专利名称：一种高精度角位移传感器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种角位移传感器结构。
背景技术：
角位移传感器的原理是通过磁钢的转动导致磁场的变化，通过霍尔元件感应磁场的变化，得到相应的磁通变化信号，将磁通信号发送给集成芯片，进而由集成芯片计算角位移的量。由于磁通的变化是连续的，所以在霍尔元件感受磁通变化的时候也都是连续的，需要通过集成芯片计算磁通变化的幅度，所以较为复杂，对集成芯片要求比较高，并且结果存
在误差率。

实用新型内容本实用新型的目的是提供一种高精度角位移传感器，解决传感器的磁钢的磁场连续变化导致的集成芯片复杂计算的问题。本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现:一种高精度角位移传感器，包括壳体和位于壳体内部的磁钢、霍尔元件，所述磁钢设在壳体的中心，霍尔元件设在磁钢旋转而使磁场覆盖的区域内，还包括屏蔽罩和磁集束器，所述屏蔽罩设在磁钢的外部，磁集束器设在屏蔽罩的外部，所述屏蔽罩设有缺口，并且所述缺口设在霍尔元件、磁钢之间，所述磁集束器至少覆盖所述缺口的外侧。由于采用了屏蔽罩，可以将磁钢的磁场进行有效的屏蔽，只能在磁钢的磁场正向通过屏蔽罩的缺口时，霍尔元件才能有效感应到磁场的磁通变化，而通过磁集束器可以将磁钢的磁场信号变得更加明显，这样就可以使集成芯片不用做太多的复杂计算即可得到角位移数据。

下面根据附图和实施例对本实用新型作进一步详细说明。图1是本实用新型实施例所述的高精度角位移传感器的结构图。
具体实施方式
如图1所示，本实用新型实施例所述的高精度角位移传感器，包括壳体I和位于壳体I内部的磁钢2、霍尔元件3，所述磁钢2设在壳体I的中心，霍尔元件3设在磁钢2旋转而使磁场覆盖的区域内，还包括屏蔽罩4和磁集束器5，所述屏蔽罩4设在磁钢2的外部，磁集束器5设在屏蔽罩4的外部，所述屏蔽罩4设有缺口 6，并且所述缺口 6设在霍尔元件3、磁钢2之间，所述磁集束器5至少覆盖所述缺口 6的外侧。由于采用了屏蔽罩，可以将磁钢的磁场进行有效的屏蔽，只能在磁钢的磁场正向通过屏蔽罩的缺口时，霍尔元件才能有效感应到磁场的磁通变化,而通过磁集束器可以将磁钢的磁场信号变得更加明显，这样就可以使集成芯片不用做太多的复杂计算即可得到角位移数据。
权利要求1.一种高精度角位移传感器，包括壳体和位于壳体内部的磁钢、霍尔兀件，所述磁钢设在壳体的中心，霍尔元件设在磁钢旋转而使磁场覆盖的区域内，其特征在于，还包括屏蔽罩和磁集束器，所述屏蔽罩设在磁钢的外部，磁集束器设在屏蔽罩的外部，所述屏蔽罩设有缺口，并且所述缺口设在霍尔元件、磁钢之间，所述磁集束器至少覆盖所述缺口的外侧。
专利摘要本实用新型公开一种高精度角位移传感器，包括壳体和位于壳体内部的磁钢、霍尔元件，所述磁钢设在壳体的中心，霍尔元件设在磁钢旋转而使磁场覆盖的区域内，还包括屏蔽罩和磁集束器，所述屏蔽罩设在磁钢的外部，磁集束器设在屏蔽罩的外部，所述屏蔽罩设有缺口，并且所述缺口设在霍尔元件、磁钢之间，所述磁集束器至少覆盖所述缺口的外侧。由于采用了屏蔽罩，可以将磁钢的磁场进行有效的屏蔽，只能在磁钢的磁场正向通过屏蔽罩的缺口时，霍尔元件才能有效感应到磁场的磁通变化，而通过磁集束器可以将磁钢的磁场信号变得更加明显，这样就可以使集成芯片不用做太多的复杂计算即可得到角位移数据。
文档编号G01B7/30GK202947683SQ20122067352
公开日2013年5月22日 申请日期2012年12月10日 优先权日2012年12月10日
发明者阮在连 申请人:扬州瑞毅汽车电子科技有限公司