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一种led芯片加速寿命试验装置的制作方法

时间:2025-06-03    作者: 管理员

专利名称:一种led芯片加速寿命试验装置的制作方法
技术领域
本实用新型涉及发光二极管芯片的可靠性测试装置,尤其是一种LED芯片加速寿 命试验装置。
背景技术
随着发光二极管(LED)制造工艺的迅猛发展,LED已在诸多领域有着广泛应用。由 于LED的能耗低、寿命长,并且随着LED芯片的亮度的提高,LED灯具取代传统光源进入照明 领域是大势所趋,因此对LED芯片的工作寿命测试,对于LED的应用产品意义十分重大;LED 芯片超长的工作寿命不可能通过正常应力对LED芯片寿命进行预测,即利用高应力下的寿 命特征去外推正常应力下的寿命。目前由于芯片是裸露的,在试验过程中,环境的化学、物 理作用会影响试验结果,而采用封装后试验,又不能完全体现芯片在正常应力下的寿命,故 不能推算芯片寿命。目前学术界也有采用氮气作为LED芯片寿命测试的试验介质,其缺点 是①对空气的氧分子难以完全彻底隔离;②试验成本高;③实验热应力控制精度相对较 低。

实用新型内容为解决上述LED芯片寿命测试所存在的问题,本实用新型旨在提出一种LED芯片 加速寿命试验装置。本实用新型解决上述问题采用的技术方案是一种LED芯片加速寿命试验装置, 其特征在于其包括一可灌装试验环境液体的容器,容器中设有可监测液体温度的温度传 感器,可用于控制液体加热温度的温度控制器连接温度传感器;一老化架容置于容器中,老 化架上设有若干与电源排线电连接的试验工位;可用于固定并电连接LED芯片的试验基板 与试验工位插接电联,老化架及LED芯片浸没于试验环境液体的液面下。通过把裸露的LED芯片在试验环境液体中通电点亮,并对液体进行温度控制,即 可在试验中测试LED芯片受到的热、电和机械应力,这种试验的优点如下①将试验LED芯 片浸入液体,提供稳定的试验环境,避免裸露的LED芯片在试验过程中,受到自然环境中的 化学、物理作用影响而造成试验结果偏差;②采用液体作为试验介质,使试验LED芯片样品 在试验过程中所受到的热、电和机械应力与裸露的LED芯片状态相近;且化学环境中与封 装后的LED芯片的试验状态相近;③因LED芯片与液体全面接触,产生全方位的热交换,既 有液体分子之间的导热交换作用,又有液体本身的热对流交换作用,提高了试验热应力的 控制精度;④裸露的LED芯片在试验液体中测试,避免其在测试中受损。

图1为本实用新型的结构示意图。图2为本实用新型试验基板上固定电连接有LED芯片的结构示意图。图中1.容器;2.试验环境液体;3.温度传感器;4.温度控制器;5.老化架;6.电源排线电;7.试验工位;8.试验基板;9. LED芯片。
具体实施方式

以下结合附图和 实施例对本实用新型进一步说明。如图1所示的一种LED芯片9加速寿命试验装置,包括一可灌装试验环境液体2 的容器1,容器1中固定有可监测液体2温度的温度传感器3,可用于控制液体2加热温度 的温度控制器4连接温度传感器3 ;—老化架5放置于容器1中,老化架5上设有若干与电 源排线6电连接的试验工位7 ;如图2所示,LED芯片9裸露焊接固定于试验基板8上,然 后进行LED芯片9芯片样品光电参数的初始检测,再把固定前述连接有LED芯片9的试验 基板8与老化架5上的试验工位7插合电联接,试验环境液体2灌装入容器1中,使老化架 5及带LED芯片9的试验基板8完全浸没于试验环境液体2的液面下,LED芯片9与液体2 全面接触,按试验条件设定介质液体2温度和恒流通电,试验中测试LED芯片9受到的热、 电和机械应力,到达老化试验时间后,断电后从容器1中取出老化架5,从老化架5上拔出试 试验基板8,作非破坏性清洗作业去除LED芯片9上残留的试验环境液体2,即可进行老化 试验的终止检测而完成老化试验过程。
权利要求1. 一种LED芯片加速寿命试验装置,其特征在于其包括一灌装试验环境液体的容器,容器中设有可监测液体温度的温度传感器,可用于控制 液体加热温度的温度控制器连接温度传感器;一老化架容置于容器中,老化架上设有若干与电源排线电连接的试验工位; 可用于固定并电连接LED芯片的试验基板与试验工位插接电联,老化架及LED芯片浸 没于试验环境液体的液面下。
专利摘要一种LED芯片加速寿命试验装置,其包括一灌装试验环境液体的容器,容器中设有可监测液体温度的温度传感器,可用于控制液体加热温度的温度控制器连接温度传感器;老化架容置于容器中,老化架上设有若干与电源排线电连接的试验工位;可用于固定并电连接LED芯片的试验基板与试验工位插接电联,老化架及LED芯片浸没于试验环境液体的液面下;通过把裸露的LED芯片在试验环境液体中通电点亮,并对液体进行温度控制,即可进行LED芯片的老化试验;与传统的LED芯片的老化试验相比,本实用新型的老化实验效率更高,其老化测试结果与实际封装后的LED芯片的老化测试结果更为接近。
文档编号G01R31/28GK201859199SQ20102060833
公开日2011年6月8日 申请日期2010年11月16日 优先权日2010年11月16日
发明者梁奋, 蔡伟智 申请人:厦门市三安光电科技有限公司

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