置在电极之间的发光材料的层，其中在跨器件的偏压(偏置电压)小于发射材料的带隙的 电子伏的能量时，发生来自发光材料的发光。在一些实施方式中，发光器件包括包含量子点的发射材料。在一些实施方式中，其 他熟知的发光材料可用于或包括在器件中。在一些实施方式中，还可包括另外的层。在一 些实施方式中，器件包括根据这里描述的本发明实施方式的发光器件。根据本发明的另一个方面，提供了包括上述发光器件的显示器和其他产品。在这里描述的本发明的一些实施方式中，发射层可包括两种或更多种不同类型的 量子点，其中选择每种类型以发射具有预定波长的光。在一些实施方式中，量子点类型可基 于例如量子点的上述成分、结构和/或尺寸的因素而不同。在一些实施方式中，可以选择量 子点以在电磁波谱中的任何预定波长下进行发射。发射层可包括不同类型的量子点，该量 子点具有在不同波长下的发射。在一些实施方式中，发光器件包括能够发射可见光的量子点。在一些实施方式中，发光器件包括能够发射红外光的量子点。如这里所使用的，术语“无机材料”和“有机材料”可进一步根据要解决的期望的 功能，由功能性描述语言(functional descriptor)进行定义。在一些实施方式中，相同的 材料可解决多于一个的功能。在一些实施方式中，可期望具有不同的导电率，这可例如通过改变区和/或层中 材料的载流子迁移率和/或电荷密度来实现。在一些实施方式中，包括层状结构，水平区优选平行于阴极。本发明的其他方面和实施方式涉及用于制造上述发光器件、显示器、以及包括上 述发光器件的其他产品的材料和方法。上述和这里描述的其他方面都构成本发明的实施方式。应当理解，上述一般性描述和下列详细描述都仅是示例性的和解释性的，并且不 是对所要求的本发明的限制。根据这里披露的本发明的说明书和附图的描述、根据权利要 求、以及根据实践，对本领域技术人员来说，其他实施方式将是显而易见的。


在附图中图1是示出根据本发明的发光器件结构的实施方式的实例的示意图。图2提供了根据本发明的发光器件的实施方式的实例的示意性能带结构。图3和图4图示性给出了实施例的红色发光器件的性能数据。图5图示性给出了实施例的绿色发光器件(A)和蓝色发光器件(B)的性能数据。图6图示性比较了实施例中的红色发光器件(在图中表示为“倒置结构”)和实施 例中描述的标准发光器件(比较器件)(在图中表示为“标准结构”)的寿命数据。图7示出了包括空穴注入层的器件和无空穴注入层的器件的I (电流)-V (电压) 曲线。图8示出了不同器件结构的器件发光效率。图9示出了无电子输运和空穴阻断层的器件的发光效率。图10示出了无空穴阻断或电子输运和注入层的倒置器件的亮度。图11示出了根据本发明实施方式的器件的实例的性能数据。图12示出了根据本发明实施方式的红色发光器件的实例的工作电压。图13示出了根据本发明实施方式的橙色发光器件的实例的工作电压。图14示出了根据本发明实施方式的橙色发光器件的实例在一定亮度下的效率。图15示出了根据本发明任何实施方式的器件的实例的性能。附图是仅出于说明的目的提供的简化表示；实际结构可在许多方面不同，包括例 如相对比例等。为了更好地理解本发明及其其他优点和性能，结合上述附图来参照下面的披露内 容和所附的权利要求。
具体实施例方式图1提供了根据本发明一个实施方式的发光器件的结构实例的示意性表示。参照 图1，发光器件10包括(从上到下)阳极1、包含空穴注入材料的层2、包含能够输运空穴 的材料(这里也称为“空穴输运材料”)的层3、包含量子点的层4、包含包括无机材料的能 够输运和注入电子的材料(这里也称为“电子输运材料”)的层5、阴极6、以及衬底(未示 出)。当电压施加在阳极和阴极之间时，阳极注入空穴到空穴注入材料中，同时阴极注入电 子到电子输运材料中。注入的空穴和注入的电子结合以形成量子点上的激子(激发子，电 子空穴对，exciton)，并发射光。衬底(未示出)可以是不透明或透明的。透明衬底可用于例如透明发光器件的 制造中。参见例如，Bulovic, V.等人，Nature 1996，380，29 ；和 Gu，G.等人，Appl. Phys. Lett. 1996，68，沈06-2608，将其各自的全部内容均结合于此以供参考。衬底可以是刚性或 柔性的。衬底可以是塑料、金属、半导体晶片、或玻璃。衬底可以是本领域常规使用的衬底。 优选衬底具有平滑的表面。无缺陷的衬底表面是特别期望的。阴极6可以在衬底(未示出)上形成。在一些实施方式中，阴极可包含ΙΤ0、铝、 银、金等。阴极优选包含具有对于包括在器件中的量子点选择的功函数的材料。在一些实 施方式中，在量子点的Eliib与阴极的功函数之间的差的绝对值小于约0. kV。在一些实施方式中，在量子点的Euhq与阴极的功函数之间的差的绝对值小于约0. :3eV，优选小于约0. 2eV0 量子点的Eliib表示量子点的最低空分子轨道(最低未占分子轨道)(LUMO)的能级。例如， 包含氧化锡铟(ITO)的阴极可优选与发射材料一起使用，该发射材料包括含有Cdk核/ CdZnSe壳的量子点。包括图案化ITO的衬底可从市场上买到，并可用于制作根据本发明的器件。包含能够输运和注入电子的材料的层5优选包括无机材料。在一些实施方式中， 包括在能够输运和注入电子的层中的无机材料包括无机半导体材料。优选的无机半导体材 料包括具有的带隙大于发射材料的发射能量的材料。在一些实施方式中，在量子点的Euaro 与能够输运和注入电子的材料的Ei^as之间的差的绝对值小于约0』eV。在一些实施方 式中，在量子点的Eum与能够输运和注入电子的材料的Ei^as之间的差的绝对值小于约 OJeV，且优选小于约OJeV。量子点的Eu 表示量子点的最低空分子轨道(LUMO)的能级； 能够输运和注入电子的材料WEi^as表示能够输运和注入电子的材料的导带边缘的能级。无机半导体材料的实例包括金属硫属化物(金属氧族化合物)、金属磷属元素化 物或元素半导体，如金属氧化物、金属硫化物、金属硒化物、金属碲化物、金属氮化物、金属 磷化物、金属砷化物、或金属砷化物。例如，无机半导体材料可包括而不限于氧化锌、氧化 钛、氧化铌、氧化锡铟、氧化铜、氧化镍、氧化钒、氧化铬、氧化铟、氧化锡、氧化镓、氧化锰、氧 化铁、氧化钴、氧化铝、氧化铊、氧化硅、氧化锗、氧化铅、氧化锆、氧化钼、氧化铪、氧化钽、氧 化钨、氧化镉、氧化铱、氧化铑、氧化钌、氧化锇、硫化锌、硒化锌、碲化锌、硫化镉、硒化镉、碲 化镉、硫化汞、硒化汞、碲化汞、碳化硅、金刚石(碳)、硅、锗、氮化铝、磷化铝、砷化铝、锑化 铝、氮化镓、磷化镓、砷化镓、锑化镓、氮化铟、磷化铟、砷化铟、锑化铟、氮化铊、磷化铊、砷化 铊、锑化铊、硫化铅、硒化铅、碲化铅、硫化铁、硒化铟、硫化铟、碲化铟、硫化镓、硒化镓、碲化 镓、硒化锡、碲化锡、硫化锡、硫化镁、硒化镁、碲化镁、钛酸钡、锆酸钡，硅酸锆、氧化钇、氮化 硅、和其两种或更多种的混合物。在一些实施方式中，无机半导体材料可包括掺杂剂。在一些优选的实施方式中，电子输运材料可包括η型掺杂剂。包括在根据本发明的器件的电子输运材料中的优选的无机半导体材料的实例是 氧化锌。在一些实施方式中，氧化锌可与一种或多种其他无机材料，如无机半导体材料 (如，氧化钛)进行混合或掺和。如上所述，在一些优选的实施方式中，包含能够输运和注入电子的材料的层可包 括氧化锌。这样的氧化锌可例如通过溶胶-凝胶工艺制备。在一些实施方式中，氧化锌可 以是化学改性的。化学改性的实例包括用过氧化氢处理。在其他优选的实施方式中，包含能够输运和注入电子的材料的层可包含包括氧化 锌和氧化钛的混合物。电子输运材料优选作为层包括在器件中。在一些实施方式中，层具有在约IOnm到 500nm范围内的厚度。包括无机半导体材料的电子输运材料可在低温下例如通过已知的方法，如真空气 相沉积法、离子电镀法、溅射、喷墨印刷、溶胶-凝胶等等进行沉积。例如，溅射通常通过对 低压气体(例如，氩气)施加高电压以产生以高能状态的电子和气体离子的等离子体来执 行的。受激的等离子体离子撞击所期望的涂覆材料的靶，使来自该靶的原子以足够的能量 喷出以移动至衬底并与衬底键合。
在一些实施方式中，包含能够输运和注入电子的材料的层可包括含有无机材料的 层状结构，其中层状结构包括具有不同导电率的两个或更多个水平区。例如，在一些实施方 式中，该层可包括在层的上部的第一区(更靠近发射层)，该第一区包含具有电子输运特性 的本征或轻η型掺杂的无机材料(例如，溅射的本征或轻η型掺杂的氧化锌)；以及在层的 下部的第二区(距离发射层更远)，该第二区包含η型掺杂浓度比第一区中的材料更高的具 有电子注入特性的无机材料(例如，溅射的η型掺杂的SiO)。在一些实施方式的另一个实例中，该层可包括三个水平区，例如在层的上部的第 一区(最靠近发射层)，该第一区包含可以是空穴阻断的本征无机材料(例如，溅射的本征 氧化锌)；包含可以是电子输运的本征或轻η型掺杂的无机材料(例如，溅射的本征或轻η 型掺杂的氧化锌或另一种金属氧化物)的第二区(在第一区与第三区之间)；以及在层的 最下部的第三区(距离发射层最远)，该第三区包含η型掺杂浓度比第二区中的材料更高的 可以是空穴注入的无机材料(例如，溅射的η型掺杂的ZnO或另一种金属氧化物)。在一些实施方式中，包括在层状结构中的无机材料包括无机半导体材料。在一些 优选的实施方式中，无机材料包括金属硫属化物。在一些实施方式中，无机材料包括金属硫 化物。在一些优选的实施方式中，无机材料包括金属氧化物。在一些实施方式中，无机材料 包括二氧化钛。在一些更优选的实施方式中，无机材料包括氧化锌。在一些实施方式中，无 机材料可包括两种或更多种无机材料的混合物。这里描述的包括在包含能够输运和注入电 子的材料的层中的其他无机材料也可包括在层状结构中。在2006 年 2 月 15 日提交的、题为 “Light Emitting DeviceIncluding Semiconductor Nanocrystals”、于 2006 年 8 月洸日公布为 WO 2006/088877 的国际申请 号PCT/US2006/005184中披露了关于可用于包括在电子输运层中的无机材料的另外信息， 将其全部披露内容结合于此以供参考。可以将其上待形成无机半导体材料的器件表面冷却或加热用于在生长工艺过程 中进行温度控制。温度可影响沉积材料的结晶度、以及沉积材料如何与沉积材料沉积其上 的表面相互作用。沉积的材料可以是多晶或非晶的。沉积的材料可具有尺寸在10埃到1 微米范围内的晶畴(晶域，crystalline domain) 0如果掺杂，则掺杂浓度可以使用溅射等 离子体技术通过例如改变气体、或气体混合物而进行控制。掺杂的性质和程度可影响沉积 膜的导电率、以及其光学猝灭邻近的激子的能力。发射材料4包括量子点。在一些实施方式中，量子点包括无机半导体材料。在一 些优选的实施方式中，量子点包括结晶无机半导体材料(也称为半导体纳米晶体)。优选的 无机半导体材料的实例包括但不限于=II-VI族化合物半导体纳米晶体，如CdS、CdSe、aiS、 a^e、ZnTe、HgS、Hgk、HgTe，和其他二元、三元、和四元II-VI族组成；III-V族化合物半导 体纳米晶体，如GaP、GaAs、InP和InAs、PbS、Pbk、PbTe ；和其他二元、三元和四元III-V族 组成。无机半导体材料的其他非限制性实例包括II-V族化合物、III-VI族化合物、IV-VI 族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物、II-IV-V族化合物、IV族元素、包括任 何上述物质的合金、和/或包括任何上述物质的混合物。进一步地，用于量子点发光层的材 料可以是核-壳结构的纳米晶体(例如，CdSe/ZnS.CdS/ZnSe, InP/ZnS等)，其中核由半导体纳 米晶体(例如，CdSe, CdS等)组成，而壳由结晶无机半导体材料(例如，ZnS, ZnSe等)组成。量子点也可具有各种形状(包括但不限于球形、杆形、盘形、其他形状)和各种形12状的颗粒的混合物。发射材料可包含一个或多个不同的量子点。差异可基于例如不同组成、不同尺寸、 不同结构或其他区别特性或性能。发光器件输出的光的颜色可通过选择包括在发光器件中作为发射材料的量子点 的组成、结构、和尺寸而进行控制。发射材料优选作为层包括在器件中。在一些实施方式中，发射层可包括一个或多 个具有相同或不同发射材料的层。在一些实施方式中，发射层可具有在约Inm到约20nm范 围内的厚度。在一些实施方式中，发射层可具有在约Inm到约IOnm范围内的厚度。在一些 实施方式中，发射层可具有在约3nm到约6nm范围内的厚度。在一些实施方式中，发射层可 具有约4nm的厚度。在包括电子输运材料(包括金属氧化物)的器件中，4nm的厚度是优选 的。优选地，量子点包括一个或多个附着于其表面的配位体。在一些实施方式中，配位 体可包括烷基(例如，C1-CJ物质。在一些实施方式中，烷基物质可以是直链、支链或环状 的。在一些实施方式中，烷基物质可以是取代或未取代的。在一些实施方式中，烷基物质可 包括在链状或环状物质中的杂原子。在一些实施方式中，配位体可包括芳香族物质。在一 些实施方式中，芳香族物质可以是取代或未取代的。在一些实施方式中，芳香族物质可包括 杂原子。关于配位体的另外信息提供在本文和下面列出的不同文献中，将其结合于此以供 参考。通过在制备过程中控制量子点的结构、形状和尺寸，在改变松散材料(大块材料， bulky material)性能的同时，可获得在非常宽范围的波长内的能级。量子点(包括但不限 于半导体纳米晶体)可通过已知技术制备。优选它们通过湿法化学技术制备，其中将前体 材料加入到配位(coordinating)或非配位(non-coordinating)溶剂中(通常有机的)，且 使纳米晶体生长以便具有所想要的尺寸。根据湿法化学技术，当使用配位溶剂时，随着量子 点的生长，有机溶剂自然配位到量子点的表面，作为分散剂。因此，有机溶剂允许量子点生 长到纳米等级水平。湿法化学技术具有的优点在于各种尺寸的量子点可通过适当控制使用 的前体浓度、有机溶剂的种类、以及制备温度和时间等而均勻地制备。来自能够发光的量子点(例如，半导体纳米晶体)的发射可以是窄高斯发射带，该 窄高斯发射带可通过改变量子点的尺寸、量子点的组成或这两者而在光谱的全波长范围的 紫外、可见、或红外区调谐。例如，包括Cdk的半导体纳米晶体可在可见区调谐；包括InAs 的半导体纳米晶体可在红外区调谐。能够发光的量子点(例如，半导体纳米晶体)总体的窄 尺寸分布可导致在窄的光谱范围内发光。总体可以是单分散的，优选上述量子点的直径偏 差表现为小于15% rms (均方根)，更优选小于10%，最优选小于5%。对于上述在可见区发 射的量子点，可观察到窄范围内的光谱发射不大于约75nm，不大于约60nm，不大于约40nm， 以及不大于约30nm的半峰全宽(半宽度)(FWHM)。红外发射量子点可具有不大于150nm或 不大于IOOnm的FWHM。在发射能量方面表示，发射可具有不大于0. 05eV、或不大于0. 03eV 的FWHM。发射幅宽随着发光量子点直径的分散度减小而减小。例如，半导体纳米晶体可具有如大于10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80 %、或90 %的高发射量子效率。半导体纳米晶体的窄FWHM可导致饱和色发射。单材料体系在整个可见光谱上的可宽调谐的、饱和的色发射是任何类型的有机发色团无法比拟的(参见例如Dabbousi等人 的J. Wiys. Chem. 101,9463(1997)，将其全部内容结合于此以供参考)。半导体纳米晶体的 单分散总体发射在窄波长范围内的光。包括多于一种尺寸的半导体纳米晶体的模式可发射 在多于一个窄波长范围内的光。观察者看到的发射光的颜色可通过选择适当的半导体纳米 晶体尺寸和材料的组合来控制。半导体纳米晶体的带边缘能级的简并(degeneracy)促进 了所有可能的激子的捕获和辐射复合。透射电子显微镜(TEM)可提供关于半导体纳米晶体总体的尺寸、形状和分布的信 息。粉末X射线衍射(XRD)图案可提供关于半导体纳米晶体的晶体结构的类型和质量的最 完整信息。尺寸估计也是可能的，因为颗粒直径经X射线相干长度与峰值宽度逆向相关。例 如，半导体纳米晶体的直径可直接通过透射电子显微镜测量，或使用例如kherrer等式从 X射线衍射数据进行估计。还可以从UV/Vis吸收光谱进行估计。可通过旋模(旋转铸造，spin-casting)、丝网印刷、喷墨印刷、照相凹版印刷、辊 涂、落模铸造(液滴涂布，drop-casting), Langmuir-Blodgett技术、接触印刷或相关领域 技术人员已知或容易确定的其他技术来沉积发射材料。在一些实施方式中，包含分隔材料的层(未示出)可包括在发射材料和器件的与 其邻近的层之间，例如，电子输运层和/或空穴输运层之间。包含分隔材料的层可促进在发 射层和邻近的电荷输运层之间具有更好的电气界面。分隔材料可包括有机材料或无机材 料。在一些实施方式中，分隔材料包括聚对二甲苯。优选地，分隔材料包括双极性材料。更 优选地，该材料是非猝灭的。在一些实施方式中，例如，在发射层和空穴输运层之间的分隔 材料可包括双极性主体或空穴输运材料，或纳米颗粒，如氧化镍、和其他金属氧化物。空穴输运材料3的实例包括有机材料和无机材料。可包括在空穴输运层中的有机 材料的实例包括有机发色团。有机发色团可包括苯基胺，如例如N，N’ - 二苯基-N，N’ -双 (3-甲基苯基)-(1，1’ -联苯基)-4，4’ - 二胺(TPD)。其他空穴输运层可包括(N，N’ -双 (3-甲基苯基)-N，N’ -双(苯基)-螺环(螺-TPD)、4，4，-N，N，-二咔唑基-联苯(CBP)、 4，4_双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(NPD)等、聚苯胺、聚吡咯、聚(对亚苯基亚乙 烯)(聚(对苯撑乙烯)，poly(phenylene vinylene))、酞菁铜、芳香族叔胺或多核芳香族叔 胺、4，4’ -双(对咔唑基)_1，1’ -联苯化合物、N，N, N’，N’ -四芳基对二氨基联苯、聚(3， 4-亚乙基二氧基噻吩)(PEDOT)/聚苯乙烯对磺酸酯(PSQ衍生物、聚-N-乙烯基咔唑衍生 物、聚对亚苯基亚乙烯衍生物、聚对苯撑衍生物、聚甲基丙烯酸酯衍生物、聚(9，9-辛基芴) 衍生物、聚(螺芴)衍生物、N，N’ - 二(萘-1-基)-N，N’ - 二苯基-对二氨基联苯(NPB)、 三(3-甲基苯基苯氨基)-三苯基胺(m-MTDATA)、以及聚(9，9’ - 二辛基芴-共-N-(4-丁 基苯基)二苯基胺(TFB)和螺-NPB。在一些优选的实施方式中，空穴输运层包括有机小分子材料、聚合物、螺环化合物 (例如，螺-NPB)等。在这里所描述的本发明的一些实施方式中，空穴输运层可包括无机材料。无机材 料的实例包括，例如，能够输运空穴的无机半导体材料。无机材料可以是非晶或多晶的。这 样的无机材料的实例和其他关于制造无机空穴输运材料的有用信息披露在2006年2月15 日提交的、题为"Light Emitting Device Including SemiconductorNanocrystals，，、于 2006年8月沈日公布为WO 2006/088877的国际申请号PCT/US2006/005184中，将其全部披露内容结合于此以供参考。包括例如无机材料诸如无机半导体材料的空穴输运材料可例如通过已知方法，如 真空气相沉积法、离子电镀法、溅射、喷墨印刷、溶胶-凝胶等在低温下进行沉积。有机空穴输运材料可通过已知方法，如真空气相沉积法、溅射法、浸涂法、旋涂法、 浇铸法、棒式涂布(bar-coating)法、辊涂法、以及其他膜沉积方法进行沉积。优选地，有 机层在超高真空(如，< 10_8托)、高真空(例如，从约10_8托到约10_5托)、或低真空条件 (例如，从约10_5托到约10_3托)下沉积。包括有机材料的空穴输运材料和其他关于制造有机电荷输运层的有用信息披露 在 2005 年 10 月 21 日提交的题为"Method AndSystem For Transferring A Patterned Material"的美国专利申请第11/253,612号、和于2005年10月21日提交的题为 "Light EmittingDevice Including Semiconductor Nanocrystals，，的美国专利申请第 11/253，595号中，将其各自的全部披露内容结合于此以供参考。空穴输运材料优选作为层包括在器件中。在一些实施方式中，所述层可具有在约 IOnm到约500nm范围内的厚度。器件10包括空穴注入材料2。空穴注入材料可包括分开的(分离的，s印arate) 空穴注入材料，或可包括已掺杂的，优选P型掺杂的空穴输运层的上部。空穴注入材料 可以是无机或有机的。有机的空穴注入材料的实例包括但不限于LG-101 (参见例如，EP 1843411A1的第W024]段)和可从LG Chem，LTD获得的其他HIL材料。也可使用其他有机 空穴注入材料。P型掺杂剂的实例包括但不限于稳定的受体型(受电子型)有机分子材料， 该受体型有机分子材料与非掺杂层相比可导致掺杂层中的空穴导电率增大。在一些实施方 式中，包括有机分子材料的掺杂剂可具有诸如例如至少300amu的高分子量。掺杂剂的实例 包括但不限于F4-TCNQ、FeCl3等。用作空穴注入材料的掺杂有机材料的实例包括但不限于 蒸发(脱水)的空穴输运材料，其包括例如，掺杂有四氟-四氰基-醌二甲烷(四氟-四氰 基-二甲基对苯醌)(F4-TCNQ)的4，4，，4”-三(二苯基氨基)三苯胺(TDATA) ；ρ掺杂的酞 菁(例如，掺杂有F4-TCNQ的酞菁化锌(ZnPc)(以例如约1 30的摩尔掺杂比)；掺杂有 F4-TCNQ 的 Ν-Ν’-二苯基-Ν-Ν’-双(1_ 萘基)_1，1’-二苯基 _4，4”-二胺(α-NPD)。参见 J. Blochwitz等人的"Interface Electronic Structure Of OrganicSemiconductors With Controlled Doping Levels，，，Organic Electronics2 (2001) 97-104 ；R. . Schmechel, 48, Internationales WissenschaftlichesKolloquium, Technische Universtaat Ilmenau, 22-25, September 2003 ;C. Chan 等人的"Contact Potential Difference Measurements Of DopedOrganic Molecular Thin F ilms", J. Vac. Sci. Technol. A 22(4), Jul/Aug2004o 将上述论文的全部披露内容全文结合于此以供参考。还参见，P型掺杂的无机空穴输运 材料的实例被描述在2005年2月16提交的、题为“Light Emitting Device Including SemiconductorNanocrystals"的美国专利申请第60/653,094号中，将其全部披露内容结 合于此以供参考。P型掺杂的有机空穴输运材料的实例被描述在2006年4月27日提交的、 题为"Device Including SemiconductorNanocrystals And A Layer Including A Doped Organic Material AndMethods”的Beatty等人的美国临时专利申请第60/795，420中，将 其全部披露内容结合于此以供参考。如图1所示，阳极1可包括能易于注入空穴的导电金属或其氧化物。实例包括但不限于ΙΤ0、铝、掺杂铝的氧化锌(AZO)、银、金等。其他合适的阳极材料是已知的，并可容易 地由本领域技术人员确定。可使用任何合适的技术沉积阳极材料。在一些实施方式中，阳 极可图案化。在一些实施方式中，发光器件可通过顺序形成阴极6、包括无机材料的电子输运材 料5、发射材料4、空穴输运材料3、和阳极2而制造。该顺序方法避免了直接在有机材料上 沉积包含量子点的发射材料。在一些实施方式中，可在电子输运材料与发射材料之间包括增粘剂(粘合促进 剂，adhesion promoter)。合适的增粘剂的一个实例是电子输运材料的上表面的臭氧处理。 也可使用其他增粘剂。在一些实施方式中，基于其透光特性选择电极(例如，阳极或阴极)材料和其他材 料，使得可制备从其顶面发射光的器件。顶部发射器件(top emitting device)对于构建 有源矩阵器件(例如，显示器)来说可以是有利的。在一些实施方式中，基于其透光特性选 择电极(例如，阳极或阴极)材料和其他材料，使得可制备从其底面发射光的器件。如上所述，该器件可进一步包括衬底(在图中未示出)。衬底材料的实例包括而不 限于玻璃、塑料、绝缘金属箔。在一些实施方式中，器件可进一步包括钝化或其他保护层，其可用于保护器件不 受环境腐蚀。例如，可包括保护玻璃层以封装器件。可选地，可在器件例如用环氧树脂如UV 可固化环氧树脂密封之前，将干燥剂或其他吸潮材料包括在器件中。可使用其他干燥剂或 吸潮材料。根据本发明的另一个方面，提供了一种用于制备发光器件，诸如例如，如图1所示 的器件的方法。该方法包括在阴极上形成包含能够输运和注入电子的材料的层，其中能够 输运和注入电子的材料包括无机材料；在包含能够输运和注入电子的材料的层上施加包含 量子点的发射层；在发射层上形成包含包括有机材料的能够输运空穴的材料的层；在包含 能够输运空穴的材料的层上形成包括空穴注入材料的层；以及在包括空穴注入材料的层上 形成阳极。可包括在该方法中的材料的实例包括这里描述的材料。这里描述和结合以供参考的其他信息和技术也可用于实施根据本发明的方法。根据本发明的另一个方面，提供了一种发光器件，该发光器件包括一对电极；设置 在电极之间的包含含有量子点的发光材料的层；以及设置在发射层与一个电极之间的包含 包括无机材料的能够输运电子的材料的层，其中包含包括无机材料的能够输运电子的材料 的层包含包括两个或更多个具有不同导电率的水平区的层状结构。包括在层状结构中的不 同区中的无机材料能够是掺杂或未掺杂形式的相同或不同材料。在一些实施方式中，无机材料包括无机半导体材料。例如，如果第一区包含本征无 机半导体材料，则与其邻近的第二区可包含掺杂的无机半导体材料；如果第一区包含η型 掺杂的无机半导体材料，则与其邻近的第二区可包含较轻的η型掺杂的或本征无机半导体 材料。在一些实施方式中，掺杂的无机半导体材料可以是包括在层状结构的另一个区中的 掺杂形式的本征材料。虽然这些实例描述了包括两个区的层状结构，但层状结构可包括多 于两个的区。包括在层状结构的不同区中的无机半导体材料可以是掺杂或未掺杂形式的相 同或不同材料。
在一些实施方式中，包括层状结构的层可用作能够输运和注入电子的层。在一 些实施方式中，包括层状结构的层中的区可具有预定的导电率，以便用作能够输运电子的 层、能够注入电子的层、和/或能够阻断空穴的层。在一些实施方式中，该区可包括不同层 (distinct layer)0在一些实施方式中，无机材料包括金属硫属化物。在一些实施方式中，无机材料包 括金属硫化物。在一些优选的实施方式中，无机材料包括金属氧化物。在一些实施方式中， 无机材料包括二氧化钛。在一些更优选的实施方式中，无机材料包括氧化锌。在一些实施 方式中，无机材料包括两种或更多种无机材料的混合物。可使用的无机半导体材料的其他 实例包括在本说明书其他地方描述的材料。在一些实施方式中，包含如这里描述的层状结构的包括无机半导体材料的层可用 作能够输运电子、注入电子、和/或阻断空穴的层。用于阳极和阴极的材料的实例包括在本说明书其他地方描述的材料。包括在发射层的量子点可包括在本说明书其他地方描述的量子点。在一些实施方式中，可例如通过改变材料的载流子迁移率和/或电荷密度来获得 不同的导电率。在包括含有金属氧化物的无机材料的一些实施方式中，例如，包括金属氧化物的 层的导电性能高度取决于层结构中氧的浓度，因为空位是载流子导电的主要模式。例如，在 一些实施方式中，为了控制溅射沉积层(例如通过磁控管RF溅射沉积制成)中的氧的浓 度，可改变沉积的两种特性。可改变沉积功率，增大和减小并入到层中的氧的量。功率和最 终的导电率高度取决于使用的材料和溅射系统。通过将氧添加到通常由如氩气的惰性气体 占主导的溅射室气氛中，也可使更多氧并入到层中。可使用或定制功率和氧分压从而产生 所需的层状金属氧化物结构。降低沉积过程中的RF功率可增大层的导电率，减小层的寄 生电阻。为了沉积低导电率的层，将氧并入到沉积环境中，从而在形成的层上设置薄绝缘表这里描述和结合以供参考的其他信息和技术也可用于本发明的该方面。根据本发明的另一个方面，提供了一种发光器件，该发光器件包括一对电极和设 置在电极之间的发光材料的层，其中在跨器件的偏压小于发射材料的带隙的电子伏能量 时，发生来自发光材料的发光。在一些实施方式中，发光器件包括含量子点的发射材料。包括在发射层中的量子点的实例可包括在本说明书其他地方描述的量子点。在一些实施方式中，其他熟知的发光材料可用于或包括在器件中。用于电极的材料的实例包括在本说明书其他地方描述的材料。在一些实施方式中，也可包括这里描述的另外的层。这里描述和结合以供参考的其他信息和技术也可用于本发明的该方面。在一些实施方式中，器件包括这里描述的一种发光器件。根据本发明的另一个方面，提供了一种发光器件，其中器件具有不大于IMO/λ 的初始导通电压，其中λ表示由发射层发射的光的波长(nm)。在一些实施方式中，发光器件包括阴极、包含包括无机材料的能够输运和注入电 子的材料的层、包含量子点的发射层、包含能够输运空穴的材料的层、空穴注入材料、以及 阳极，该器件具有不大于1240/λ的初始导通电压，其中λ表示由发射层发射的光的波长(nm) ο用于阳极和阴极的材料的实例包括在本说明书其他地方描述的材料。用于包含能够输运和注入电子的材料的层的材料实例包括在本说明书其他地方 描述的材料。用于包含能够输运空穴的材料的层的材料实例包括在本说明书其他地方描述的 材料。用于包含空穴注入材料的层的材料的实例包括在本说明书其他地方描述的材料。在一些实施方式中，还可包括这里描述的另外的层。这里描述和结合以供参考的其他信息和技术也可用于本发明的该方面。在一些实施方式中，器件包括这里描述的一种发光器件。在一些实施方式中，空穴导电率在空穴注入材料的导电率与空穴输运材料的导电 率之间的另外的空穴输运材料可设置在其间。另外的空穴输运材料可置于包括在器件中的 两种其他空穴导电材料之间。优选地，任何另外置入的空穴输运材料具有的空穴导电率落 入其置于其间的空穴输运材料的空穴导电率之间。图2示意性地提供了本发明的发光器件的实施方式的能带结构。在所示实例中， 使用金属氧化物作为电子输运和注入以及空穴阻断的层。这样的层可用溶液方法或热蒸 发来制造。优选包括SiO的电子输运层。在一些实施方式中，可优选使ZnO掺杂以形成与 阴极的欧姆接触。在所示的实例中，空穴输运层(HTL)可包括有机材料(例如，小有机分子 (例如，TPDJf -TPB、NPBJf -NPB等))。在一些实施方式中，HTL可包括无机材料。空穴 注入层(或P型掺杂的HTL)也可包括在所示实例中以增加从阳极供给的空穴。在所示的 结构中，电子通过金属氧化物进行输运，而空穴通过HTL进行输运，激子在量子点(QD)层中 产生。选择量子点的组成和尺寸以实现具有预定的颜色或波长的发光。根据本发明的发光器件可用来制成包括发射红光的量子点、发射绿光的量子点、 和/或发射蓝光的量子点的发光器件。也可单独地或与一种或多个其他不同量子点结合而 包括发射其他颜色光的量子点。在一些实施方式中，可以期望一个或多个不同量子点的分 开的层。在一些实施方式中，层可包括两种或更多种不同量子点的混合物。将通过本发明的下面旨在示例性的非限制性实施例进一步阐明本发明。实施例在下面的实施例中，包括在发射层中的量子点可包括发射红光的核/壳半导体纳 米晶体(这里也缩写为“30 ”、“1 -50 ”)、发射绿光的核/壳半导体纳米晶体(这里也缩写 为“GQD”)、发射蓝光的核/壳半导体纳米晶体(这里也缩写为“BQD”)、或发射黄光的核/ 壳半导体纳米晶体(这里也缩写为“YQD”)，其通常是根据下面的各个过程进行制备。在量 子点由“10X”修饰语(modifier)描述的任何情况中，制备通常是在下面描述的各个制备过 程的大约10倍规模上执行的。I.量子点制备发射红光的量子点制备A. CdSe半导体纳米晶体核的合成将230mg 的无水醋酸镉(Cd(OAc)2) (Immol) (Prochem)和 ^iL 的三正辛基膦(TOP)(Strem 97%)加入到20mL隔膜封盖的小瓶中。将小瓶悬浮在140°C的油浴(硅油)中。 对小瓶的内容物除气约半小时。在对醋酸镉溶液除气并使醋酸镉溶解之后，将真空关闭且 将小瓶接通至氮气。从油浴中移出小瓶，并使小瓶同时在氮气下冷却到室温。将6. 00克的氧化三正辛基膦(TOPO) (99% Strem)和0. 668克的十八烷基磷酸(磷 酸十八酯)(ODPA) (Polycarbon)加入到50mL三口圆底烧瓶中。搅拌成分并加热到约120°C 的温度。一旦烧瓶达到120°C，对溶液除气2小时同时保持在120°C。当圆底烧瓶中的溶液 已经完成除气之后，关闭真空阀，且将烧瓶接通至氮气并进行搅拌。将4mL的醋酸镉溶液进行混合并在氮气下从填充的注射器经隔膜盖注入到圆底 烧瓶中。将温度提高到约270°C。当圆底烧瓶中溶液的温度稳定在270°C时，将2mL的三正 丁基膦(TBP) (Strem99% )从5mL的注射器注入到圆底烧瓶中。当圆底烧瓶的内容物已再 次稳定在270°C时，将1. ImL的硒化三正丁基膦(TBPSe) (1. 5M)注入到圆底烧瓶中。将温度 控制器调整到250°C。在短暂的延迟(5秒)后，溶液变黄，然后变红。周期性采样，直到获得 560nm的吸光度，此时，移去加热套，使溶液冷却同时进 行搅拌。当温度为100°c时，将溶液分成两半，倒入2个离心管中，且将2X体积的3 1的甲 醇/异丙醇加入到各个管中，从而使半导体纳米晶体核沉淀。倒出上清液，将半导体纳米晶 体核与己烷(每管中最小体积2. 5mL)混合。然后将两个离心管的内容物合并，以4000rpm 离心5分钟，并且使用0. 2微米的过滤器用己烷过滤。B.外涂覆(overcoat) CcKe核以制备CcKe/CdZnS半导体纳米晶体利用用于外涂覆 的前体在手套箱中准备两个5mL注射器。第一个注射器4mL的三正辛基膦(TOP) (97 % Strem)、48. 24mg 二甲基镉和 41.81mg的二乙基锌。第二个注射器4mL的三正辛基膦(TOP) (97% Strem)和Ml. 68mg的双(TMS)硫 化物。每个注射器的外涂覆前体混合物通过将三正辛基膦放入SmL玻璃小瓶中而制备。 然后使用微量吸移管将前体(二甲基镉、二乙基锌、或双(TMQ硫化物)滴加到三正辛基膦 中，直到将合适重量的材料加入到每个小瓶中。使用封盖的小瓶使溶液逐渐地混合，然后吸 入到5mL注射器中。然后将微毛细管加载到每个注射器上，并且使少量的溶液推动通过以净化氮气管 路。(这可以可选地在手套箱内执行)。将十(10)克的氧化三正辛基氧膦(TOPO) (99% Strem)和0. 8克的十八烷基磷酸 (ODPA) (Polycarbon Industries)加入到50mL的包括足球形磁力搅拌棒的4 口圆底烧瓶 中。烧瓶还在四个口中的两个口上装配有橡胶隔膜，在中间口上装有蒸馏柱，在最后一个口 中装有温度探针。将烧瓶的内容物同时在氮气中加热到130°C。当温度达到130°C时，关闭 氮气管路，并且缓慢打开烧瓶直到真空。对烧瓶的内容物在130°C下在真空下除气约2小 时。当圆底烧瓶中的溶液已经完成除气之后，关闭真空并且烧瓶接通氮气。将烧瓶的温度 设定至70°C。当烧瓶已下降到70°C时，使用5mL注射器将在己烷中的如上所述制备的Cdk 核(约0. 09-0. lmmol)加入到圆底烧瓶中。缓慢接通真空，并且从烧瓶中除去所有己烷， 留下Cdk核(这会花费长达1小时)。当已经除去所有己烷时，关闭真空，并将烧瓶接通 氮气。加入0. 48mL的癸胺[1 1胺膦](用ImL注射器)，并且在氮气中使温度增加到19155°C。将注射器加载到注射泵上以将两个管路引入烧瓶(一个管路经过各个隔膜，使得微 毛细管紧靠烧瓶壁，并浸入搅拌溶液中约0. 5cm)，并将烧瓶的温度加热到155°C ；—旦温度 在110°C以上时，开始注射。当烧瓶处于155°C时，将注射泵接通，且以2mL/小时的速率将 两种溶液抽入烧瓶中，同时快速搅拌(这将花费约2小时)。当已将来自两个注射器的所有 外涂覆溶液加入到烧瓶中时，从烧瓶中移出注射泵管路。可选地，可以使温度下降到100°C， 并且可加入IOmL的甲苯，并使其在氮气下放置过夜。C.净化核CcKe/CdZnS的核-壳半导体纳米晶体将全部生长溶液分成两个等分试样，每个都放入50mL的离心管中。将过量的 30mL的3 1的MeOH/异丙醇混合物加入到每个离心管中并搅拌。将离心管在4000rpm下 离心5分钟。将每个管中的颗粒分散在约IOmL的己烷中，同时使用旋流器(vortexer)搅 拌。然后将离心管在4000rpm下离心5分钟。上清液包括己烷和外涂覆的核。将来自每个 管的上清液放入另外两个离心管中。(固体是已经形成的盐，并且是废物)。使用0.2μπι 的注射过滤器过滤己烷/外涂覆的核上清液。将过量的3 1的甲醇/异丙醇加入到每个 管中从而使外涂覆的核沉淀。将管在4000rpm下离心5分钟。倒出上清液。纯化的外涂覆 的核此刻在管的底部，而上清液是废物。发射绿光的量子点制备A. CdZnSe半导体纳米晶体核的合成通过下述来制备半导体纳米晶体在310°C下将分散在5mL三正辛基膦 (TOP) (97% Strem)中的 86mg(0. 7mmol)的二乙基锌(Strem)和 ImL硒化三正辛基膦(TOP) (97% Strem) (IM)快速注入到包含7克经过除气的油胺(从98% Sigma-Aldrich蒸馏，并 在120°C下在氮气下除气同时搅拌)的圆底烧瓶中，然后在270°C下生长30分钟到1小时。在160°C下时将8mL的上述半导体纳米晶体生长溶液转移到也在160°C 下的16克氧化三正辛基膦(TOPO) (99% Strem)和0. 665克(4mmol)的己基磷酸(HPA) (Polycarbon Industries)的经过除气的溶液中。然后将分散在8mL TOP(97% Strem)中 的1. Immol 二甲基镉(Mrem)和1. 2mL TOPSe(IM)的溶液经注射泵逐滴加入(1滴/ 秒) 到150°C下的半导体纳米晶体生长溶液/Τ0Ρ0/ΗΡΑ混合物中。然后将溶液在150°C下 搅拌21小时。在用CdZnS外涂覆Cda^e核之前，通过用可混合的非溶剂使CdS^e核从溶 液中沉淀出来两次而使Cda^e核分离。B.外涂覆Cda^e核以制备Cda^e/CdZnS半导体纳米晶体通过下述来生长CdaiS壳在140°C的温度下将在8mL的TOP中的二甲基镉(对于 预定厚度的壳的阳离子总摩尔数的20% ) (Strem)、二乙基锌(Mrem)、和三甲基硅硫醚(六 甲基二硅硫烷，hexamethyldisithiane)(对于预定厚度的壳来说为两倍过量)(Fluka)的 溶液逐滴引入到 10 克 Τ0Ρ0 (99% Strem)和 0. 4 克(2. 4mmol)HPA (Polycarbon Industries) 的含有Cda^e核的经过除气的溶液中(将分散在己烷中的Cda^e核加入到经过除气的 Τ0Ρ0/ΗΡΑ溶液中，并且在加入壳前体之前在真空下在70°C抽出己烷)。发射蓝光量子点的制备A. CdZnS半导体纳米晶体核的合成称取0. 050g CdO (99. 98% Puratronic)和 0. 066g ZnO (99. 99% Sigma Aldrich) 加入IOOmL的三口烧瓶中。将4mL油酸(90%，工业级(tech grade)，来自Aldrich)和32ml十八烯(ODE) (90%，工业级，来自Aldrich)加入烧瓶中。烧瓶固定夹在加热套中。烧瓶的 一个口装配有通过真空适配器连接到khlenck管路的冷凝器。连接到数字温度控制器的 温度探针装配到剩余两个烧瓶口中的一个口上。然后烧瓶的第三个口装配有隔膜盖。将烧 瓶的内容物在80°C下在真空中QOO毫托)中除气20分钟。分别称取0. 035g硫磺(99. 99% Strem)加入到包括搅拌棒的隔膜封盖的小瓶中。 将IOmL ODE (工业级)加入到小瓶中。小瓶在真空下在油浴(连接到khlenck管路)中 加热到80°C，并除气20分钟。在20分钟后，关闭真空管路，用氮气回充小瓶，且温度升高到 130°C从而将硫磺溶解在ODE中。当所有硫磺都溶解在ODE中时，从油浴中移出小瓶，并在 氮气气氛下使其冷却到室温。当除气时间结束时，将三口烧瓶的内容物以低搅拌速率进行搅拌(例如，设定为 4)，并加热到^KTC且在该温度下保持20分钟。然后在氮气氛下使温度升高到310°C。当 温度达到305°C时，提高搅拌速率(例如，从设定为4到设定为5)，且使样品加热到310°C， 直到所有氧化物已经溶解以产生澄清溶液。然后将温度控制器设定至300°C。一旦温度下 降到300°C，快速注入在ODE中的约SmL的S，之后保持搅拌速率(例如，在设定为5)。观察 溶液的温度下降到约^5-270°C，并在 5分钟内回升到300°C。在3小时后，通过移去加 热套而停止加热，使烧瓶冷却到室温。在氮气氛下将烧瓶的内容物转移到经过除气的小瓶 中，并将小瓶转移到惰性气氛箱中以便进一步纯化。可观察到沉淀的点，在惰性箱中保持过 夜。纯化方法如下将溶液分成两半，将每一半都加入到单独的离心管中，并以4000rpm离心5分钟。 对于每个管，倒出溶剂并使固体保留在管中。将20mL 丁醇加入到每个管中，接着混合，然后 离心。将上清液丁醇倒出并弃去。然后在每个离心管加入IOmL甲醇，然后混合和离心。倾 倒出上清液甲醇并弃去。然后将IOmL己烷加入到每个管中，接着混合和离心。再次离心每 个管。然后将从每个管收集的上清液己烷倒入干净的管中。(将固体弃去。)通过加入20mL 丁醇来使每个小瓶中的纳米颗粒沉淀。离心小瓶，倾倒出液体并将其弃去。然后将IOmL甲 醇加入到每个管中，接着混合和离心。弃去上清液。将产生的固体分散在无水己烷中，并通 过0.2微米的过滤器过滤。B.外涂覆CdZnS核以制备CdaiS/ZnS半导体纳米晶体将5mL油胺和5mL三辛基膦加入到经过除气的装配有冷凝器和连接到数字温度控 制器的温度探针的4 口烧瓶中。冷凝器连接到khlenck管路。将烧瓶的内容物在100°C下 除气2小时。在手套箱中，如下制备前体试剂将^mg 二乙基锌加入到含有^iL TOP的小瓶中将81mg三甲基硅硫醚加入到含有^iL TOP的另一个小瓶中。将两个小瓶的内容物吸取到两个单独的注射器中并封盖。在除气2小时后，使烧瓶中的温度下降到70°C。关闭真空管路且使烧瓶对正氮气 气氛管路打开。在手套箱中将分散在己烷中的3. 3mL核(0.092mmol)吸入到注射器中，并 将其注入到烧瓶中。关闭氮气管路，并将烧瓶对真空管路缓慢打开从而从烧瓶中吸取己烷。 在真空下继续除气直到除去所有己烷。一旦完成除气，关闭真空管路并将正(压)氮气气氛引入到烧瓶中。将包含前体试剂的注射器上的针移除，并用微毛细管替换，使其另一端通过注射 器针插入小瓶中。从注射器中除去气泡，且将注射器设置在准备用来将内容物注入到烧瓶 中的注射泵上。将注射泵的流速调整为50微升/分钟的流速。使烧瓶的温度升高到170°C。连接到包含三甲基硅硫醚的注射器的微毛细管的端 部用18号针引入烧瓶的第二隔膜中，并以这样的方式放置，使得该类型的微毛细管浸入到 烧瓶的内容物中。当温度达到170°C时，开始注入三甲基硅硫醚。在2分钟的延迟之后，另 外的包含二乙基锌前体试剂的注射器的微毛细管的尖部使用18号针穿过通过烧瓶的另外 隔膜引入到烧瓶中。一旦两种前体试剂的添加完成，使烧瓶的温度下降到90°C，并且使用20mL注射器 将烧瓶的内容物转移到经过除气的小瓶中。然后将包含反应混合物的小瓶转移到手套箱中，以便从反应混合物中分离纳米颗 粒。在手套箱内将IOmL(无水)己烷加入到小瓶中。然后将反应混合物分成两半，将各 一半加入到两个单独的离心管中。将20mLl 3的异丙醇甲醇溶剂混合物加入到各个管 中，之后各自以旋流混合并离心。弃去上清液。将5mL己烷加入到各个管中，并且将1 3 异丙醇甲醇溶剂混合物逐滴加入到每个管中以使纳米颗粒再沉淀。加入稍微过量的溶剂 混合物。将每个管的内容物混合并离心。弃去上清液，并且将沉淀的纳米颗粒再次分散在 5mL己烧中。关于量子点制备的另外信息，还参见Coe-Sullivan等人于2007年6月4日提交 的、题为"Light-Emitting Devices And Displays WithImproved Performance，，的国际串 请号PCT/US2007/013152以及Breen等人于2007年11月21日提交的、题为"Blue Light EmittingSemiconductor Nanocrystal And Compositions And Devices IncludingSame，， 的国际申请号PCT/US2007/24305，将其全部披露内容结合于此以供参考。发射黄光的量子点制备A. CdSe核的合成在140°C，在20mL小瓶中，将2mmol醋酸镉溶解在35.8mmol的三正辛基膦中，然后 干燥和除气一小时。将62mmol的氧化三辛基膦和8mmol的十八烷基磷酸加入到250mL的3 口烧瓶中，并在120°C下干燥和除气一个小时。在除气之后，将Cd溶液加入到氧化物/酸烧 瓶中，并且在氮气下将混合物加热到270°C。一旦温度达到270°C，将32. 3mmol的三正丁基 膦注入到烧瓶中。温度再次达到270°C，然后向其中快速注入4.4mL的1.5M TBP-Se0立即 从反应烧瓶移去加热套，并且使反应温度冷却到室温。纳米晶体的第一吸收峰达到515nm。 通过加入3 1甲醇和异丙醇的混合物，在氮气气氛的手套箱内使Cdk核从生长溶液中沉 淀出来。然后将分离的核分散在己烷中，并用来制备核-壳材料。B.外涂覆CcKe核以合成CcKe/CdZnS核-壳纳米晶体将25. 86mmol的氧化三辛基膦和2. 4mmol的十八烷基磷酸加入50mL的四口烧瓶 中。然后通过加热到120°C约一个小时而在反应容器中对混合物进行干燥和除气。然后将 烧瓶冷却到70°C，并将包含分离的Cdk核(0. Immol Cd含量)的己烷溶液加入到反应混合 物中。在减小的压力下除去己烷，然后将2. 4mmol癸胺加入到反应混合物中。分别使用二甲基镉、二乙基锌、和三甲基硅硫醚作为Cd、Si、和S的前体。将Cd和Si以等摩尔比率混 合，而S相对于Cd和Si以两倍过量。在氮气气氛手套箱内，将Cd/Zn(0. 37mmol的二甲基 镉和二乙基锌)和S(l. 46mmol的三甲基硅硫醚)样品均溶解在4mL的三辛基膦中。一旦 制备前体溶液，在氮气氛下将反应烧瓶加热到155°C。在155°C下使用注射泵在2小时的期 间内逐滴加入前体溶液。在壳生长之后，将纳米晶体转移到氮气气氛手套箱中，并通过加入 3 1甲醇和异丙醇的混合物而使其从生长溶液中沉淀出来。然后将产生的沉淀物分散在 己烷中并通过加入31甲醇和异丙醇的混合物而使其第二次从溶液中沉淀出来。然后将 分离的核-壳纳米晶体分散在己烷中，并用来制造包括量子点的发光器件，如下所述。II.表1中的测试器件A.标准(比较)测试器件的制造制造标准器件，该标准器件包括R-SOP (CdSe/CdZnS核-壳半导体纳米晶体)和包 括有机材料的电荷输运层。如下制造器件将在一个表面上具有图案化的氧化锡铟(ITO)电极的玻璃(50mmX50mm)(从 Osram Malaysia获得)在氧气等离子体中清洗约6分钟，从而除去污染物并氧化表面。在 约20ps i下用100 %氧气进行清洗。将玻璃放置在水冷板上，从而有助于控制清洗过程中的温度上升。将空穴注入材料(PED0T，从H. C. Marck，GmbH获得)(HIL)的层以4000RPM的速度 旋涂到包括图案化电极的玻璃的表面上至约750埃的厚度。该步骤在环境条件下执行(即， 不在手套箱中)。然后将PEDOT涂覆的玻璃在一室(< 20ppm水和< IOppm氧气)中、在 HEPA过滤器环境(约1级)中、在氮气气氛中，在120°C加热板上加热>20分钟，从而干燥 PEDOT。然后使PEDOT涂覆的玻璃冷却到室温。然后在沉积室(AM0D室，从 Angstrom Engineering，Ottowa，Canada 获得)中在将 该室抽吸下降到10_6托或更低之后，将空穴输运材料(N，N’ -双(3-甲基苯基)-N，N’ -双 (苯基)-螺环(螺-TPD) (0LED级，梯度升华纯化的)，来自Luminescent Technologies, Taiwan)的层蒸发到PEDOT层上。(在表1和图中，螺-TPD称为E105。)然后将螺-TPD涂覆的玻璃返回到氮气环境中，并使用包括在己烷中的SOP CdSe/ CdZnS核-壳半导体纳米晶体的油墨压印。发射层具有约一个单层量子点的厚度。[OD = 0. 03]在印刷之后，将器件返回到沉积室，并抽吸下降回到10_6托或更低以便蒸发下一 层，该下一层可以是空穴阻断层或电子输运层。沉积 Alq3(0LED 级，梯度升华纯化的，来自 LuminescentTechnologies, Taiwan)的 电子输运材料的层。将每个气相沉积的层都用荫罩(障板，遮光板，shadow mask)图案化。在沉积电 子输运材料层之后，在沉积金属阴极之前更换该荫罩。标准器件的材料和层厚度的细节总结在下面表1中。B.表1中确定的(示出的)其他测试器件的制造通常如下所述制造表1中确定的器件(除了上述标准器件之外)。每个器件的细 节(材料、厚度等)描述在下面的表1中。
将在一个表面上具有图案化的氧化锡铟(ITO)电极的玻璃(50mmX50mm)(从 Osram Malaysia获得)在氧气等离子体中清洗约6分钟，从而除去污染物并氧化表面。在 约20ps i下用100 %氧气进行清洗。将玻璃放置在水冷板上，从而有助于控制清洗过程中的温度上升。如下制备包含氧化锌的电子输运层。将在96% 2-甲氧基乙醇和4%乙醇胺中的 醋酸锌[Zn(ac)]溶液(157g/L)以2000rpm旋涂到ITO上。(醋酸锌是从SigmaAldrich获 得的。)随后在空气中在加热板上在300°C下退火5分钟，使Si(ac)转化为氧化锌。期望 在去离子水、乙醇和丙酮中冲洗退火的Si(ac)层以从表面上除去任何残余的有机材料，仅 留下具有纳米等级晶畴尺寸的结晶SiO膜。然后，将纳米颗粒膜在200°C下烘烤以除去溶剂 残余物。通过表面光度仪确认ZnO膜的厚度，通常对于单次旋涂约为45nm。然后将金属氧化物涂覆的玻璃转移到氮气填充的手套箱中，该手套箱通常具有在 Ippm以下的氧气和水含量。将在己烷中的包括量子点的涂覆制剂以3000rpm旋涂在SiO表 面上1分钟。通过使用各种光密度溶液优化量子点膜厚度。通过器件性能优化，量子点膜 的厚度保持在约25nm，并通过原子力显微镜(AFM)确认。在沉积量子点之后，将器件返回到沉积室，并且抽吸下降回到10_6托或更低以便 蒸发下一层。^Β Κ^ (AMOD hK Angstrom Engineering, Ottowa, Canada )中 在将该室抽吸下降到10_6托或更低之后，将50nm的空穴输运材料(N，N’ -双(3-甲基苯 基)-N，N，-双(苯基)-螺环(螺-TPD) (0LED级，梯度升华纯化的)，来自Luminescent Technologies, Taiwan)的层蒸发到发射层上。空穴输运材料(0LED级，梯度升华纯化的) 通常从 Luminescent Technologies, Taiwan 获得。在空穴输运层上通过类似于上述制备空穴输运层的共蒸发技术来形成空穴注入 层(5% F4-TCNQ 和 E-105) (20nm)。每个气相沉积层都使用荫罩图案化。在沉积空穴输运材料层和空穴注入层之后， 在沉积IOOnm Al阳极之前更换该荫罩。表 12权利要求
1.一种发光器件，包括阴极、包含包括无机材料的能够输运和注入电子的材料的层、 包含量子点的发射层、包含能够输运空穴的材料的层、空穴注入材料、以及阳极。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述空穴注入材料包括能够输运空穴的为P 型掺杂的材料。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，在所述量子点的Euisro与所述阴极的功函数 之间的差的绝对值小于约0. 5eV0
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，在所述量子点的Euisro与所述阴极的功函数 之间的差的绝对值小于约0. 3eV0
5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，在所述量子点的Euisro与所述阴极的功函数 之间的差的绝对值小于约0. 2eV0
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，在所述量子点的Euisro与所述能够输运和注 入电子的材料的Ei^as之间的差的绝对值小于约0. 5eV0
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，在所述量子点的Euisro与所述能够输运和注 入电子的材料的Ei^as之间的差的绝对值小于约0. 3eV0
8.根据权利要求1所述的发光器件，其中，在所述量子点的Euisro与所述能够输运和注 入电子的材料的Ei^as之间的差的绝对值小于约0. 2eV0
9.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述量子点包含半导体纳米晶体。
10.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述无机材料包括金属硫属化物。
11.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述无机材料包括金属氧化物。
12.根据权利要求11所述的发光器件，其中，所述无机材料包括氧化锌。
13.根据权利要求11所述的发光器件，其中，所述无机材料包括二氧化钛。
14.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述无机材料包括金属硫化物。
15.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述无机材料包括两种或更多种无机材料 的混合物。
16.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述层以下面的相继顺序形成所述阴极、 所述包含包括无机材料的能够输运和注入电子的材料的层、所述包含量子点的发射层、所 述包含能够输运空穴的材料的层、所述包含空穴注入材料的层、以及所述阳极。
17.根据权利要求16所述的发光器件，进一步包括在所述发射层与所述器件的邻近于 所述发射层的层之间的分隔层。
18.根据权利要求16所述的发光器件，进一步包括在所述包含能够输运空穴的材料的 层与所述发射层之间的分隔层。
19.根据权利要求16所述的发光器件，进一步包括在所述发射层与所述包含能够输运 和注入电子的材料的层之间的分隔层。
20.根据权利要求16所述的发光器件，其中，所述分隔层包括对于量子点发射为非猝 灭的材料。
21.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述器件具有不大于1240/λ的初始导通 电压，其中，λ表示由所述发射层发射的光的波长(nm)。
22.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述包含量子点的发射层设置在所述阴极 与所述阳极之间；所述包含能够输运和注入电子的材料的层设置在所述阴极与所述发射层之间；所述包含能够输运空穴的材料的层设置在所述阳极与所述发射层之间；以及所述包 含空穴注入材料的层设置在所述阳极与发射材料之间。
23.根据权利要求22所述的发光器件，进一步包括在所述发射层与所述器件的邻近于 所述发射层的层之间的分隔层。
24.根据权利要求22所述的发光器件，进一步包括在所述包含能够输运空穴的材料的 层与所述发射层之间的分隔层。
25.根据权利要求22所述的发光器件，进一步包括在所述发射层与所述包含能够输运 和注入电子的材料的层之间的分隔层。
26.根据权利要求22所述的发光器件，其中，所述分隔层包括对于量子点发射为非猝 灭的材料。
27.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述量子点能够发射红外光。
28.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述量子点能够发射可见光。
29.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述发射层包括两种或更多种不同类型的 量子点，其中，选择每种类型以发射具有预定的不同颜色的光。
30.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述空穴注入材料包括能够输运空穴的为 P型掺杂的材料。
31.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述无机材料掺杂有增强所述无机材料的 电子输运特性的物质。
32.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述包含能够输运和注入电子的材料的层 包括含有两个或更多个水平区的层状结构。
33.根据权利要求32所述的发光器件，其中，所述层状结构包括在所述结构的更靠近 所述阴极的一侧上的第一区，所述第一区包括具有电子注入特性的η型掺杂的材料；以及 在所述结构的更靠近所述发射层的一侧上的第二区，所述第二区包括具有电子输运特性的 本征或轻掺杂的材料。
34.根据权利要求32所述的发光器件，其中，所述第一区包含η型掺杂的氧化锌，而所 述第二区包含本征氧化锌或η型掺杂浓度低于所述第一区中的所述氧化锌的η型掺杂的氧 化锌。
35.根据权利要求32所述的发光器件，其中，所述层状结构包括在所述结构的更靠近 所述阴极的一侧上的第一区，所述第一区包含具有电子注入特性的η型掺杂的材料；在所 述结构的更靠近所述发射层的一侧上的第三区，所述第三区包含具有空穴阻断特性的本征 材料；以及在所述第一区与所述第三区之间的第二区，所述第二区包含具有电子输运特性 的本征或轻掺杂的材料。
36.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述包含能够输运和注入电子的材料的层 包括更靠近所述阴极的第一层，所述第一层包含能够注入电子的材料；以及更靠近所述发 射层的第二层，所述第二层包含能够输运电子的材料。
37.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述包含能够输运和注入电子的材料的层 包括更靠近所述阴极的第一层，所述第一层包含能够注入电子的材料；更靠近所述发射层 的第二层，所述第二层包含能够阻断空穴的材料；以及在所述第一层与所述第二层之间的 第三层，所述第三层包含能够输运电子的材料。
38.根据权利要求1所述的发光器件，其中，在所述量子点的Eraro与所述能够输运和注 入电子的材料的E1^as之间的差的绝对值大于约leV。
39.根据权利要求1所述的发光器件，其中，在所述量子点的Eraro与所述能够输运和注 入电子的材料的E1^as之间的差的绝对值大于约0. 5eV0
40.根据权利要求1所述的发光器件，其中，在所述量子点的Eraro与所述能够输运和注 入电子的材料的E1^as之间的差的绝对值大于约0. 3eV0
41.一种用于制备发光器件的方法，所述方法包括在阴极上形成包含能够输运和注入电子的材料的层，其中，所述能够输运和注入电子 的材料包括无机材料；在所述包含能够输运和注入电子的材料的层上施加包含量子点的发射层；在所述发射层上形成包含包括有机材料的能够输运空穴的材料的层；在所述包含能够输运空穴的材料的层上形成包含空穴注入材料的层；以及在所述包含空穴注入材料的层上形成阳极。
42.根据权利要求41所述的方法，进一步包括封装所述发光器件。
43.一种发光器件，包括一对电极；设置在所述电极之间的包含含有量子点的发光材 料的层；以及设置在所述发射层与所述电极中的一个之间的包含无机材料的层，其中，所述 包含无机材料的层包括含有两个或更多个具有彼此不同导电率的水平区的层状结构。
44.根据权利要求43所述的发光器件，其中，包括在所述层状结构的每个不同区中的 无机半导体材料能够是掺杂或未掺杂形式的相同或不同材料。
45.根据权利要求44所述的发光器件，其中，在所述器件的所述发射层处，电子和空穴 的数量是平衡的。
46.根据权利要求43所述的发光器件，其中，所述无机材料包括金属硫属化物。
47.根据权利要求43所述的发光器件，其中，所述无机材料包括金属氧化物。
48.根据权利要求43所述的发光器件，其中，所述无机材料包括氧化锌。
49.根据权利要求48所述的发光器件，其中，所述氧化锌用氧化剂进行表面处理以使 最接近于所述发射层的表面本征化。
50.根据权利要求43所述的发光器件，其中，所述无机材料包括两种或更多种无机材 料的混合物。
51.根据权利要求43所述的发光器件，其中，所述无机材料包括无机半导体材料。
52.一种发光器件，包括一对电极和设置在所述电极之间的发光材料的层，其中，在 跨所述器件的偏压小于所述发射材料的带隙的电子伏能量时，发生来自所述发光材料的发光。
53.根据权利要求1所述的发光器件，其中，在跨所述器件的偏压小于所述发射层中所 述量子点的带隙电子伏时，发生来自所述发光材料的发光。
54.一种发光器件，其中，所述器件具有不大于1240/λ的初始导通电压，其中，λ表示 由所述发射层发射的光的波长(nm)。
55.一种发光器件，包括阴极、包含能够输运和注入电子的材料的层、包含量子点的发 射层、包含能够输运空穴的材料的层、空穴注入材料、以及阳极，所述器件具有不大于1240/ λ的初始导通电压，其中，λ表示由所述发射层发射的光的波长(nm)。
56.一种发光器件，包括阴极、包含包括无机材料的能够输运和注入电子的材料的层、 发射层、包含能够输运空穴的材料的层、以及阳极，所述器件具有不大于IMO/λ的初始导 通电压，其中，λ表示由所述发射层发射的光的波长(nm)。
57.根据权利要求56所述的发光器件，其中，所述能够输运空穴的材料包括有机材料。
58.根据权利要求56所述的发光器件，其中，所述能够输运空穴的材料包括无机材料。
59.根据权利要求56所述的发光器件，其中，所述层以下面的相继顺序形成所述阴 极、所述包含包括无机材料的能够输运和注入电子的材料的层、所述包含量子点的发射层、 所述包含能够输运空穴的材料的层、所述包含空穴注入材料的层、以及所述阳极。
60.如本文所示出和所描述的新的、有用的和非显而易见的方法、机器、制造、和物质组成。
61.如本文所示出和所描述的新的、有用的和非显而易见的方法、机器、制造、和物质组 成的改进。
全文摘要
本发明披露了一种包括含有量子点的发射材料的发光器件。在一个实施方式中，该器件包括阴极、包含包括无机材料的能够输运和注入电子的材料的层、包含量子点的发射层、包含能够输运空穴的材料的层、包含空穴注入材料的层、以及阳极。在一些实施方式中，空穴注入材料可以是p型掺杂的空穴输运材料。在一些优选的实施方式中，量子点包含半导体纳米晶体。在本发明的另一个方面，提供了一种发光器件，其中该器件具有不大于1240/λ的初始导通电压，其中λ表示由发射层发射的光的波长(nm)。本发明还披露了其他发光器件和方法。
文档编号G01N21/63GK102047098SQ200980120363
公开日2011年5月4日 申请日期2009年4月3日 优先权日2008年4月3日
发明者周照群, 左兰·波波维克, 彼得·T·卡兹赖斯, 米德·米西克, 约翰·斯宾塞·莫里斯 申请人:Qd视光有限公司