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一种桥堆老化控制电路的制作方法

时间:2025-06-19    作者: 管理员

专利名称:一种桥堆老化控制电路的制作方法
技术领域
本实用新型属于电子器件技术领域,尤其涉及一种用于对桥堆进行老化的控制电路。
背景技术
电子器件的老化在高可靠性要求的电子设备经常遇到的问题,对于不同的电子器 件通常都有相应的老化电路。实践中,桥堆这种器件对老化电路的要求比较高,现有的控制 电路往往太过复杂,很难进行老化参数的调整,也就无法适应可变的老化过程要求。

实用新型内容本实用新型公开了一种桥堆老化控制电路,目的是解决现有桥堆老化电路过于复 杂,老化参数难于调整的问题。本实用新型的技术方案是,一种桥堆老化控制电路,进行老化的桥堆由二极管Da、 二极管Db、二极管Dc和二极管Dd组成,二极管Da与二极管Db正向老化电流采样模块通过 开关J2连到所述桥堆的第一输出端,二极管Dc与二极管Dd正向老化电流采样模块通过开 关J4连到所述桥堆的第二输出端,变压器输出线圈2B的一端通过开关Jl连到所述桥堆的 第一输入端,变压器输出线圈2B的另一端通过可控硅S2和可控硅S3分别连到所述二极管 Da与二极管Db正向老化电流采样模块和所述二极管Dc与二极管Dd正向老化电流采样模 块,变压器输出线圈IB的一端通过开关J3连到所述桥堆的第二输入端,变压器输出线圈IB 的另一端通过可控硅Sl和可控硅S4连到所述二极管Da与二极管Db正向老化电流采样模 块和所述二极管Dc与二极管Dd正向老化电流采样模块,可调直流电源一连入二极管Da与 二极管Db正向老化电流采样模块和二极管Da与二极管Db反向老化电流采样模块,可调直 流电源二连入二极管Dc与二极管Dd正向老化电流采样模块和二极管Dc与二极管Dd反向 老化电流采样模块,变压器B2的副边线圈3B、4B、5B和6B分别接可控硅Si、S2、S3和S4, 控制电路包含的PLC可编程控制器通过A/D模块对二极管Da与二极管Db正向老化电流采 样模块、二极管Da与二极管Db反向老化电流采样模块、二极管Dc与二极管Dd正向老化电 流采样模块和二极管Dc与二极管Dd反向老化电流采样模块进行数据采集,通过D/A模块 对可调直流电源一和可调直流电源二进行控制。本实用新型的桥堆控制电路设计简洁,电气控制部分采用PLC控制,配合触摸屏 人机界面,A/D、D/A转换模块及外围电子电路,组成了一个完整的控制系统。

图1是本实用新型的控制电路模块组成系统框图图2是本实用新型一实施例中控制电路原理图具体实施方式
如图1所示的系统框图,本实用新型的桥堆老化控制电路,进行老化的桥堆由二 极管Da、二极管Db、二极管Dc和二极管Dd组成,二极管Da与二极管Db正向老化电流采样 模块通过开关J2连到所述桥堆的第一输出端,二极管Dc与二极管Dd正向老化电流采样模 块通过开关J4连到所述桥堆的第二输出端,变压器输出线圈2B的一端通过开关Jl连到所 述桥堆的第一输入端,变压器输出线圈2B的另一端通过可控硅S2和可控硅S3分别连到所 述二极管Da与二极管Db正向老化电流采样模块和所述二极管Dc与二极管Dd正向老化电 流采样模块,变压器输出线圈IB的一端通过开关J3连到所述桥堆的第二输入端,变压器输 出线圈IB的另一端通过可控硅Sl和可控硅S4连到所述二极管Da与二极管Db正向老化 电流采样模块和所述二极管Dc与二极管Dd正向老化电流采样模块,可调直流电源一连入 二极管Da与二极管Db正向老化电流采样模块和二极管Da与二极管Db反向老化电流采样 模块,可调直流电源二连入二极管Dc与二极管Dd正向老化电流采样模块和二极管Dc与二 极管Dd反向老化电流采样模块,变压器B2的副边线圈3B、4B、5B和6B分别接可控硅Si、 S2、S3和S4,控制电路包含的PLC可编程控制器通过A/D模块对二极管Da与二极管Db正 向老化电流采样模块、二极管Da与二极管Db反向老化电流采样模块、二极管Dc与二极管 Dd正向老化电流采样模块和二极管Dc与二极管Dd反向老化电流采样模块进行数据采集, 通过D/A模块对可调直流电源一和可调直流电源二进行控制。现以正弦交流电正半周电路工作情况为例来说明系统工作原理。操作者在人机界 面上设定开始、桥堆型号、老化参数等。电路启动后,PLC控制常开继电器开关J1、J2、J3和 J4吸合使其由断变通,此时使并联工作的桥堆接入测试电路并开始工作。在正弦交流电正 半周,电源变压器B2的副边电压3B、4B分别使可控硅S1、S2正向得电而导通;由5B、6B的 同名端接法可知,可控硅S3、S4反向得电而断开。这时Db、Dc因正向偏置而导通并进行正 向老化。其待测定的正向老化电流值由采样电路取样后经A/D转换输入到PLC处理并显 示。与此同时,由PLC控制的高精度可调直流电源一通过触摸屏被输入设定在某个值上,并 加到Da、Dd两端对其进行反向电流老化。此时,由于可控硅S3、S4断开而高精度直流电源 二并不能作用到桥堆上。Da、Dd上反向电流由采样电路取样后经A/D转换输入到PLC处理, 显示出待测定的反向老化电流值。同理可知,在正弦交流电负半周,Da、Dd因正向偏置而导通并进行正向电流老化。 同时,由PLC控制的高精度可调直流电源二通过触摸屏被输入设定在某值上,并加到Db、Dc 两端对其进行反向电流老化。老化参数均经过A/D转换后输入到PLC处理并显示。图2提供了本实用新型技术方案一实施例。由图2可见,桥堆正向老化电流取决于回路中所加的电源变压器Bl的副边电压IB 和2B的大小及采样用电阻Rl和R2的值。如果也利用电源变压器Bl的副边电压对桥堆加 反向电压而进行反向电流老化,则不得不较大地提高副边电压的大小,而且该电压值是由 电源变压器唯一设定的。由0 2000V高精度的、可用PLC来调节的直流电压源提供桥堆 老化所需要的反向电压,就使得变压器Bl可以做得很小,既降低了生产成本又节能,同时 也提高了电源变压器的利用率。由于直流电压源中仅仅流过Da、Dd(或Db、Dc)中的反向电 流,因此电源功率也很小。电源变压器B2的副边电压3B和4B与5B和6B连接可控硅的控制端时,因接法不同使得它们两两导通和截止。此设计使得可以利用交流电正半周和负半周同时开启和断开 不同的可控硅,对桥堆进行正向电流老化和反向电流老化,同时对不同的老化参数采样并 输入到PLC进行处理,切实提高了产品老化效率。正向老化电流由电阻R1、R2采样,采样信号经过光电耦合器(⑶2203)转换成半波 模拟信号。图2中Rl的电流是安培级,RO中电流为毫安级,因为Rl << R0,所以RO中电 流可以忽略不计,这样,信号采样后的电量线性度不会受影响。另外,由于采样信号的值比 较大,不宜直接进行A/D转换。现在用光耦合方法可使大信号与后级隔离而不对后级产生 影响,提高了整个电路的安全性。当被检测的老化参数中出现偏离设定的标准值及误差值的情况时,PLC在自动巡 检中能及时判别出故障产品,该产品所在检测工位的继电器开关会自动在工作电路中断 开,并启动电路报警。操作人员能在显示屏上看到故障产品所在位置并及时处理,而其他桥 堆继续进行老化直到结束。
权利要求一种桥堆老化控制电路,进行老化的桥堆由二极管Da、二极管Db、二极管Dc和二极管Dd组成,其特征在于,包括二极管Da与二极管Db正向老化电流采样模块通过开关J2连到所述桥堆的第一输出端,二极管Dc与二极管Dd正向老化电流采样模块通过开关J4连到所述桥堆的第二输出端,变压器输出线圈2B的一端通过开关J1连到所述桥堆的第一输入端,变压器输出线圈2B的另一端通过可控硅S2和可控硅S3分别连到所述二极管Da与二极管Db正向老化电流采样模块和所述二极管Dc与二极管Dd正向老化电流采样模块,变压器输出线圈1B的一端通过开关J3连到所述桥堆的第二输入端,变压器输出线圈1B的另一端通过可控硅S1和可控硅S4连到所述二极管Da与二极管Db正向老化电流采样模块和所述二极管Dc与二极管Dd正向老化电流采样模块,可调直流电源一连入二极管Da与二极管Db正向老化电流采样模块和二极管Da与二极管Db反向老化电流采样模块,可调直流电源二连入二极管Dc与二极管Dd正向老化电流采样模块和二极管Dc与二极管Dd反向老化电流采样模块,变压器B2的副边线圈3B、4B、5B和6B分别接可控硅S1、S2、S3和S4,控制电路包含的PLC可编程控制器通过A/D模块对二极管Da与二极管Db正向老化电流采样模块、二极管Da与二极管Db反向老化电流采样模块、二极管Dc与二极管Dd正向老化电流采样模块和二极管Dc与二极管Dd反向老化电流采样模块进行数据采集,通过D/A模块对可调直流电源一和可调直流电源二进行控制。
专利摘要本实用新型公开了一种桥堆老化控制电路,可调直流电源一连入二极管Da与二极管Db正向老化电流采样模块和二极管Da与二极管Db反向老化电流采样模块,可调直流电源二连入二极管Dc与二极管Dd正向老化电流采样模块和二极管Dc与二极管Dd反向老化电流采样模块,控制电路包含的PLC可编程控制器通过A/D模块对二极管Da与二极管Db正向老化电流采样模块、二极管Da与二极管Db反向老化电流采样模块、二极管Dc与二极管Dd正向老化电流采样模块和二极管Dc与二极管Dd反向老化电流采样模块进行数据采集,通过D/A模块对可调直流电源一和可调直流电源二进行控制。
文档编号G01R31/00GK201654150SQ20102013801
公开日2010年11月24日 申请日期2010年3月22日 优先权日2010年3月22日
发明者卓郑安 申请人:上海工程技术大学

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