专利名称：一种放射性测厚仪的制作方法
技术领域：
本实用新型属于工业测量技术领域，尤其涉及一种放射性测厚仪。
背景技术：
测厚仪是一种用来测量物体厚度的仪表，其在工业生产中常用来连续测量产品的厚度，特别是在冶金领域的加工板带材的轧行业中，放射性测厚仪应用较为广泛。该放射性测厚仪是通过一探头测量穿过板带材的放射线，并将其转换成电压信号后，由微电流放大器放大输出。为此，有必要采用高精度的精确测量系统对放射线的信号进行采集和放大，以方便计算系统的计算和显示输出。然而，现有技术提供的放射性测厚仪一般采用慢变化的弱电流放大器，其输出噪声大、响应时间慢，导致放射性测厚仪的测量精度低、无法达到所需的测量技术要求。

实用新型内容本实用新型实施例的目的在于提供一种放射性测厚仪，以解决现有技术提供的放射性测厚仪采用慢变化的弱电流放大器，其输出噪声大、响应速度慢，导致放射性测厚仪的测量精度低的问题。本实用新型实施例是这样实现的，一种放射性测厚仪，包括显示单元、电离室、以及一数据处理单元，所述放射性测厚仪还包括一基于AM49的微电流放大器，所述微电流放大器连接所述电离室，所述数据处理单元连接在所述微电流放大器和所述显示单元之间。上述放射性测厚仪中，所述微电流放大器可以包括基于AM49的主放大电路，所述主放大电路的输入端连接所述电离室内，所述主放大电路的输出端连接所述数据处理单元；连接所述主放大电路的增益调节电路；以及连接所述主放大电路的调零电路。进一步地，所述主放大电路可以包括AD549放大器、电容Cl、电容C2、电容C3、电阻R3以及电阻R4 ；所述AD549放大器的反相输入端通过限流保护电阻R3连接所述电离室， 所述AD549放大器的同相输入端通过电阻R4接地，所述AD549放大器的的输出端连接所述数据处理单元，所述AD549放大器的负电源输入端通过电容C3接地，所述AD549放大器的两个偏置零点引脚均连接所述调零电路，所述AD549放大器的悬空引脚接地，所述AD549放大器的正电源输入端通过电容C2接地，所述AD549放大器的输出端同时通过电容Cl连接所述AD549放大器的反相输入端，所述AD549放大器的输出端同时连接所述增益调节电路。更进一步地，所述增益调节电路可以包括光耦芯片、电阻R1、电阻R2和变阻器 RVl ；变阻器RVl的一端连接所述AD549放大器的输出端，变阻器RVl的另一端通过电阻R2 接地，变阻器RVl的滑动触头通过电阻Rl连接所述光耦芯片的一输出引脚，所述光耦芯片的另一输出引脚连接电阻R3的与所述电离室连接的一端。更进一步低，所述调零电路可以包括电阻R5、电阻R6和变阻器RV2 ；电阻R5的一端连接所述AD549放大器的一偏置零点引脚，电阻R5的另一端顺次通过变阻器RV2和电阻 R6连接所述AD549放大器的另一偏置零点引脚，变阻器RV2的滑动触头连接所述AD549放大器的负电源输入端。本实用新型提供的放射性测厚仪采用了基于AM49的微电流放大器，由于AM49 本身是具有极低输入偏置电流的单片电路静电计型运算放大器，其输入偏置电压和输入偏置电压漂移均通过激光调节，可达到高精度的测量要求，从而避免了现有技术存在的测量精度低问题。

图1是现有技术提供的放射性测厚仪的原理图；图2是本实用新型中，微电流放大器的电路图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，
以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。为了便于理解，如图1示出了现有技术提供的放射性测厚仪的原理，现有技术提供贵的放射性测厚仪包括显示单元；接收穿过板带材的放射线并将该放射线转换为弱电流信号输出的电离室；连接电离室、将电离室输出的弱电流信号转换为电压信号输出的微电流放大器；连接在微电流放大器和显示单元之间、将微电流放大器输出的电压信号转换为数字信号后通过显示单元显示的数据处理单元。为了解决现有技术提供的该放射性测厚仪采用慢变化的弱电流放大器，导致放射性测厚仪的测量精度低的问题，本实用新型中，微电流放大器为基于AM49的微电流放大器。由于AD549本身是具有极低输入偏置电流的单片电路静电计型运算放大器，其输入偏置电压和输入偏置电压漂移均通过激光调节，可达到高精度的测量要求，从而避免了现有技术存在的问题。图2示出了本实用新型提供的微电流放大器的电路，为了便于描述，仅示出了与本实用新型相关的部分。本实用新型中，微电流放大器包括基于AD549的主放大电路22，其输入端连接电离室内，其输出端连接数据处理单元；连接主放大电路22的增益调节电路21 ；以及连接主放大电路22的调零电路23。其中，主放大电路22包括AD549放大器A、电容Cl、电容C2、电容C3、电阻R3以及电阻R4。AD549放大器A的反相输入端通过限流保护电阻R3连接电离室，AD549放大器 A的同相输入端通过电阻R4接地，AD549放大器A的的输出端连接数据处理单元，AD549放大器A的负电源输入端通过电容C3接地，AD549放大器A的两个偏置零点引脚均连接调零电路23，AD549放大器A的悬空引脚接地，AD549放大器A的正电源输入端通过电容C2接地，AD549放大器A的输出端同时通过电容Cl连接AD549放大器A的反相输入端，AD549放大器A的输出端同时连接增益调节电路21。其中，增益调节电路21包括光耦芯片U1、电阻R1、电阻R2和变阻器RV1。变阻器RVl的一端连接主放大电路22中AD549放大器A的输出端，变阻器RVl的另一端通过电阻R2接地，变阻器RVl的滑动触头通过电阻Rl连接光耦芯片Ul的一输出引脚，光耦芯片 Ul的另一输出引脚连接电阻R3的与电离室连接的一端。其中，调零电路23包括电阻R5、电阻R6和变阻器RV2。电阻R5的一端连接AM49 放大器A的一偏置零点引脚，电阻R5的另一端顺次通过变阻器RV2和电阻R6连接AM49 放大器A的另一偏置零点引脚，变阻器RV2的滑动触头连接AD549放大器A的负电源输入端。本实用新型提供的放射性测厚仪采用了基于AM49的微电流放大器，由于AM49 本身是具有极低输入偏置电流的单片电路静电计型运算放大器，其输入偏置电压和输入偏置电压漂移均通过激光调节，可达到高精度的测量要求，从而避免了现有技术存在的测量精度低问题。以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式
，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种放射性测厚仪，包括显示单元、电离室、以及一数据处理单元，其特征在于，所述放射性测厚仪还包括一基于AM49的微电流放大器，所述微电流放大器连接所述电离室， 所述数据处理单元连接在所述微电流放大器和所述显示单元之间。
2.如权利要求1所述的放射性测厚仪，其特征在于，所述微电流放大器包括基于AD549的主放大电路，所述主放大电路的输入端连接所述电离室内，所述主放大电路的输出端连接所述数据处理单元；连接所述主放大电路的增益调节电路；以及连接所述主放大电路的调零电路。
3.如权利要求2所述的放射性测厚仪，其特征在于，所述主放大电路包括AD549放大器、电容Cl、电容C2、电容C3、电阻R3以及电阻R4 ；所述AD549放大器的反相输入端通过限流保护电阻R3连接所述电离室，所述AD549放大器的同相输入端通过电阻R4接地，所述 AD549放大器的的输出端连接所述数据处理单元，所述AD549放大器的负电源输入端通过电容C3接地，所述AD549放大器的两个偏置零点引脚均连接所述调零电路，所述AD549放大器的悬空引脚接地，所述AD549放大器的正电源输入端通过电容C2接地，所述AD549放大器的输出端同时通过电容Cl连接所述AD549放大器的反相输入端，所述AD549放大器的输出端同时连接所述增益调节电路。
4.如权利要求3所述的放射性测厚仪，其特征在于，所述增益调节电路包括光耦芯片、电阻R1、电阻R2和变阻器RVl ；变阻器RVl的一端连接所述AD549放大器的输出端，变阻器RVl的另一端通过电阻R2接地，变阻器RVl的滑动触头通过电阻Rl连接所述光耦芯片的一输出引脚，所述光耦芯片的另一输出引脚连接电阻R3的与所述电离室连接的一端。
5.如权利要求4所述的放射性测厚仪，其特征在于，所述调零电路包括电阻R5、电阻 R6和变阻器RV2 ；电阻R5的一端连接所述AD549放大器的一偏置零点引脚，电阻R5的另一端顺次通过变阻器RV2和电阻R6连接所述AD549放大器的另一偏置零点引脚，变阻器RV2 的滑动触头连接所述AD549放大器的负电源输入端。
专利摘要本实用新型提供了一种放射性测厚仪，包括显示单元、电离室、以及一数据处理单元，该放射性测厚仪还包括一基于AD549的微电流放大器，微电流放大器连接电离室，数据处理单元连接在微电流放大器和显示单元之间。本实用新型中提供的放射性测厚仪采用了基于AD549的微电流放大器，由于AD549本身是具有极低输入偏置电流的单片电路静电计型运算放大器，其输入偏置电压和输入偏置电压漂移均通过激光调节，可达到高精度的测量要求，从而避免了现有技术存在的测量精度低问题。
文档编号G01B15/02GK202204487SQ20112032912
公开日2012年4月25日 申请日期2011年9月2日 优先权日2011年9月2日
发明者宋玉广 申请人:大连英奇科技发展有限公司