专利名称：一种用⁶⁰Coγ射线开展位移损伤试验的装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用6ciCOY射线开展位移损伤试验的装置，属于空间应用技术领 域。
背景技术：
电子器件和光电器件容易受到空间辐射环境的影响，因此在航天器设计中选择器 件时必须考虑辐射效应的影响，以保证其在空间辐射环境中完成预定的功能.新型光电器 件和电子器件在空间环境中应用，位移损伤成为决定器件抗辐射能力的主要因素，位移损 伤效应引起了国际航天机构广泛的重视，近年来多种新型器件空间应用位移损伤成为考核
^^点ο6tlCo产生的γ射线在空间环境效应研究及评价中可以用来开展位移损伤模拟试 验，目前用6°Co产生的γ射线开展位移损伤模拟试验研究采用样品直接暴露在Y射线场 中，这种方法的缺陷是位移损伤剂量沉积随距离入射表面距离增大而增加，位移损伤剂量 沉积不均勻，会造成模拟试验误差。

发明内容
针对现有技术中6tlCo产生的Y射线开展位移损伤模拟试验研究采用样品直接暴 露在Y射线场中，位移损伤剂量沉积随距离入射表面距离增大而增加，位移损伤剂量沉积 不均勻，会造成模拟试验误差的缺陷，本发明的目的是提供一种用6tlCoY射线开展位移损 伤试验的装置，适用于空间器件地面模拟实验中的位移损伤试验。具体技术方案如下一种用6°C0Y射线开展位移损伤试验的装置，所述装置为铝屏蔽层，所述铝屏蔽 层放置在6tlCo Y射线辐照源与辐照样品之间，6tlCoY射线辐照源发射出的6tlCoY射线经过 屏蔽层后到达辐照样品，屏蔽层的厚度为15 120mm。优选铝屏蔽层将辐照样品封闭包围，其中正对6tlCo Y射线辐照源的铝屏蔽层一面 的厚度为15 120mm。所述装置的工作过程如下首先对辐射场进行剂量标定，方法如下将剂量计放入所述装置内，将装置放入 到6tlCo Y射线场中某一位置进行辐照，剂量计辐照到其剂量测试范围后取出剂量计测试， 然后根据剂量除以辐照时间得到该位置剂量率，改变不同位置，得到辐射场中不同位置的 剂量率；当对样品进行某一特定辐照剂量(如lkMeV/g的剂量辐照)的特定剂量率(如 lkMeV/g · h的剂量辐照)的辐照实验时，根据剂量标定结果在辐射场中找到要测试的剂量 率(如lkMeV/g*h)的位置，将样品放入所述装置，辐照一定时间(时间等于辐照剂量除以 剂量率)后取出样品，样品即完成了规定的辐照。有益效果本发明所述铝屏蔽层使6tlCo Y射线在受辐照样品中产生均勻位移损伤剂量沉积，相比样品直接暴露在6°Co γ射线辐照场，克服了由于位移损伤在材料表面随入射深度急剧 变化造成的误差。


图1为6tlCo γ射线经过不同厚度铝屏蔽层后位移损伤沉积曲线。
具体实施例方式下面结合附图对本发明的优选实施方式作进一步详细说明。实施例1一种用6ciCoy射线开展位移损伤试验的装置，所述装置为铝盒，铝盒各个面的铝 层厚度为15mm，样品硅放置在铝盒中，6tlCo γ射线辐照源发射出的6tlCo Y射线为1个光子 /cm2，将上述条件通过MULASSIS辐射仿真软件计算得到仿真结果如表1所示，由结果可知 平均值偏差小于19%，说明位移损伤剂量在样品的深度方向沉积偏差小于19%，说明使用 所述装置后使6°Co γ射线在受辐照样品中产生的位移损伤剂量沉积均勻。表 权利要求
1.一种用6°Co Y射线开展位移损伤试验的装置，其特征在于所述装置为铝屏蔽层，所 述铝屏蔽层放置在6°Co γ射线辐照源与辐照样品之间，6tlCo Y射线辐照源发射出的6tlCo Y 射线经过屏蔽层后到达辐照样品，屏蔽层的厚度为15 120mm。
2.根据权利要求1所述的一种用6tlCoY射线开展位移损伤试验的装置，其特征在于 优选铝屏蔽层将辐照样品封闭包围，其中正对6°Co γ射线辐照源的铝屏蔽层一面的厚度为 15 120mm。
3.根据权利要求1所述的一种用6°CoY射线开展位移损伤试验的装置的试验方法，其 特征在于首先对辐射场进行剂量标定，方法如下将剂量计放入所述装置内，将装置放入到 60Co γ射线场中某一位置进行辐照，剂量计辐照到其剂量测试范围后取出剂量计测试，然后 根据剂量除以辐照时间得到该位置剂量率，改变不同位置，得到辐射场中不同位置的剂量 率；当对样品进行某一特定辐照剂量的特定剂量率的辐照实验时，根据剂量标定结果在辐 射场中找到要测定的剂量率的位置，将样品放入所述装置，辐照一定时间，所述时间等于辐 照剂量除以剂量率后取出样品，样品即完成了规定的辐照。
全文摘要
本发明涉及一种用60Coγ射线开展位移损伤试验的装置，属于空间应用技术领域。所述装置为铝屏蔽层，所述铝屏蔽层放置在60Coγ射线辐照源与辐照样品之间，60Coγ射线辐照源发射出的60Coγ射线经过屏蔽层后到达辐照样品，屏蔽层的厚度为15～120mm；优选铝屏蔽层将辐照样品封闭包围，其中正对60Coγ射线辐照源的铝屏蔽层一面的厚度为15～120mm。本发明所述铝屏蔽层使60Coγ射线在受辐照样品中产生均匀位移损伤剂量沉积，相比样品直接暴露在60Coγ射线辐照场，克服了由于位移损伤在材料表面随入射深度急剧变化造成的误差。
文档编号G01R31/00GK102147437SQ20101061788
公开日2011年8月10日 申请日期2010年12月31日 优先权日2010年12月31日
发明者冯展祖, 曹家玮, 李存惠, 王云飞, 田海, 高欣 申请人:中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所