专利名称：金属氧化物半导体场效应管参数测试盒的制作方法
技术领域：
金属氧化物半导体场效应管参数测试盒
技术领域：
本实用新型涉及一种测试装置，尤其涉及一种金属氧化物半导体场效应管参数测
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背景技术：
在使用图示仪测量和观察金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的特性曲线时， 要进行同一个MOSFET的不同测试参数的测试，包括Vth(阈值电压)、Ves(栅源电压)、 BVds (漏源间反向击穿电压)、Vfsd (源漏极正向压降)、Rds (漏源电阻)。在切换不同的测试参数时，需要在图示仪的信号端接口改变大量接线插口，测试工作效率很低，接线工作量大，且容易接错线。

实用新型内容基于此，有必要提供一种操作简单、能够在各个参数的测试之间快速切换的金属氧化物半导体场效应管参数测试盒。一种金属氧化物半导体场效应管参数测试盒，包括拨档开关和继电器模组；所述继电器模组包括多个继电器，每个继电器与一个测试参数匹配，每个继电器的触点的一端按照匹配的所述测试参数的接线要求连接图示仪的信号端接口的一个接口或测试针的接线端的一个接口，触点的另一端连接图示仪的信号端接口的一个接口或测试针的接线端的一个接口 ；每个继电器的线圈的一端用于连接电源，线圈的另一端供所述拨档开关选择连接；所述拨档开关一端接地，所述拨档开关的另一端用于通过选择连接多个继电器中的其中一个继电器的线圈的另一端而选择所述测试参数。优选的，所述测试参数是阈值电压，所述继电器模组包括第一继电器，所述第一继电器的第一常开触点两端分别连接图示仪的信号端接口的C 口及测试针的接线端的D 口， 所述第一继电器的第二常开触点两端分别连接测试针的接线端的G 口及D 口，所述第一继电器的第三常开触点两端分别连接图示仪的信号端接口的E 口及测试针的接线端的S 口。优选的，所述测试参数是漏源间反向击穿电压，所述继电器模组包括第二继电器， 所述第二继电器的第一常开触点两端分别连接图示仪的信号端接口的C 口及测试针的接线端的D 口，所述第二继电器的第二常开触点两端分别连接测试针的接线端的G 口及S 口， 所述第二继电器的第三常开触点两端分别连接图示仪的信号端接口的E 口及测试针的接线端的S 口。优选的，所述测试参数是栅源电压，所述继电器模组包括第三继电器，所述第三继电器的第一常开触点两端分别连接图示仪的信号端接口的C 口及测试针的接线端的G 口， 所述第三继电器的第二常开触点两端分别连接图示仪的信号端接口的E 口及测试针的接线端的S 口。优选的，所述测试参数是源漏极正向压降，所述继电器模组包括第四继电器，所述第四继电器的第一常开触点两端分别连接图示仪的信号端接口的C 口及测试针的接线端的S 口，所述第四继电器的第二常开触点两端分别连接图示仪的信号端接口的E 口及测试针的接线端的D 口，所述第四继电器的第三常开触点两端分别连接图示仪的信号端接口的 C' 口及测试针的接线端的S' 口，所述第四继电器的第四常开触点两端分别连接图示仪的信号端接口的E' 口及测试针的接线端的D' 口。优选的，所述测试参数是漏源电阻，所述继电器模组包括第五继电器和第六继电器，所述第五继电器的第一常开触点两端分别连接图示仪的信号端接口的C 口及测试针的接线端的D 口，所述第五继电器的第二常开触点两端分别连接图示仪的信号端接口的B 口及测试针的接线端的G 口，所述第五继电器的第三常开触点两端分别连接图示仪的信号端接口的E 口及测试针的接线端的S 口，所述第六继电器的第一常开触点两端分别连接图示仪的信号端接口的C' 口及测试针的接线端的D' 口，所述第六继电器的第二常开触点两端分别连接图示仪的信号端接口的E' 口及测试针的接线端的S' 口。上述金属氧化物半导体场效应管参数测试盒，采用拨档开关和继电器配合使用的方式，操作简单、能够在各个参数的测试之间快速切换(通过旋转拨档开关实现切换)。设备制作成本低，能通过大电流、实现大功率产品的测试。

图1是图示仪的信号端接口的示意图；图2是测试MOSFET的测试针的接线端的示意图；图3是一实施例中金属氧化物半导体场效应管参数测试盒的连接结构示意图；图4是另一实施例中金属氧化物半导体场效应管参数测试盒的连接结构示意图；图5是第一继电器Kl的电路连接示意图。
具体实施方式为使本实用新型的目的、特征和优点能够更为明显易懂，
以下结合附图对本实用新型的具体实施方式
做详细的说明。图1是图示仪的信号端接口的示意图，图示仪的信号端接口包括C(集电极)口、 B(基极)口、E(发射极)口 C' 口以及E' 口。图2是测试MOSFET的测试针的接线端的示意图，测试针的接线端(即成品管插口)包括D(漏极)口、G(栅极)口、S(源极)口、D' 口以及S' 口。在测试中采用开尔文接法(Kelvin connections)，接口带“‘”(例如C') 表示采用开尔文接法时一极的两根测试线中的第二根，作用是抵消测试线阻和接触电阻。 图示仪可以采用QT-2，TEK-370B等型号。图3是一实施例中金属氧化物半导体场效应管参数测试盒的连接结构示意图，金属氧化物半导体场效应管参数测试盒100包括拨档开关和继电器模组。继电器模组包括多个继电器，每个继电器与一个测试参数匹配，每个继电器的一个触点的两端按照测试参数的接线要求分别连接图示仪的信号端接口的一个接口及测试针的接线端的一个接口(或者连接测试针的接线端的两个不同接口)，每个继电器的线圈一端用于连接电源，另一端供拨档开关选择连接。拨档开关一端接地，拨档开关的另一端用于通过选择连接线圈的一端而选择测试参数。以需要测试Vth (阈值电压)、BVds (漏源间反向击穿电压)、Vcs (栅源电压)、Vfsd (源漏极正向压降)、Rds (漏源电阻)这五个参数为例，接线要求如下
权利要求1.一种金属氧化物半导体场效应管参数测试盒，其特征在于，包括拨档开关和继电器模组；所述继电器模组包括多个继电器，每个继电器与一个测试参数匹配，每个继电器的触点的一端按照匹配的所述测试参数的接线要求连接图示仪的信号端接口的一个接口或测试针的接线端的一个接口，触点的另一端连接图示仪的信号端接口的一个接口或测试针的接线端的一个接口 ；每个继电器的线圈的一端用于连接电源，线圈的另一端供所述拨档开关选择连接；所述拨档开关一端接地，所述拨档开关的另一端用于通过选择连接多个继电器中的其中一个继电器的线圈的另一端而选择所述测试参数。
2.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应管参数测试盒，其特征在于，所述测试参数是阈值电压，所述继电器模组包括第一继电器，所述第一继电器的第一常开触点两端分别连接图示仪的信号端接口的C 口及测试针的接线端的D 口，所述第一继电器的第二常开触点两端分别连接测试针的接线端的G 口及D 口，所述第一继电器的第三常开触点两端分别连接图示仪的信号端接口的E 口及测试针的接线端的S 口。
3.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应管参数测试盒，其特征在于，所述测试参数是漏源间反向击穿电压，所述继电器模组包括第二继电器，所述第二继电器的第一常开触点两端分别连接图示仪的信号端接口的C 口及测试针的接线端的D 口，所述第二继电器的第二常开触点两端分别连接测试针的接线端的G 口及S 口，所述第二继电器的第三常开触点两端分别连接图示仪的信号端接口的E 口及测试针的接线端的S 口。
4.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应管参数测试盒，其特征在于，所述测试参数是栅源电压，所述继电器模组包括第三继电器，所述第三继电器的第一常开触点两端分别连接图示仪的信号端接口的C 口及测试针的接线端的G 口，所述第三继电器的第二常开触点两端分别连接图示仪的信号端接口的E 口及测试针的接线端的S 口。
5.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应管参数测试盒，其特征在于，所述测试参数是源漏极正向压降，所述继电器模组包括第四继电器，所述第四继电器的第一常开触点两端分别连接图示仪的信号端接口的C 口及测试针的接线端的S 口，所述第四继电器的第二常开触点两端分别连接图示仪的信号端接口的E 口及测试针的接线端的D 口，所述第四继电器的第三常开触点两端分别连接图示仪的信号端接口的C' 口及测试针的接线端的S' 口，所述第四继电器的第四常开触点两端分别连接图示仪的信号端接口的E' 口及测试针的接线端的D' 口。
6.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应管参数测试盒，其特征在于，所述测试参数是漏源电阻，所述继电器模组包括第五继电器和第六继电器，所述第五继电器的第一常开触点两端分别连接图示仪的信号端接口的C 口及测试针的接线端的D 口，所述第五继电器的第二常开触点两端分别连接图示仪的信号端接口的B 口及测试针的接线端的G 口，所述第五继电器的第三常开触点两端分别连接图示仪的信号端接口的E 口及测试针的接线端的S 口，所述第六继电器的第一常开触点两端分别连接图示仪的信号端接口的C' 口及测试针的接线端的D' 口，所述第六继电器的第二常开触点两端分别连接图示仪的信号端接口的E' 口及测试针的接线端的S' 口。
专利摘要本实用新型涉及一种金属氧化物半导体场效应管参数测试盒，包括拨档开关和多个继电器，每个继电器与一个测试参数匹配，每个继电器的触点一端按照匹配的测试参数的接线要求连接图示仪信号端接口的一个接口或测试针接线端的一个接口，触点另一端连接图示仪信号端接口的一个接口或测试针接线端的一个接口；每个继电器的线圈的一端用于连接电源，线圈的另一端供拨档开关选择连接；拨档开关一端接地，拨档开关的另一端用于通过选择连接多个继电器中的其中一个继电器的线圈的另一端而选择测试参数。本实用新型采用拨档开关和继电器配合使用的方式，操作简单、能够在各个参数的测试之间快速切换。设备制作成本低，能通过大电流、实现大功率产品的测试。
文档编号G01R31/26GK202256597SQ201120319249
公开日2012年5月30日 申请日期2011年8月29日 优先权日2011年8月29日
发明者鲁世轩 申请人:深圳深爱半导体股份有限公司