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补偿滤波试验装置的制作方法

时间:2025-06-28    作者: 管理员

专利名称:补偿滤波试验装置的制作方法
技术领域
本实用新型属于电力电子装置技术领域,具体涉及一种补偿滤波试验装置。
技术背景近年来,随着现代工业的发展,各种工业负荷,特别是电弧炉、大型升降 机、变频器等各种基于电力电子技术的设备大量应用,由于其非线性和不平衡特性,使配电 网的电压波形发生畸变,对电网的电能质量、用电设备的安全运行构成严重的威胁。由于上 述原因,如今在市场上已经出现了各种电能质量监测及治理产品。如无功补偿产品、无源 L-C滤波器、有源滤波器等,但由于缺乏有效的检测手段,相关部门无法对这些电能治理产 品的质量进行严格把关,从而导致产品质量良莠不齐。 发明内容本实用新型的目的在此提供一种结构简单,成本低廉,操作使用、维修 方便,能够有效地实现了对补偿及滤波产品的检测的补偿滤波试验装置。本实用新型的目 的是这样实现的它包含移相控制器TKD、感应调压器T1、感性无功负载L1、直流电抗器L2、 电流采样器RS、可控硅VT。三相电压的A与感应调压器T1的M1、可控硅VT4的阴极和可控 硅VT1的阳极连接,三相电压的B与感应调压器Tl的M2、可控硅VT6的阴极和可控硅VT3 的阳极连接,三相电压的C与感应调压器Tl的M3、可控硅VT2的阴极和可控硅VT5的阳极 连接,三相电压N与可控硅VT8的阴极和可控硅VT7的阳极连接;可控硅VT2、可控硅VT4、 可控硅VT6、可控硅VT8的阳极并联后与直流电抗器L2、电流采样器RS串联连接后与可控 硅VT1、可控硅VT3、可控硅VT5、可控硅VT7的阴极并联连接。电流采样器RS的输出端与 移相控制器TKD的信号输入端连接。可控硅VT1、可控硅VT2、可控硅VT3、可控硅VT4、可控 硅VT5、可控硅VT6、可控硅VT7、可控硅VT8的控制极分别与移相控制器TKD的信号输出端 Gl-G8连接。本实用新型的优点是结构简单,成本低廉,操作使用、维修方便。整流桥BG由 八只可控硅组成,本实用新型可以工作在三相全控桥状态或者线间或单相的状态;使得补 偿及滤波试验装置可以发出三相、两相及单相的无功电流,并可以灵活调节感性无功功率 以及无功电流中谐波电流的含量。可以实现三相及单相的谐波电流、感性无功功率灵活调 节。从而为补偿及滤波设备提供接近真实应用的工况,进而对补偿及滤波设备的工作状态 做出更加可靠有效的判断,对这些电能治理产品的质量进行严格把关。具有输出容量高、输 出频率高、功率损耗小等优点,有效地实现了对补偿及滤波产品的检测。

图1是本实用新型电路原理结构示意图。
具体实施方式
它包含移相控制器TKD、感应调压器Tl、感性无功负载Ll、直流电 抗器L2、电流采样器RS、可控硅VT。三相电压的A与感应调压器Tl的Ml、可控硅VT4的阴 极和可控硅VT1的阳极连接,三相电压的B与感应调压器Tl的M2、可控硅VT6的阴极和可 控硅VT3的阳极连接,三相电压的C与感应调压器T1的M3、可控硅VT2的阴极和可控硅VT5 的阳极连接,三相电压N与可控硅VT8的阴极和可控硅VT7的阳极连接;可控硅VT2、可控 硅VT4、可控硅VT6、可控硅VT8的阳极并联后与直流电抗器L2、电流采样器RS串联连接后 与可控硅VT1、可控硅VT3、可控硅VT5、可控硅VT7的阴极并联连接。电流采样器RS的输出 端与移相控制器TKD的信号输入端连接。可控硅VT1、可控硅VT2、可控硅VT3、可控硅VT4、 可控硅VT5、可控硅VT6、可控硅VT7、可控硅VT8的控制极分别与移相控制器TKD的信号输出端G1-G8连接。 本实用新型由感性无功源装置及谐波源装置组成。感性无功源装置由感应调压器 T1连接感性无功负载L1接入电网。谐波源装置由八个可控硅构成的组合桥式整流器BG,直 流侧串接的直流电抗器L2、电流采样器RS以及移相控制器TKD组成,电流采样器RS的输出 端与移相控制器TKD的电流反馈输入端if连接,移相控制器TKD的信号输出端G1-G8与整 流桥BG的可控硅门极对应连接,整流桥BG的电压输入端直接接入电网,移相控制器BG的 电源通过变压器与电网隔离。移相控制器TKD通过控制整流桥BG的可控硅触发角调节直 流平波电抗器L2上的直流电流Id的大小,从而来调节谐波电流值及感性无功功率。系统 的工作方式,三相全控桥整流,还是AB、BC、 CA线间整流,亦或是AN、BN、 CN相间整流的工作 方式,由移相控制器设定。本实用新型工作原理所述的感性无功源装置发出纯感性的无功 功率,通过调节感应调压器T1的输出电压调节发出的无功功率,主要用来检测补偿设备的 补偿能力及响应能力。所述的谐波源装置发出谐波电流同时发出无功功率,其工作方式可 以单相运行也可三相运行,主要作为单相以及三相的滤波设备运行状况的检测,也可以作 为补偿设备在谐波环境下运行状况的检验。本实用新型工作过程根据实际补偿设备检测 需要,确定需要发出的无功功率,通过调节感应调压器Tl的输出电压调节发出的无功功率 达到要求。根据实际滤波设备检测需要,确定需要发出的谐波电流的大小,确定工作方式, 三相工作、线间工作还是相间工作。给定一 目标电流值,通过设定移相控制器TKD给定目标 电流大小,来实现对整流桥BG的可控硅导通角a的调节,从而改变直流电抗器L2上的直 流电流Id,电流采样器对直流电流Id采样并反馈到移相控制器TKD上,该反馈电流和目标 电流作比较,通过PI比例积分调节器调节导通角a 。 该电路工作稳定状态时,直流平波电抗器(L2)两端直流电压Vdc的平均值接近于 零,此时,导通角a接近90度。
-系统工作在三相整流方式
因为a接近90度,可知系统功率几乎全部为无功功率。 谐波计算<formula>formula see original document page 4</formula>系统工作在三相整流方式[0021 ] = n = 1 , 3, 5,...——系统工作在单相整流方式 由公式可以看出,通过调节直流电流Id就可达到调节谐波电流以及感性无功功 率的目的。
权利要求一种补偿滤波试验装置,它包含移相控制器TKD、感应调压器T1、感性无功负载L1、直流电抗器L2、电流采样器RS、可控硅VT,其特征在于三相电压的A与感应调压器T1的M1、可控硅VT4的阴极和可控硅VT1的阳极连接,三相电压的B与感应调压器T1的M2、可控硅VT6的阴极和可控硅VT3的阳极连接,三相电压的C与感应调压器T1的M3、可控硅VT2的阴极和可控硅VT5的阳极连接,三相电压N与可控硅VT8的阴极和可控硅VT7的阳极连接;可控硅VT2、可控硅VT4、可控硅VT6、可控硅VT8的阳极并联后与直流电抗器L2、电流采样器RS串联连接后与可控硅VT1、可控硅VT3、可控硅VT5、可控硅VT7的阴极并联连接,电流采样器RS的采样端与移相控制器TKD的信号输入端连接。
2. 根据权利要求1所述的一种补偿滤波试验装置,其特征在于可控硅VT1、可控硅 VT2 、可控硅VT3 、可控硅VT4、可控硅VT5 、可控硅VT6 、可控硅VT7 、可控硅VT8的控制极分别 与移相控制器TKD的信号输出端Gl-G8连接。
3. 根据权利要求1所述的一种补偿滤波试验装置,其特征在于所述的直流电抗器Ll 为感性无功负载。
4. 根据权利要求1所述的一种补偿滤波试验装置,其特征在于所述的直流电抗器L2 为平波电抗器。
专利摘要本实用新型属于电力电子装置技术领域,具体涉及一种补偿滤波试验装置。其特点是可控硅VT2、可控硅VT4、可控硅VT6、可控硅VT8的阳极并联后与直流电抗器L2、电流采样器RS串联连接后与可控硅VT1、可控硅VT3、可控硅VT5、可控硅VT7的阴极并联连接。电流采样器RS的采样端与移相控制器TKD的信号输入端连接。可控硅VT1、可控硅VT2、可控硅VT3、可控硅VT4、可控硅VT5、可控硅VT6、可控硅VT7、可控硅VT8的控制极分别与移相控制器TKD的信号输出端G1-G8连接。本实用新型的优点是结构简单,成本低廉,操作使用、维修方便。整流桥BG由八只可控硅组成,本实用新型可以工作在三相全控桥状态或者线间或单相的状态;使得补偿及滤波试验装置可以发出三相、两相及单相的无功电流,并可以灵活调节感性无功功率以及无功电流中谐波电流的含量。可以实现三相及单相的谐波电流、感性无功功率灵活调节。
文档编号G01R31/00GK201532426SQ20092024419
公开日2010年7月21日 申请日期2009年11月25日 优先权日2009年11月25日
发明者李国勇 申请人:哈尔滨特通电气有限公司

  • 专利名称:包含mosfet分子检测芯片和采用该芯片的分子检测装置以及使用该装置的分子检测方法技术领域:本发明涉及一种在微量流体通道的侧壁上包括金属氧化物硅场效应晶体管(MOSFET)的分子检测芯片,以及采用该分子检测芯片的分子检测装置。同时
  • 专利名称:编码器的制作方法技术领域:本发明主要关于一种编码器,更详细而言,关于一种以光学方式检测移动体的位置信息的编码器。本申请根据2009年2月6日申请的日本特愿2009-(^6425号主张优先权,并将其内容援引于本说明书。背景技术:近年
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  • 专利名称:基于金属双栅结构的反射式传感器的制作方法技术领域:本发明涉及的是一种反射式折射率传感器,尤其涉及的是一种基于金属双栅结构 的反射式传感器。背景技术:表面等离激元(SPP)共振因其对界面折射率变化的高度敏感性而被广泛应用于 光学传感
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