专利名称：利用半导体阵列测量中子剂量当量的方法
CN 102540241 A
权利要求
1.一种利用半导体阵列测量中子剂量当量的方法，该方法包括(1)将多个表面涂硼的半导体探测器设置于电路板上，组成一维阵列，再将此一维阵列置于金属管中，构成半导体阵列管；(2)将三根半导体阵列管按两两垂直的方式插入慢化体中；(3)根据粒子的输运理论得到中子入射前的能量；将各个探测器获得的中子入射前的能量合并得到中子的能谱；(4)将每个半导体探测器测量的计数经转化后得到中子注量；将中子注量值乘以相应能量的注量剂量转换系数，得到需要的中子辐射场剂量当量。
2.如权利要求1所述的利用半导体阵列测量中子剂量当量的方法，其特征在于步骤 (3)中，通过如下公式计算中子入射前的能量
3.如权利要求1或2所述的利用半导体阵列测量中子剂量当量的方法，其特征在于 步骤中，半导体探测器的计数和中子注量的关系如下
4.如权利要求1所述的利用半导体阵列测量中子剂量当量的方法，其特征在于步骤(1)中所述的金属管为不锈钢管或铜管或钢管。
5.如权利要求1所述的利用半导体阵列测量中子剂量当量的方法，其特征在于步骤(2)中所述的慢化体为聚乙烯慢化体。
6.如权利要求5所述的利用半导体阵列测量中子剂量当量的方法，其特征在于所述的聚乙烯慢化体为球形或圆柱形。
全文摘要
本发明涉及一种中子剂量当量的测量方法，具体涉及一种利用半导体阵列测量中子剂量当量的方法。该方法将三根半导体阵列管按三维坐标轴的方式插入聚乙烯慢化体中，所有半导体探测器的计数之和就是入射中子的注量；由于每个半导体探测器的慢化距离都不相同，因此可以反推得到入射中子的能谱；结合注量和能谱，经计算就可得到中子的剂量当量。本发明测量结果的不确定度远小于巡测型仪表；同时，由于采用三根半导体阵列管的结构，所以又保留了巡测型仪表重量轻、体积小的优点。
文档编号G01T3/08GK102540241SQ201010609100
公开日2012年7月4日 申请日期2010年12月17日 优先权日2010年12月17日
发明者刘倍, 刘建忠, 刘惠英, 周彦坤, 姚小丽, 徐园, 杨亚鹏, 王勇, 王晓东, 陈法国, 靳根 申请人:中国辐射防护研究院