专利名称：一种脉冲失效侦测电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种侦测脉冲失效的电路。
背景技术：
随着单片机在开关电源上的广泛应用，采用单片机产生开关脉冲信号的技术正在普及。尽管近些年来单片机的可靠性有了长足的发展，但是仍然有一定的几率会产生误动作，造成严重事故。尤其是开关脉冲信号由于误动作变成直流高电平后，会打开开关元器件并在开关元器件上产生超过负荷能力的大电流，导致开关元器件损坏。
发明内容为了保证脉冲信号不会由于单片机误动作变成直流高电平，本实用新型提供一种侦测脉冲失效电路，该电路主要通过电阻、电容组成的计时电路侦测是否出现误动作造成的直流高电平。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是PM0S管Tl和NMOS管T2的栅极相连，并连接电阻R0，电阻RO的另一端连接脉冲信号输入端。PMOS管Tl的源极接电源VCC,漏极连接电阻Rl，NMOS管T2的源极接地，漏极连接电阻R2。电阻Rl和R2的另一端相连，并连接电容C和运算放大器OP-AMP的负输入端，电容C的另一端接地。电阻R3的一端连接电源VCC，另一端连接运算放大器OP-AMP的正输入端和电阻R4，电阻R4的另一端接地。运算放大器OP-AMP由VCC供电，输出端是侦测信号输出端。本实用新型的有益效果是，电路结构简单，能够快速侦测误动作造成的直流高电平。
以下结合附图
和实施例对本实用新型进一步说明。图I是本实用新型的电路原理图。图中，Tl.PMOS 管，T2. NMOS 管，R0.电阻，Rl.电阻，R2.电阻，R3.电阻，R4.电阻，C.电容，0P-AMP.运算放大器，VCC.电源。
具体实施方式
在图I中，PMOS管Tl和NMOS管T2的栅极相连，并连接电阻R0，电阻RO的另一端接脉冲信号输入端。PMOS管Tl的源极连接电源VCC，漏极连接电阻Rl，NMOS管T2的源极接地，漏极连接电阻R2。电阻Rl和R2的另一端相连，并连接电容C和运算放大器OP-AMP的负输入端，电容C的另一端接地。电阻R3的一端连接电源VCC，另一端连接运算放大器OP-AMP的正输入端和电阻R4，电阻R4的另一端接地。运算放大器OP-AMP由VCC供电，输出端是侦测信号输出端。如图I所示，电阻R3和R4组成一个分压电路，为运算放大器OP-AMP的正输入端提供一个参考电压。当脉冲信号输入端为低电平时，PMOS管Tl导通，NMOS管T2断开，电源VCC通过电阻Rl对电容C充电。电容C上的电压，即运算放大器OP-AMP的负输入端电压，超过参考电压时，运算放大器OP-AMP输出低电平。当脉冲信号输入端为高电平时，PMOS管Tl断开，NMOS管T2导通。电容C通过电阻R2放电。当电容C上的电压低于参考电压时，运算放大器OP-AMP输出高电平。由于电阻Rl的阻值远远小于电阻R2的阻值，通过电阻Rl给电容C充电的时间常数远远小于电容C通过电阻R2放电的时间常数。因此，脉冲信号输入端输入的是脉冲信号 或低电平信号时，运算放大器OP-AMP始终输出低电平。一旦出现误动作造成脉冲信号输入端出现一个持续时间较长的直流高电平信号，运算放大器OP-AMP输出高电平。
权利要求1.一种脉冲失效侦测电路，其特征是=PMOS管Tl和NMOS管T2的栅极相连，并连接电阻R0，电阻RO的另一端接脉冲信号输入端。
2.根据权利要求I所述的脉冲失效侦测电路，其特征是PM0S管Tl的源极接电源VCC，漏极连接电阻Rl，NMOS管T2的源极接地，漏极连接电阻R2。
3.根据权利要求I所述的脉冲失效侦测电路，其特征是电阻Rl和R2的另一端相连，并连接电容C和运算放大器OP-AMP的负输入端，电容C的另一端接地。
4.根据权利要求I所述的脉冲失效侦测电路，其特征是电阻R3的一端连接电源VCC，另一端连接运算放大器OP-AMP的正输入端和电阻R4，电阻R4的另一端接地。
专利摘要一种脉冲失效侦测电路。当输入低电平时，它使PMOS管T1导通。电源VCC通过一个小阻值电阻R1快速将电容C充满。此时运算放大器OP-AMP的负输入端电压大于正输入端电压，运算放大器OP-AMP输出低电平。当输入高电平是，它使NMOS管T2导通。电容C通过一个大阻值电阻R2缓慢放电。当电容C上电量释放足够时，运算放大器OP-AMP的负输入端电压小于正输入端电压，运算放大器OP-AMP输出高电平。因此，如果脉冲信号输入端出现持续时间很长的高电平信号，运算放大器OP-AMP输出高电平，否则输出低电平。
文档编号G01R19/00GK202471815SQ201220104010
公开日2012年10月3日 申请日期2012年3月20日 优先权日2012年3月20日
发明者赵恩海 申请人:赵恩海