专利名称：基板电性的测量设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及基板电性的测量设备。
背景技术：
传统基板的电性检测设备多是利用探针接触待测基板并施予电压，检验待测基板的电性状况，例如短路、断路...等。半导体晶粒制作工艺的探针卡测试设备和PCB板制作工艺探针检测设备为一般常见的接触式探针电性检测设备。然而，随着制作工艺的线宽日益缩小，若要使用传统探针卡的方式做检测，势必受到探针物理尺寸的检测极限，并且探针卡的成本也相当昂贵。另一方面，随着基板制作的面积愈大，对检测的速度要求也愈快，尤其是，对全面检测的需求会越来越多，例如显示面板的阵列(array)制作工艺端、薄膜太阳能电池、触控面板和软性显示器的检测。利用探针接触的方式测量电性的抽检方式越来越不符合实际检测的需求。如上所述，传统探针接触待测基板测量电性的方法，不但所需测量时间冗长，并且随着先进制作工艺技术的演进，线宽越做越小的情况下，探针测量的尺寸也受到限制，而探针卡的制作费用也相当昂贵。美国专利US5，097，201和US 5，170，127揭露非接触式电性测量的方法，通过电光调制器，例如高分子分散液晶材料(Polymer Dispersed Liquid Crystal，简称PDLC)液晶板或光学晶体(如KDP、KD*P、或ADP...等)，使待测基板和电光调制器之间保持一特定的距离(大约IOum)，分别施予加上正负电压，使其产生电容效应， 造成感应电场，并通过此感应电场驱动电光调制器，并由CCD记录电光调制器上的感应电压影像，通过电压影像的灰阶强度变化，可检测图案化制作工艺后的导电层(例如ΙΤ0)的厚度或残留量，以检视背景制作工艺是否将导电物质蚀刻完全，或表面瑕疵对导电图案介质的电性影响，但使用电光调制器的测量方法受限于测量面积。为了解决上述大面积测量和检测效率的问题，背景技术例如美国专利US 5，504，438所揭露的检测方法利用多颗CCD摄影，再使用后续影像接合，以增大检测面积和提升检测效率。但是，使用多颗CCD会增加制造成本。又为了解决制造成本增加的问题，美国专利US 7，466，161和US 7，468，611揭露使用线型C⑶搭配龙门机台架构，通过线型扫猫，以增大检测面积和提升检测效率。但是，待测基板和电光调制器之间需保持一特定的距离(大约IOum的间距)，并且必须提高电控精度和扫瞄平台的机构精度。

发明内容
为解决上述问题，本发明的一实施例，提供一种基板电性的测量设备，包括一第一电光调制装置，设置于一第一检测滚轮外围；一待测基板，传输于多个传动滚轮之间，并与该第一电光调制装置接触；一电压供应装置，提供一电压差于该第一电光调制装置与该待测基板之间；以及一第一取像系统，接收由该待测基板的一第一面反射的一第一检测光。本发明另一实施例，提供一种基板电性的测量设备，包括一第一电光调制装置，设置于一第一检测滚轮外围；一待测基板，传输于该第一检测滚轮一侧，并与该第一电光调 制装置接触；一电压供应装置，提供一电压差于该第一电光调制装置与该待测基板之间； 以及一第一光源系统提供一第一检测光于该待测基板上，其中该第一光源系统设置于该第 一检测滚轮的内部，致使该第一检测光穿透该第一电光调制装置由一第一取像系统接收。本发明又一实施例，提供一种基板电性的测量设备，包括一第一电光调制装置， 设置于一第一检测滚轮外围；一待测基板，传输于一第一传动滚轮一侧，并与该第一电光调 制装置接触；一电压供应装置，提供一电压差于该第一电光调制装置与该待测基板之间； 以及一第一光源系统提供一第一检测光于该待测基板上，其中该第一光源设置于该第一传 动滚轮的内部，致使该第一检测光穿透该第一电光调制装置由该第一检测滚轮内部的一第 一取像系统接收。本发明的另一实施例提供一种基板电性的测量设备，包括一第一电光调制装置， 设置于一第一检测滚轮外围；一待测基板，传输于该第一检测滚轮一侧，并与该第一电光调 制装置接触；一电压供应装置，提供一电压差于该第一电光调制装置与该待测基板之间； 以及一第一光源系统提供一第一检测光于该待测基板上，其中该第一光源系统设置于该第 一检测滚轮相对于该待测基板的对向侧，致使该第一检测光穿透该第一电光调制装置由该 第一检测滚轮内部的一第一取像系统接收。本发明的另一实施例提供一种基板电性的测量设备，包括一第一电光调制装置， 设置于一第一检测滚轮外围；一待测基板，传输于一第一传动滚轮一侧，并与该第一电光调 制装置接触；一电压供应装置，提供一电压差于该第一电光调制装置与该待测基板之间； 以及一第一光源系统提供一第一检测光于该待测基板上，其中该第一光源系统设置于该第 一检测滚轮的内部，致使该第一检测光穿透该第一电光调制装置由该第一传动滚轮内部的 一第一取像系统接收。为使本发明能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图，作详细说明如下


图1显示根据本发明的一实施例的反射式基板电性测量设备的示意图；图2显示根据本发明另一实施例的反射式基板电性测量设备的示意图；图3显示根据本发明另一实施例的反射式基板电性测量设备的示意图；图4显示根据本发明另一实施例的双面反射式基板电性测量设备的示意图；图5显示根据本发明另一实施例的反射式基板电性测量设备的示意图；图6显示根据本发明另一实施例的双面反射式基板电性测量设备的示意图；图7显示根据本发明又一实施例的穿透式基板电性测量设备的示意图；图8显示根据本发明又一实施例的穿透式基板电性测量设备的示意图；图9显示根据本发明又一实施例的穿透式基板电性测量设备的示意图；图10显示根据本发明又一实施例的穿透式基板电性测量设备的示意图；图11显示根据本发明另一实施例的穿透式基板电性测量设备的示意图；图12显示根据本发明另一实施例的双面穿透式基板电性测量设备的示意图；图13显示根据本发明又一实施例的穿透式基板电性测量设备的示意图；图14显示根据本发明又一实施例的双面穿透式基板电性测量设备的示意图。
主要元件符号说明IOa-IOn 基板电性的测量设备；12a、12c、12e 光源系统；12b、12d、12f 第二光源系统；14a、14e 电光调制装置；14b、14d、14f 第二电光调制装置；14c 履带型式的光调制装置；16a、16c、16e 检测滚轮；16b、16d、16f 第二检测滚轮；18 待测基板；20a.20c.20e 取像系统；20b、20d、20f 第二取像系统；22a、22c、22e 分光器；22b、22d、22f 第二分光器；23、24、25 传动滚轮；30 硬性待测基板；52a、52b、52c、52d、52e、52g 光源系统；52f、52h 第二光源系统；5^、54b、5k、52d、5^、54g 电光调制装置；54f、54h 第二电光调制装置；56a、56b、56c、56d、56e、56g 检测滚轮；56f,56h 第二检测滚轮；58 硬性待测基板；60a、60b、60c、60d、60e、60g 取像系统；60f、60h 第二取像系统；62b,62d,62g 传动滚轮；62h 第二传动滚轮；
64c、64d 开口；66d 开口；68 软性待测基板；Sl 第一面；S2 第二面。
具体实施例方式以下为各实施例详细说明并伴随着

的范例。在附图或说明书描述中，相似或相同的部分皆使用相同的图号。且在附图中，实施例的形状或是厚度可扩大，并以简化或是方便标示。再者，附图中各元件的部分将以分别描述说明之，值得注意的是，图中未绘示或描述的元件，为所属技术领域中具有通常知识者所知的形式，另外，特定的实施例仅为揭示本发明使用的参考方式，其并非用以限定本发明。
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本揭露的主要技术特征和实施例样态利用一种包覆在滚轮上的电光调制器，其兼具传动装置和感测元件的作用，并利用取像系统撷取所述电光调制器的感应电压影像，并分析此感应电压影像，可快速且大面积检测图案蚀刻制作工艺是否残留导电介质，或表面瑕疵对导电图案介质的电性影响，可满足应用于快速大面积全检的需求。在一实施例中，提供一大面积基板的电性检测装置，包含一光源系统；一电光调制器，可为PDLC液晶板或光学晶体，并包覆于检测滚轮上；一取像系统，做为电压影像纪录用，待测基板的表面具有透明导电介质图案，例如ITO图案。待测基板和包覆于检测滚轮上的电光调制器紧密接触，然后利用滚轮上的电压供给机构对待测基板和电光调制器分别加上正负电压，使待测基板和电光调制器形成电容效应，产生感应电场，驱动电光调制器，使待测基板的导电图案间接呈现于电光调制器上，再利用取像系统撷取电光调制器上的感应电压影像，并通过分析感应电压影像，判断图案蚀刻制作工艺是否残留导电介质，或表面瑕疵对导电图案介质的电性影响，例如断路或短路影响。测量原理说明根据本发明实施例，待测基板上的导电图案的电性测量原理为利用一电光调制器，例如PDLC液晶板或光学晶体(例如KDP、KD*P、ADP、或其他适合的光学晶体材料)，与待测基板紧密接触或间隔空隙约10 μ m。通过一电压产生器，使待测基板上的ITO图案与电光调制器形成电容状态，产生感应电场，驱动电光调制器，待测基板上的ITO图案间接呈现于电光调制器上。再将光源投射于电光调制器上，撷取电光调制器上的感应电压影像，通过电压影像的灰阶强度，检测蚀刻图案制作工艺后的ITO残留状况，确定制作工艺是否将ITO蚀刻完全。相同地，在制作工艺中所产生的缺陷，也可使用上述方法检测，以确使制作工艺缺陷不会对ITO线路产生电性的影响。测量架构可分为反射单点式、反射影像式、穿透单点式和穿透影像式。反射式和影像式架构的差别在于打光和取像的方式不同，反射式是利用分光器(Beam splitter)让光源系统产生的光线经分光器投射于待测物，待测体反射的光线再穿透分光器至取像系统得到测量结果，故反射式的架构是光源系统和取像系统位于待测物同一侧。穿透式是利用光源系统打光，取像系统于待测物的另一侧接收测量结果。单点式架构是测量待测物一个区域的平均值，若光源系统包含扩束器(Beam expand)且取像系统包含成像透镜(Image lens)，便形成影像式架构，能够用于观察待测物的表面状况。测量的架构和方式是能够根据需求和测量环境而被调整的。电光调制器种类和制作在本发明的各实施例中，可使用液晶板或光学晶体(例如KDP、KD*P、ADP、或其他适合的光学晶体材料)做为制作电光调制器的材料。由于光学晶体的反应速度极快，大约为ns等级，对应目前3米/分钟的制作工艺速度，光学晶体足以应付。应注意的是，光学晶体可以作横向操作和纵向操作。所谓横向操作是操作电场和入射光相互垂直的架构，纵向操作是操作电场和入射光相互平行的架构。在本发明各实施例中，测量的架构为纵向操作， 但也可运用横向操作于不同测量场合。无论横向操作或纵向操作都是操作电场改变入射光的偏振状态，在入射光源前，需要设置偏振片，只允许特定偏振角度的光通过，晶体经电场而改变入射光的偏振角度，通过放置不同偏振角度的偏振片于CCD前，可撷取调变后的光强。使用PDLC液晶板的基本原理为利用PDLC和掺杂其中的高分子材料的折射率差异，未施加电压驱动时，液晶板就呈现不透光状态，当施予电压时，液晶材料的折射率与高分子材料的折射率相近，呈现透光状态，可以减少偏振元件的使用，或特殊光源的使用，如激光。 且由于PDLC液晶板的制作费用低廉，又可符合大面积制作的需求，目前制作的最大尺寸为 80cmX75cm。再者，液晶板的驱动电压约125伏特，比光学晶体几千伏特以上的驱动电压降低许多。测量架构利用上面所提到的测量原理和不同的电光调制器，以下实施例提出几种不同的测量架构。图1显示根据本发明的一实施例的反射式基板电性测量设备的示意图。在图1中， 一种基板电性的测量设备IOa包括一电光调制装置14a，设置于一检测滚轮16a的外围。例如将软性的电光调制装置包覆于检测滚轮上。一待测基板18传输于两个传动滚轮23和M 之间，并与所述电光调制装置14a接触。一电压供应装置(未绘示)提供一电压差于所述电光调制装置Ha与待测基板18之间。例如以电压驱动机构分别对电光调制装置和待测基板，分别施予正负电压，待测基板和电光调制装置形成电容效应，产生感应电场，驱动电光调制装置，使待测基板上的导电图案间接呈现于电光调制装置上。一光源系统1 提供一检测光，经分光器2 抵达所述待测基板18上，其中所述检测光经反射后由一取像系统 20a(例如CCD)接收。利用取像系统撷取电光调制器上呈现的感应电压影像，藉分析感应电压影像，判断图案蚀刻制作工艺是否残留导电介质，或表面瑕疵对导电图案介质的电性影响。在另一实施例中，由于滚轮卷带式制作工艺的速度快，因而可利用2组或多组检测滚轮及取像系统，采分段检测的方式，减少直接处理影像数据量，得以便宜的低速取像模块取代昂贵的高速取像模块，降低硬件成本。例如，请参阅图2，基板电性的测量设备IOb更包括一第二电光调制装置14b，设置于一第二检测滚轮16b外围，一第二电压供应装置(未绘示)提供一电压差于所述第二电光调制装置14b与待测基板18之间，以及一第二光源系统12b提供一第二检测光，经第二分光器22b抵达所述待测基板18上，该第二检测光经待测基板18的第一面Sl反射后由一第二取像系统20b接收。在另一实施例中，请参阅图4， 基板电性的测量设备IOd更包括一第二电光调制装置14d，设置于一第二检测滚轮16d外围，其中所述第一和第二电光调制装置Ha和14d分别设置于待测基板18的对向侧，用以测量待测基板上对向面上的图案化导电层的电性，一第二电压供应装置(未绘示)，提供一电压差于所述第二电光调制装置14d与待测基板18之间，以及一第二光源系统12d提供一第二检测光，经分光器22d抵达所述待测基板18的第二面上，此第二检测光经待测基板18 的第二面S2反射后由一第二取像系统20d接收。图3显示根据本发明另一实施例的反射式基板电性测量设备的示意图。在图3中， 一基板电性的测量设备IOc包括一履带型式的光调制装置14c，环绕多个检测滚轮16c的外围。一待测基板18传输于履带型式的光调制装置Hc上，并与电光调制装置接触。一电压供应装置(未绘示)提供一电压差于所述电光调制装置与待测基板之间。一光源系统12c 提供一检测光，经分光器22c抵达所述待测基板18上，其中所述检测光经反射后由一取像系统20c (例如(XD)接收。图5显示根据本发明另一实施例的反射式基板电性测量设备的示意图。在图5中， 一基板电性的测量设备IOe包括一电光调制装置14e，设置于一检测滚轮16e外围。一硬性待测基板30与所述电光调制装置He接触。一电压供应装置提供一电压差于所述电光调制装置14e与硬性待测基板30之间。一光源系统1 提供一检测光，经分光器2 抵达所述硬性待测基板30上，其中所述检测光经反射后由一取像系统20e接收。在另一实施例中，由于滚轮卷带式制作工艺的速度快，因而可利用2组或多组检测滚轮及取像系统，采分段检测的方式，减少直接处理影像数据量，得以便宜的低速取像模块取代昂贵的高速取像模块，降低硬件成本。例如，请参阅图6，基板电性的测量设备IOf 更包括一第二电光调制装置14f，设置于一第二检测滚轮16f的外围，其中所述第一和第二电光调制装置14e和14f分别设置于硬性待测基板30的对向侧，用以测量待测基板上对向面上的图案化导电层的电性。一第二电压供应装置提供一电压差于所述第二电光调制装置 14f与硬性待测基板30之间。一第二光源系统12f提供一检测光，经分光器22f抵达所述硬性待测基板30上，该检测光经反射后由一第二取像系统20f接收。图7显示根据本发明又一实施例的穿透式基板电性测量设备的示意图。在图7中， 一种基板电性的测量设备IOg包括一电光调制装置Ma，设置于一透明的检测滚轮56a外围。例如将软性的电光调制装置包覆于检测滚轮上。一待测基板68传输于该检测滚轮一侧，并与所述电光调制装置Ma接触。一电压供应装置(未绘示)提供一电压差于所述电光调制装置5 与待测基板68之间。例如以电压驱动机构分别对电光调制装置和待测基板， 分别施予正负电压，待测基板和电光调制装置形成电容效应，产生感应电场，驱动电光调制装置，使待测基板上的导电图案间接呈现于电光调制装置上。一光源系统5 设置于透明的检测滚轮56a的内部，提供一检测光，穿透所述检测滚轮56a和待测基板68由一取像系统60a(例如CCD)接收。应注意的是，在另一实施例中，所述光源系统5 和取像系统60a 的位置可互换。图8显示根据本发明又一实施例的穿透式基板电性测量设备的示意图。在图8中， 一基板电性的测量设备IOh包括一电光调制装置Mb，设置于一透明的检测滚轮56b外围。 一待测基板68传输一透明的传动滚轮62b的外圈并与所述电光调制装置54b接触。一电压供应装置提供一电压差于所述电光调制装置54b与待测基板68之间。一光源系统52b 设置于透明的传动滚轮62b的内部，提供一检测光，穿透所述传动滚轮62b待测基板68和检测滚轮56b，由透明检测滚轮56b内部的取像系统60b (例如(XD)接收。应注意的是，在另一实施例中，所述光源系统52b和取像系统60b的位置可互换。图9显示根据本发明又一实施例的穿透式基板电性测量设备的示意图。在图9中， 一基板电性的测量设备IOi包括一电光调制装置Mc，设置于不透明的检测滚轮56c的外围，此检测滚轮56c具有一开口 64c。一待测基板68传输于该检测滚轮一侧，并与所述电光调制装置5 接触。一电压供应装置(未绘示)提供一电压差于所述电光调制装置5 与待测基板68之间。一光源系统52c设置于透明的检测滚轮56c的内部，提供一检测光，穿透所述检测滚轮56c和待测基板68，经过开口 64c，由取像系统60c (例如(XD)接收。应注意的是，在另一实施例中，所述光源系统52c和取像系统60c的位置可互换。图10显示根据本发明又一实施例的穿透式基板电性测量设备的示意图。在图10 中，一基板电性的测量设备IOj包括一电光调制装置Md，设置于不透明的检测滚轮56d外围。一待测基板68传输于不透明的传动滚轮62d的一侧，并与所述电光调制装置54b接触。 应注意的是，所述检测滚轮56d和传动滚轮62d皆为不透明且分别具有一开口，致使该检测光穿透该电光调制装置由一取像系统接收。一电压供应装置提供一电压差于所述电光调制装置54b与待测基板68之间。一光源系统52d设置于不透明的传动滚轮62d的内部，提供一检测光，经开口 64d和66d，穿透所述传动滚轮62d待测基板68和检测滚轮56d，由透明检测滚轮56d内部的取像系统60d接收。应注意的是，在另一实施例中，所述光源系统52d 和取像系统60d的位置可互换。图11显示根据本发明另一实施例的穿透式基板电性测量设备的示意图。在图11 中，一基板电性的测量设备IOk包括一电光调制装置Me，设置于一检测滚轮56e外围。一硬性待测基板58与所述电光调制装置5 接触。一电压供应装置提供一电压差于所述电光调制装置5 与硬性待测基板58之间。一光源系统5 设置于透明的检测滚轮56e的内部，提供一检测光，穿透所述检测滚轮56e和待测基板58由一取像系统60e接收。应注意的是，在另一实施例中，所述光源系统5 和取像系统60e的位置可互换。在另一实施例中，由于滚轮卷带式制作工艺的速度快，因而可利用2组或多组检测滚轮及取像系统，采分段检测的方式，减少直接处理影像数据量，得以便宜的低速取像模块取代昂贵的高速取像模块，降低硬件成本。例如，请参阅图12，基板电性的测量设备101 更包括一第二电光调制装置Mf，设置于一第二检测滚轮56f的外围，其中所述第一和第二电光调制装置5 和54f分别设置于硬性待测基板58的对向侧，用以测量待测基板上对向面上的图案化导电层的电性。一第二电压供应装置提供一电压差于所述第二电光调制装置 54f与硬性待测基板58之间。一第二光源系统52f设置于第二检测滚轮56f的内部，提供一检测光，穿透所述第二检测滚轮56f和待测基板58由一取像系统60f接收。应注意的是， 在另一实施例中，所述第二光源系统52f和第二取像系统60f的位置可互换。图13显示根据本发明又一实施例的穿透式基板电性测量设备的示意图。在图13 中，一基板电性的测量设备IOm包括一电光调制装置Mg，设置于一透明的检测滚轮56g外围。一硬性待测基板58传输一透明的传动滚轮62g的外圈并与所述电光调制装置54g接触。一电压供应装置提供一电压差于所述电光调制装置54g与硬性待测基板58之间。一光源系统52g设置于透明的传动滚轮62g的内部，提供一检测光，穿透所述传动滚轮62g、 硬性待测基板58和检测滚轮56g，由透明检测滚轮56g内部的取像系统60g(例如CCD)接收。应注意的是，在另一实施例中，所述光源系统52g和取像系统60g的位置可互换。在另一实施例中，可利用2组或多组检测滚轮及取像系统，采分段检测的方式，减少直接处理影像数据量，得以便宜的低速取像模块取代昂贵的高速取像模块。例如，请参阅图14，基板电性的测量设备IOn更包括一第二电光调制装置Mh，设置于一第二检测滚轮 56h的外围，其中所述第一和第二电光调制装置54g和54h分别设置于硬性待测基板58的对向侧，用以测量待测基板上对向面上的图案化导电层的电性。所述硬性待测基板58传输于第二传动滚轮62h的外圈并与所述第二电光调制装置54h接触。一第二电压供应装置提供一电压差于所述第二电光调制装置54h与硬性待测基板58之间。一第二光源系统5 设置于第二传动滚轮6 的内部，提供一检测光，穿透所述第二检测滚轮5 和待测基板58 由一取像系统60h接收。应注意的是，在另一实施例中，所述第二光源系统5 和第二取像系统60h的位置可互换。由于上述实施例中所揭露的待测基板和电光调制装置是紧密接触测量，因而检测速度不必受电控实作的困难而降低。再者，电光调制器可为PDLC液晶软板，因此可以大面积制作，达到大面积检测的功能，制作费用相当便宜，并可直接修改现有卷带式设备，并搭配目前已发展成熟的二维影像检测技术，就可达到Roll-to-Roll的快速大面积检测蚀刻图案制作工艺后的ITO蚀刻线路和残留量的检测需求。 本发明虽以各种实施例揭露如上，然而其并非用以限定本发明的范围，任何所属技术领域中熟悉此技术者，在不脱离本发明的精神和范围内，可做些许的更动与润饰，因此，本发明的保护范围应以附上的权利要求所界定的为准。
权利要求
1.一种基板电性的测量设备，包括第一电光调制装置，设置于一第一检测滚轮外围； 待测基板，传输于多个传动滚轮之间，并与该第一电光调制装置接触； 电压供应装置，提供一电压差于该第一电光调制装置与该待测基板之间；以及第一取像系统，接收由该待测基板的一第一面反射的一第一检测光。
2.如权利要求1所述的基板电性的测量设备，还包括 第二电光调制装置，设置于一第二检测滚轮外围；第二电压供应装置，提供一电压差于该第二电光调制装置与该待测基板之间；以及一第二取像系统，接收由该待测基板的该第一面反射的一第二检测光。
3.如权利要求1所述的基板电性的测量设备，其中该第一电光调制装置为一履带，环绕包覆该多个检测滚轮的外围。
4.如权利要求1所述的基板电性的测量设备，还包括第二电光调制装置，设置于一第二检测滚轮外围，其中该第一和第二电光调制装置分别设置于该待测基板的对向侧；第二电压供应装置，提供一电压差于该第二电光调制装置与该待测基板之间；以及第二取像系统，接收由该待测基板的一第二面反射的一第二检测光。
5.一种基板电性的测量设备，包括第一电光调制装置，设置于一第一检测滚轮外围； 待测基板，传输于该第一检测滚轮一侧，并与该第一电光调制装置接触； 电压供应装置，提供一电压差于该第一电光调制装置与该待测基板之间；以及第一光源系统提供一第一检测光于该待测基板上，其中该第一光源系统设置于该第一检测滚轮的内部，致使该第一检测光穿透该第一电光调制装置由一第一取像系统接收。
6.一种基板电性的测量设备，包括第一电光调制装置，设置于一第一检测滚轮外围 待测基板，传输于一第一传动滚轮一侧，并与该第一电光调制装置接触； 电压供应装置，提供一电压差于该第一电光调制装置与该待测基板之间；以及第一光源系统提供一第一检测光于该待测基板上，其中该第一光源系统设置于该第一传动滚轮的内部，致使该第一检测光穿透该第一电光调制装置由该第一检测滚轮内部的一第一取像系统接收。
7.如权利要求5所述的基板电性的测量设备，还包括第二电光调制装置，设置于一第二检测滚轮外围，其中该第一和第二电光调制装置分别设置于该待测基板的对向侧；第二电压供应装置，提供一电压差于该第二电光调制装置与该待测基板之间；以及第二光源系统提供一第二检测光于该待测基板上，其中该第二光源系统设置于该第二检测滚轮的内部，致使该第二检测光穿透该第二电光调制装置由一第二取像系统接收。
8.如权利要求6所述的基板电性的测量设备，还包括第二电光调制装置，设置于一第二检测滚轮外围，其中该第一和第二电光调制装置分别设置于该待测基板的对向侧；第二电压供应装置，提供一电压差于该第二电光调制装置与该待测基板之间；以及第二光源系统提供一第二检测光于该待测基板上，其中该第二光源系统设置于该第二传动滚轮的内部，致使该第二检测光穿透该第二电光调制装置由一第二检测滚轮内部的一第二取像系统接收。
9.一种基板电性的测量设备，包括第一电光调制装置，设置于一第一检测滚轮外围； 待测基板，传输于该第一检测滚轮一侧，并与该第一电光调制装置接触； 电压供应装置，提供一电压差于该第一电光调制装置与该待测基板之间；以及第一光源系统提供一第一检测光于该待测基板上，其中该第一光源系统设置于该第一检测滚轮相对于该待测基板的对向侧，致使该第一检测光穿透该第一电光调制装置由该第一检测滚轮内部的一第一取像系统接收。
10.如权利要求9所述的基板电性的测量设备，还包括第二电光调制装置，设置于一第二检测滚轮外围，其中该第一和第二电光调制装置分别设置于该待测基板的对向侧；第二电压供应装置，提供一电压差于该第二电光调制装置与该待测基板之间；以及第二光源系统提供一第二检测光于该待测基板上，其中该第二光源系统设置于该第二检测滚轮相对于该待测基板的对向侧，致使该第二检测光穿透该第二电光调制装置由该第二检测滚轮内部的一第二取像系统接收。
11.一种基板电性的测量设备，包括第一电光调制装置，设置于一第一检测滚轮外围； 待测基板，传输于一第一传动滚轮一侧，并与该第一电光调制装置接触； 电压供应装置，提供一电压差于该第一电光调制装置与该待测基板之间；以及第一光源系统提供一第一检测光于该待测基板上，其中该第一光源系统设置于该第一检测滚轮的内部，致使该第一检测光穿透该第一电光调制装置由该第一传动滚轮内部的一第一取像系统接收。
12.如权利要求11所述的基板电性的测量设备，还包括第二电光调制装置，设置于一第二检测滚轮外围，其中该第一和第二电光调制装置分别设置于该待测基板的对向侧；第二电压供应装置，提供一电压差于该第二电光调制装置与该待测基板之间；以及第二光源系统提供一第二检测光于该待测基板上，其中该第二光源系统设置于该第二检测滚轮的内部，致使该第二检测光穿透该第二电光调制装置由一第二传动滚轮内部的一第二取像系统接收。
13.如权利要求1、5、6、9或11所述的基板电性的测量设备，其中该待测基板为一硬性基板或一软性基板。
14.如权利要求7、8、10或12所述的基板电性的测量设备，其中该第一和第二电光调制装置均为软性电光调制装置，且分别环绕包覆该第一和第二检测滚轮外围。
15.如权利要求7所述的基板电性的测量设备，其中该多个检测滚轮的至少一者是透明的检测滚轮，致使该多个检测光穿透该多个电光调制装置由该多个取像系统接收。
16.如权利要求7所述的基板电性的测量设备，其中该多个检测滚轮的至少一者是不透明的检测滚轮且具有一开口，致使相应的该多个检测光穿透相应的该多个电光调制装置由相应的该多个取像系统接收。
17.如权利要求7、8、10或12所述的基板电性的测量设备，其中该多个检测滚轮的至少一组是透明的检测滚轮，致使该多个检测光穿透该多个电光调制装置由相应的该多个取像系统接收。
18.如权利要求7、8、10或12所述的基板电性的测量设备，其中该多个检测滚轮的至少一组是不透明的检测滚轮且具有一开口，致使该多个检测光穿透该多个电光调制装置由相应的该多个取像系统接收。
全文摘要
本发明公开一种基板电性的测量设备。上述基板电性的测量设备包括一第一电光调制装置，设置于一第一检测滚轮外围。一待测基板，传输于多个传动滚轮之间，并与该第一电光调制装置接触。一电压供应装置，提供一电压差于该电光调制装置与该待测基板之间，以及一第一取像系统，接收由该待测基板的一第一面反射的一第一检测光。
文档编号G01R31/02GK102411099SQ20101029249
公开日2012年4月11日 申请日期2010年9月25日 优先权日2010年9月25日
发明者刘定坤, 王浩伟, 詹智翔, 邹永桐 申请人:财团法人工业技术研究院