一种中子探测器硼膜阴极及其制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种中子探测器硼膜阴极及其制备方法。中子探测器硼膜阴极，是一种具有良好电学性能和中子灵敏性能的探测器阴极。阴极采用导电金属Al基体，阴极表面覆有中子灵敏薄膜，中子灵敏薄膜的原料组分包括：100份硼粉、15-25份7-12份固化剂和30-40份有机溶剂，所述份数为质量份数。本发明一种中子探测器硼膜阴极，制备简单、成本低廉，附着力高、均匀性好，所得探测器的探测效率高。
【专利说明】一种中子探测器硼膜阴极及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种中子探测器硼膜阴极及其制备方法。
【背景技术】
[0002]中子的探测在和探测技术中占有特殊地位，它比带电粒子或Y射线的探测要困难得多，主要通过它与原子核相互作用产生带电粒子或者Y光子来实现。近年来涂硼气体探测器相比充3He或BF3探测器优势凸现，逐渐成为一种主要中子探测工具。定量涂硼阴极技术是制作涂硼气体探测器的重中之重，关系到探测器性能参数的确定及其使用环境的选择。
[0003]因涂硼探测器发展起步较晚，国内外有关定量涂硼阴极技术的报道甚少，且现有技术中的阴极硼膜存在附着力差、均匀性差，从而影响探测器的探测效率。

【发明内容】

[0004]本发明新提供了一种中子探测器硼膜阴极及其制备方法。
[0005]为解决上述技术问题，本实发明采用如下技术方案:
[0006]一种中子探测器硼膜阴极，阴极表面覆有中子灵敏薄膜，中子灵敏薄膜的原料组分包括:100份硼粉、15-25份
【权利要求】
1.一种中子探测器硼膜阴极，其特征在于:阴极表面覆有中子灵敏薄膜，中子灵敏薄膜的原料组分包括:100份硼粉、15-25份
2.如权利要求1所述的中子探测器硼膜阴极，其特征在于:原料组分还包括3-5份增韧剂，所述份数为质量份数。
3.如权利要求1或2所述的中子探测器硼膜阴极，其特征在于:原料组分还包括6-8份HO-[-CH2-NH-CO-NH-CH2-O] n-H、1-2 份(COOH)2 和 8-1 份 C6H6O,所述份数为质量份数。
4.如权利要求1或2所述的中子探测器硼膜阴极，其特征在于:原料组分还包括3-4份
5.如权利要求1或2所述的中子探测器硼膜阴极，其特征在于:
6.如权利要求1或2所述的中子探测器硼膜阴极，其特征在于:硼粉中BlO丰度不小于 90%。
7.如权利要求1或2所述的中子探测器硼膜阴极，其特征在于:固化剂为聚醚胺固化剂和酚醛胺类固化剂质量比为1.1-1.3的混合物。
8.如权利要求1或2所述的中子探测器硼膜阴极，其特征在于:有机溶剂为四氢呋喃、富马酸二甲酯、二甲基亚砜或丙酮；硼膜的厚度为2.5-3.5um。
9.权利要求1-8任意一项所述的中子探测器硼膜阴极的制备方法，其特征在于:包括顺序相接的如下步骤: A、阴极处理:将阴极打磨、抛光、清洗、烘干； B、将除硼粉以外的原料组分混匀，得涂布液； C、将阴极上均匀涂布一层涂布液后，均匀喷洒硼粉，然后再上一层涂布液； D、将步骤C所得在92-96°C保温2-2.5小时，即得。
10.包含权利要求1-8任意一项所述的中子探测器硼膜阴极的中子探测器，其特征在于:工作气体为90% Ar与10% CH4的混合物。
【文档编号】G01T3/00GK103995280SQ201410197126
【公开日】2014年8月20日 申请日期:2014年5月9日 优先权日:2014年5月9日
【发明者】魏志勇, 陈国云, 朱立, 方美华, 张紫霞, 雷胜杰 申请人:南京航空航天大学