专利名称：电缆屏蔽性能的测试系统的制作方法
技术领域：
电缆屏蔽性能的测试系统技术领域[0001]本发明涉及一种用于屏蔽电缆的屏蔽性能的测试系统，能够测试在范围为 IOkHz 18GHz的频率下电缆的屏蔽性能。[0002]背景技术[0003]随着电子设备高频化、集成化、智能化、微型化、高功率化的发展，以及3G网络、高 速处理器的发展，设备间的互连电缆作为有效的电磁干扰发射天线和接收天线，不可避免 造成了电子设备的电磁辐射和电磁耦合，引起了大量的电磁干扰问题。为了解决电缆的电 磁辐射及耦合，大量的屏蔽电缆用于信号的屏蔽。[0004]对于屏蔽电缆屏蔽性能的表征，目前有以下两种表征方式，一种是通过转移阻抗 间接表征屏蔽性能，转移阻抗越小屏蔽性能越好，转移阻抗定义为单位长度屏蔽层与芯线 的开路电压与流经屏蔽层电流的比值；另一种是直接表征方式，即屏蔽性能，屏蔽性能定义 为电缆有无屏蔽层时所能辐射或接收的场强或功率比值。[0005]转移阻抗的测量主要基于电路的测量，目前主要有以下三种方式，三同轴法、线注 入法、吸收钳法，其主要思想是构建两个测量回路，内回路及外回路，通过测量内，外回路的 电参数值，从而得到芯线与屏蔽层的开路电压和屏蔽层电流，通过计算得到转移阻抗。由于 是基于电路的原理，其测量频率范围只能在几百MHz以内。下面以三同轴法为例描述转移 阻抗的测量机理，三同轴法频率范围为IOkHz 100MHz。试验装置具有三同轴结构，如

图1 所示，被测屏蔽电缆构成馈电外同轴系统的内导体，同时又是内同轴系统的外导体。其主要 测量步骤是，在外同轴体的芯线及外同轴体的屏蔽层注入交变信号U1，由U1和终端电阻R1 求得外同轴体芯线(即内同轴体屏蔽层)的电流I1，再测量内同轴体屏蔽层与内同轴体芯线的电压U2, I为电缆的有效测量长度，则&即为该屏蔽层的转移阻抗。[0006]屏蔽性能的测量主要是基于场的测量原理，目前主要有混响室法，混响室是IEC 规定的标准试验室，主要用于电子产品电磁敏感度测量，混响室实际上就是装有搅拌器的 工作于过模状态的屏蔽小室。通过转动搅拌器，改变场的边界条件，从而改变各模式的能量 分布，在混响室整个测试区域形成统计均匀各向同性的场分布。混响室法的测量布置如图 2所示，它的测量原理是信号源通过发射天线输出，搅拌器进行搅拌，通过干扰接收机分别 测量参考天线以及被测电缆接收的功率值，两功率值之比为其屏蔽性能，通过参考天线来 表征无屏蔽层时所能接收的场强值。混响室测试的最低频率受混响室结构尺寸的影响，混 响室越大，最低工作频率可越低，如体积为17立方米混响室的最低工作频率为300MHz，而 1360立方米的最低工作频率为30MHz。[0007]表I为四种常见测试方法的比较列表，从表中可知，上述的4种测试方法由于受测 试工装、测试仪器、测试场地的影响均无法满足测量屏蔽电缆从低频到高频的屏蔽性能。[0008]表I测试方法比较[0009]
权利要求1.一种电缆屏蔽性能的测试系统，包括测试桌；接地金属板，放置在所述测试桌上；两个屏蔽箱体，放置在所述接地金属板上，被测电缆连接在所述两个屏蔽箱体之间；信号源，用于向所述被测电缆输入交变信号；天线，用于接收所述被测电缆的辐射信号；信号分析装置，用于对所述天线接收的所述辐射信号进行分析，得到所述被测电缆的场强。
2.如权利要求1所述的电缆屏蔽性能的测试系统，进一步包括信号输入电缆和信号输出电缆，所述信号输入电缆的一端电连接到所述信号源，另一端在所述两个屏蔽箱体中的一个屏蔽箱体中电连接到所述被测电缆的一端；所述信号输出电缆的一端电连接到所述天线，所述信号输出电缆的另一端电连接到所述信号分析装置。
3.如权利要求2所述的电缆屏蔽性能的测试系统，进一步包括电阻，该电阻位于所述两个屏蔽箱体中的另一个屏蔽箱体中，与所述被测电缆的另一端电连接。
4.如权利要求3所述的电缆屏蔽性能的测试系统，进一步包括套在所述信号输入电缆上的金属管和套在所述信号输出电缆上的金属管。
5.如权利要求1所述的电缆屏蔽性能的测试系统，其中所述两个屏蔽箱体中灌满导电金属颗粒。
6.如权利要求5所述的电缆屏蔽性能的测试系统，其中所述导电金属颗粒的直径为 Imm 2mm。
专利摘要本实用新型涉及一种电缆屏蔽性能的测试系统。测试电缆的屏蔽性能的系统包括测试桌；接地金属板，放置在所述测试桌上；两个屏蔽箱体，放置在所述接地金属板上，被测电缆连接在所述两个屏蔽箱体之间；信号源，用于向所述被测电缆输入交变信号；天线，用于接收所述被测电缆的辐射信号；信号分析装置，用于对所述天线接收的所述辐射信号进行分析，得到所述被测电缆的场强。
文档编号G01R31/00GK202837416SQ20122032998
公开日2013年3月27日 申请日期2012年7月10日 优先权日2012年7月10日
发明者王添文, 李子森, 丁永平, 周成龙, 郭艳辉, 党丽, 杨宝山 申请人:中国兵器工业新技术推广研究所