专利名称：辐射线探测器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种将辐射线能表示为电信号的辐射线探测器，特别涉及一种非常实用的、具有高能量分辨率和高探测效率的辐射线探测器。
附

图13示出相关技术中使用辐射线探测器的辐射线测量系统。在附图13中用一整块板表示一个辐射线探测器21。辐射线探测器21通过线4与外部驱动电路3相连，以获取作为电信号的辐射线1的能量。辐射线探测器21提供一个探测区22，用来在辐射线辐射到该区域时获取电信号。此外，为了防止辐射到探测区22以外的区域，辐射线探测器提供一个准直仪23，准直仪23上具有一个直径为D的开口。在距离探测区22为H处由一个独立于辐射线探测器21的支持物支撑准直仪23。
辐射线探测器获取到的信号波形由辐射线的辐射位置决定。准直仪屏蔽探测区以外部分的辐射，这样准直仪成为一个限制辐射到探测区以外部分而引起电信号变化的有效手段。可是，取决于准直仪开口和探测区之间的位置关系，辐射线可能被准直仪遮蔽，如辐射线1A，或辐射线位于探测区22的旁边，如辐射线1B。为了向探测区22内辐射更多辐射线，获得更高的探测效率，必需一个更大的立体角度，该角度由开口的直径和开口与探测区之间的距离决定。此外，开口与探测区之间的对准精度以及它们之间的距离控制也是重要的因素。
辐射线测量需要高能量分辨率和高探测效率。通过给探测区安装一个准直仪而缩小辐射区，可以获得对探测区的准确辐射。但是在这种情况下，由准直仪开口直径和开口与探测区之间距离决定的立体角度比较小，导致的问题是得不到高探测效率。
此外，准直仪开口与探测区之间的对准精度也是一个限制探测效率的因素。由于要实现由外部支持物支撑的准直仪与探测区的精确对准并控制它们之间的距离是很困难的，因而探测效率一直未得到提高。
为了制作本发明中的辐射线探测器，可采取如下的不同方法。
(1)提供一个隔离件，位于板和准直仪的开口之间，保持两者之间为一定距离，并通过胶粘固定它们。
(2)在一个Si基片上形成一个能/电转换器，用硼硅酸盐玻璃制作隔离件，另一个Si基片用作准直仪，能/电转换器和准直仪将硼硅酸盐玻璃制成的隔离件夹在中间，然后给它们施加一温度和一负荷，通过阳极连接法给Si材料施加一正电压，从而直接将它们连接。
(3)在准直仪上形成一个空腔，用来保持板和开口之间为一定距离，并通过胶粘固定它们。
(4)在一个Si基片上形成一个能/电转换器，用硼硅酸盐玻璃制作准直仪，将能/电转换器和准直仪制成层叠片，然后给它们施加一温度和一负荷，通过阳极连接法给能/电转换器施加一正电压，从而直接将它们连接。
(5)主要由玻璃、刚玉等制成的透光材料用来制作准直仪。
(6)准直仪为一双层结构，由两种对被探测辐射线具有不同吸收系数s的材料组成，其中具有较小吸收系数的材料固定在板上，用作支撑件，在具有较大吸收系数的材料上形成开口，用来传送辐射线。准直仪固定在作为能/电转换器的板上，然后通过聚焦离子束(FIB)蚀刻形成开口。能/电转换器为一个形成在板上的超导跃迁边界传感器(TES)，用作吸热器，吸收辐射线，将辐射线转换为热量，然后测量它的温度变化，以获取辐射线作为电信号。
发明详述下面结合附图详述本发明的优选实施例。第一实施例附图1是根据本发明第一实施例使用辐射线探测器的辐射线测量系统的示意图。辐射线探测器是一个能/电转换器，其将入射辐射线的能量转换成一个电信号。在附图1中，由一个整块板11表示辐射线探测器，辐射线探测器11通过线4与外部驱动电路3相连，以获取作为电信号的辐射线1的能量。辐射线探测器11提供一个探测区12，这样在辐射线辐射到该区域时获得一个电信号。为了阻止辐射线辐射到探测区12以外的区域，提供一个具有直径为D的开口的准直仪13，准直仪13设置在板10上，并将一个隔离件16夹在准直仪13和辐射线探测器11之间，以保持与探测区12的距离为H。
附图2是辐射线探测器的俯视图。相对于准直仪13的开口15与探测区12之间的位置关系，准直仪13的开口直径D要比探测区的尺寸S稍小。
附图3是辐射线探测器的制作过程示意图。附图3A示出准直仪13、隔离件16和构成辐射线探测器的板11，它们被分别制备。使用一种能吸收作为被探测对象的辐射线的材料，作为准直仪的制作材料。材料厚度根据材料的吸收系数进行调整。对于X射线探测器，则使用一种金属材料例如Au、Pt、Pb、Cu、Al、Sn、Si。主要由玻璃或刚玉制成的透光材料也可用于准直仪。使用一种能加工成小尺寸、均匀厚度的材料例如Si作为隔离件的制作材料。
附图3B示出准直仪13与隔离件16、隔离件16与板11粘合，这样形成一个集成有准直仪的辐射线探测器。使用一种粘合剂例如环氧树脂或清漆用于粘合。或者，在一个Si基片上形成辐射线探测器，使用硼硅酸盐玻璃(耐热玻璃)制作隔离件，将另一个Si基片用作准直仪，这里通过阳极连接法实现连接。在阳极连接法中，硼硅酸盐玻璃制成的隔离件夹在Si基片和准直仪之间，给它们施加一温度和一负载，无需使用粘合剂，通过给Si材料施加一正电压迅速实现它们的连接。
将辐射线探测器和准直仪集成在一起，使用一个Si基片和一个玻璃基片，这使设置准直仪开口靠近探测区成为可能。此外，对准开口与探测区变得容易了，这样开口直径可以更接近探测区的尺寸。从而由准直仪开口直径以及开口与探测区之间的距离决定的立体角度就能更大，这样就可以获得高探测效率。
由于提高了开口与探测区的对准精度，辐射线可以精确地辐射到探测区，这样可以减小获取信号的变化，从而获得高能量分辨率。
此外，在使用诸如玻璃或刚玉透光材料作为准直仪的制作材料时，采用光学对准装置，可进一步提高开口与探测区的对准精度。这样就可以得到一个具有更高能量分辨率和更高探测效率的辐射线探测器。
另外，使用阳极连接法的加工方法可以使晶片上的多个元件与同一尺寸晶片上形成的准直仪之间实现连接，给出了发展大批量生产的预想。在这种情况下，可以应用批处理，先用光学对准仪对准器件、隔离件和准直仪，然后使用阳极连接法连接。
第二实施例附图4是根据本发明的第三实施例使用辐射线探测器的辐射线测量系统的示意图。在附图4中，由一个整块板11表示辐射线探测器11，辐射线探测器11通过线4与外部驱动电路3相连，以获取作为电信号的辐射线1的能量。辐射线探测器11提供一个探测区12，这样在辐射线辐射到该区域时获得一个电信号。此外，为了阻止辐射线辐射到探测区12以外的区域，提供一个具有直径为D的开口的准直仪13，准直仪13直接设置在板上。
附图5示出辐射线探测器的制作过程。附图5A示出准直仪13和构成辐射线探测器的板11，它们被分别制备。准直仪13上预先形成一个空腔A，这样准直仪保持与探测区12的距离为H，避免与探测区12接触。使用一种能吸收作为被探测对象的辐射线的材料作为准直仪的制作材料。准直仪的厚度根据材料的吸收系数进行调整。对于X射线探测器，则使用一种金属材料例如Au、Pt、Pb、Cu、Al、Sn、Si。也可以使用主要由玻璃或刚玉制成的透光材料。
附图5B示出准直仪13与板11连接，以形成集成有准直仪的辐射线探测器。为了连接，使用一种粘合剂例如环氧树脂或清漆。或者，在一个Si基片上形成辐射线探测器，使用硼硅酸盐玻璃(耐热玻璃)制作准直仪13，这里通过阳极连接法实现连接。在阳极连接法中，设置Si辐射线探测器的与准直仪相互接触，给它们施加一温度和一负载，这样无需使用粘合剂，通过给Si材料施加一正电压就可迅速实现它们的连接。
在本实施例中，可以获得与第一实施例相同的效果。此外，不需要隔离件可简化辐射线探测器的制作。特别是，由于只对Si基片与硼硅酸盐玻璃基片进行层叠连接，所以利用阳极连接法连接很容易。另外，可以使准直仪与探测区之间的距离靠近，这样可以更大地提高探测效率。
第三实施例附图6是根据本发明的第三实施例使用辐射线探测器的辐射线测量系统的示意图。在附图6中，由一个整块板11表示辐射线探测器，辐射线探测器11通过线4与外部驱动电路3相连，以获取作为电信号的辐射线1的能量。辐射线探测器11提供一个探测区12，这样在辐射线辐射到该区域时获得一个电信号。此外，为了阻止辐射线辐射到探测区12以外的区域，提供一个具有直径为D的开口的准直仪13，准直仪13与辐射线探测器11将隔离件16夹在中间，以保持准直仪13与探测区12的距离为H。准直仪13为一双层结构，由两种对被探测辐射线具有不同吸收系数s的材料13A和13B组成，材料13A是屏蔽件，用来屏蔽辐射线，材料13B是支撑件，用来传送辐射线和支撑屏蔽件，设计屏蔽件13A的吸收系数比支撑件13B的大，屏蔽件13A上形成一开口，用来传送辐射线，这样大部分辐射线被开口以外的区域吸收。
附图7示出本实施例中辐射线探测器的制作过程。附图7A示出具有用来传送辐射线的开口的准直仪13、构成辐射线探测器的板11、和用来保持准直仪13与探测区12之间距离H的隔离件16，它们被分别制备。在探测X射线时，对于屏蔽件13A，可以采用能充分吸收X射线的金属材料例如Au、Pt、Pb、Cu、Al、Sn或Si。另一方面，对于支撑件13B，可以采用吸收辐射线少于屏蔽件13A的材料，例如玻璃、刚玉或聚合材料。支撑件13B的吸收系数越小，支撑件13B越厚，这样形成一个耐用的准直仪。对于准直仪13的制作方法，除层叠屏蔽件13A和支撑件13B之外，可以通过薄膜形成方法(例如溅射法或气相沉积法)在支撑件13B上形成屏蔽件13A。
为了形成准直仪的开口，这里有一方法，可以利用一个掩模，不将构成屏蔽件13A的材料沉淀到开口部分。此外，也可以预先形成双层结构，再将构成屏蔽件13A的材料利用一个掩模，通过一种方法(例如溅射蚀刻法、离子束蚀刻法或聚焦离子束(FIB)蚀刻法)除去。
能加工成小尺寸、均匀厚度的材料(例如Si)用来制作隔离件。
附图7B示出准直仪13、隔离件16和隔离件16与板11连接后形成的辐射线探测器。使用诸如环氧树脂或清漆的粘合剂来实现连接。或者，在一个Si基片上形成辐射线探测器11，使用硼硅酸盐玻璃(耐热玻璃)制作隔离件16，使用另一Si基片制作准直仪13，隔离件16被夹在Si基片之间，给它们施加一温度和一负载，通过阳极连接法，给Si材料施加一正电压实现它们的直接连接。
在厚度很大的准直仪上精确形成开口是很困难的。但是准直仪又需要一定的强度。在本实施例中，具有高传导性的材料形成支撑件13B，具有高吸收率的材料在支撑件上形成屏蔽件13A，支撑件13B可以制得厚些，屏蔽件13A可以制得薄些。对于要形成的开口，只需除去薄些的屏蔽件13A的一部分即可，这样就可以制成易于开口的准直仪了。
第四实施例附图8示出本发明第四实施例中辐射线探测器的制作过程。虽然该辐射线探测器的结构与第三实施例中的相同，但制作过程却不同。附图8A示出形成开口前的准直仪33、构成辐射线探测器的板11和用来保持探测区12与准直仪13之间距离H的隔离件16，它们被分别制备。准直仪33为一双层结构，由两种对被探测辐射线具有不同吸收系数s的材料13A和13B组成。
附图8B示出连接准直仪33与隔离件16、隔离件16与板11的连接过程，使用粘合剂(例如环氧树脂或清漆)来实现连接。或者，在一个Si基片上形成辐射线探测器11，使用硼硅酸盐玻璃(耐热玻璃)制作隔离件16，使用另一Si基片制作准直仪13。隔离件16被夹在Si基片之间，给它们施加一温度和一负载，无需使用粘合剂，通过阳极连接法给Si基片施加一正电压迅速实现它们的连接。
附图8C示出在准直仪上形成开口的过程。开口可以通过除去具有较大吸收系数的屏蔽件13A的一部分形成。该去除可以利用掩模，通过一种诸如溅射蚀刻法或离子束蚀刻法的方法实现。此外也可不用掩模、通过聚焦离子束(FIB)蚀刻法形成开口。
依据本实施例，可以得到一个易于开口、耐用的准直仪，另外，因为准直仪开口与探测区之间的对准是在板与准直仪连接之后进行，所以能提高对准精度，这样可获得更高的能量分辨率和更高的探测效率。
第五实施例附图9是根据本发明中第五实施例使用辐射线探测器的辐射线测量系统的示意图。在本实施例中，一个超导跃迁边界传感器(TES)被用作辐射线探测器。附图10A是超导跃迁边界传感器的俯视结构图，附图10B为其剖面结构图，附图9是超导跃迁边界传感器沿附图10A中直线X-X′的剖面图，附图10B是其沿直线轴Y-Y′的剖面图。
超导跃迁边界传感器设置在板10上，吸收辐射线，将能量转换成热量，提供一个电阻19，位于薄膜20上，用作测量那里温度Tt的热量转换器，电极14与电阻19连接，用来给其提供一电流或电压并读出其电阻阻值。薄膜20的结构比板的薄，薄膜在电阻19和吸热器之间具有一热导，用作热连接。通常，板由Si制成，薄膜20由氧化硅或氮化硅制成，厚度大约为1μm。
电阻是超导跃迁边界传感器的探测区，为了阻止辐射到电阻以外的区域，提供一个具有直径为D的开口的准直仪13，准直仪13设置在形成辐射线探测器11的板上，使隔离件16被准直仪与薄膜夹在中间，用来保持准直仪13与探测区12之间的距离H。准直仪13由用作吸热器的板10支撑，这样准直仪与薄膜之间热隔离。
电阻19本身是超导，或者是具有超导和常导的双层结构，电阻19的阻值由Rt表示，其具有超导态、常导态和中间跃迁态，状态由温度Tt决定，它们之间的关系由附图11中的阻值-温度(R-T)曲线表示，该电阻在等于或低于温度Tc时变成超导态，阻值变为0。
超导跃迁边界传感器设置于冷却头40上，冷却头将温度下降到温度Tb(＜Tc)时，电阻转为超导态。电源产生的热量(焦耳热)提供给电阻19，以在中间跃迁态时保持电阻的温度。如果X射线辐射到处于工作点OP(工作温度To)的电阻上，温度Tt上升，阻值Rt改变，外部驱动电路3读出阻值的变化，这样获得入射辐射线的能量。
电阻上的热量扩散由位置决定，因此根据辐射线的辐射位置，获得的电信号波形不同。通常在辐射线探测器中，通过辐射线的脉冲波形峰值获得能量，因此，固定辐射位置或者在各辐射位置使热扩散过程相同是必须的。例如，在电阻中心的热扩散与在电阻边缘的热扩散之间完全不同，从而探测到不同的波形。
由于辐射线探测器能与准直仪集成在一起，此外还使用Si和玻璃基片，因此就能将准直仪的开口与探测区靠近，开口与探测区的对准也更易于实现，开口直径接近探测区的尺寸。这样由准直仪开口直径和开口与探测区之间距离决定的立体角度可以制得更大，从而获得高探测效率。
由于开口与探测区对准的精度提高，辐射线可以精确辐射到探测区，从而限制获得信号的变化。除超导跃迁边界传感器的低噪声特性之外，由于由辐射位置引起的探测信号变化得到限制，辐射线探测器具有极高的能量分辨率和SN。
准直仪13由用作吸热器的板10支撑，因此准直仪13吸收的热量对电阻没有任何影响，并很快被吸热器散去。
第六实施例附图12A和12B示出本发明第六实施例的辐射线探测器，在本实施例中也使用超导跃迁边界传感器作为辐射线探测器。在超导跃迁边界传感器中，有时会在电阻19上提供一个吸收器18，用来提高对辐射线能量的吸收概率。附图12A是由具有吸收器的超导跃迁边界传感器构成的辐射线探测器的平面图，附图12B是其剖面图。吸收器18的功能是吸收辐射线，将能量转换为热量，再传送该热量给电阻。在这种情况下，吸收器18是探测区。
虽然吸收概率很小，但是例如，如果辐射的是电阻19的主体，而不是吸收器，则产生不同于由吸收器18吸收的信号的波形。准直仪用来阻止这些信号。根据本实施例，可以获得更高的探测概率，辐射线探测器实现更高的能量分辨率和更高的探测效率。
发明效果如上所描述的发明，具有如下所述的效果。
在一个由能/电转换器构成的辐射线探测器中，包括一个形成在板上的辐射线探测器以及用于与外部驱动电路相连的电极，作为一个屏蔽板具有一个开口用来传送辐射线辐射到探测区的准直仪设置在同一板上，这样辐射线探测器与准直仪集成在一起。另外采用Si和玻璃基片，这样可以将准直仪的开口与探测区靠得更近，开口和探测区的对准也变得更容易了，从而使开口直径更接近探测区尺寸成为可能，这样由准直仪开口直径和开口与探测区之间距离决定的立体角度可以制得较大，而获得高探测效率。
由于开口与探测区对准的精度提高，辐射线可以精确辐射到探测区，这样使获得信号中的变化更小，从而得到高度的能量分辨率。
在使用透光材料(例如玻璃或刚玉)作为准直仪的材料时，利用光学对准装置更大地提高开口与探测区的对准精度，从而使辐射线探测器具有更高的能量分辨率和更高的探测效率。
辐射线探测器形成在Si基片上，使用硼硅酸盐玻璃制作隔离件，使用另一Si基片制作准直仪，这里通过阳极连接法实现连接。使用阳极连接法的加工方法可以使晶片上的多个元件与同一尺寸晶片上形成的准直仪之间实现连接，给出了发展大批量生产的预想。
此外，在准直仪上形成一个空腔，以保持板与准直仪之间为一定距离，这样不再需要隔离件，使加工更容易。具体而言，将阳极连接法用在Si基片与硼硅酸盐玻璃基片的层叠连接上变得更容易。因此可以使准直仪与探测区之间的距离靠得更近，这样给出了更大提高探测效率的预想。
准直仪为一双层结构，由两种对被测辐射线具有不同吸收系数s的材料组成，其中具有较小吸收系数的材料固定在板上，用作支撑件，具有较大吸收系数的材料上形成开口，用来传送辐射线，从而可以形成一个易于形成开口的耐用的准直仪。另外，因为准直仪开口与探测区之间的对准是在板与准直仪连接之后进行，因此能提高对准精度，从而可以获得更高的能量分辨率和更高的探测效率。
另外，在辐射线探测器与准直仪连接之后，可以形成与探测区对准的开口，这样使开口与探测区之间的对准变得更容易和更精确了。特别地，采用聚焦离子束(FIB)蚀刻法可以不用掩模来形成开口。
能/电转换器是一个设置在板上的超导跃迁边界传感器(TES)，用作吸热器，吸收辐射线，将辐射线转换成热量，测量温度的变化，从中获取辐射线能量作为电信号。超导跃迁边界传感器(TES)与准直仪集成在一起，这样可以提高开口与探测区的对准精度而使辐射线精确地辐射到探测区，因而使获得信号的变化变得更小。除超导跃迁边界传感器的低噪声特性之外，由于由辐射位置引起的探测信号变化得到限制，从而使辐射线探测器具有极高的能量分辨率和SN。
准直仪15由用作吸热器的板支撑，这样由准直仪15吸收的热量对电阻没有任何影响，并很快排到吸热器。
通过给超导跃迁边界传感器(TES)提供一个吸收器，辐射线探测器可以得到高探测概率、高能量分辨率和高探测效率。
由于超导跃迁边界传感器(TES)的薄膜结构，机械性能差，因此在辐射线探测器上设置准直仪可以给探测区提供保护，这对提高超导跃迁边界传感器(TES)的可靠性和可行性特别有效。
权利要求
1.一种辐射线探测器，其包括一个探测区，用来探测入射辐射线；一个能/电转换器，用来将辐射线能量转换为一个电信号；形成在一个构成能/电转换器的板上的电信号电极，用来连接能/电转换器与外部驱动电路；具有一个用来传送辐射线以辐射探测区的开口的准直仪，用作屏蔽板以阻止辐射线辐射到探测区以外的部分区域，准直仪集成在构成能/电转换器的板上；和一个隔离件，用来保持探测区与准直仪之间为一定距离，隔离件集成在构成能/电转换器的板上。
2.一种辐射线探测器，其包括一个探测区，用来探测入射辐射线；一个能/电转换器，用来转换辐射线能量；形成在能/电转换器上的电信号电极，用来连接能/电转换器与外部驱动电路；具有一个用来传送辐射线以辐射探测区的开口的准直仪，用作屏蔽板以阻止辐射线辐射到探测区以外的部分，准直仪上形成一个空腔，用来保持探测区与准直仪之间为一定距离，准直仪集成在构成能/电转换器的板上。
3.如权利要求1所述的辐射线探测器，其特征在于准直仪的材料是一种主要由玻璃或刚玉制成的透光材料。
4.如权利要求2所述的辐射线探测器，其特征在于准直仪的材料是一种主要由玻璃或刚玉制成的透光材料。
5.如权利要求1所述的辐射线探测器，其特征在于辐射线探测器的制作过程是在一个Si基片上形成能/电转换器，使用硼硅酸盐玻璃制作隔离件，将Si用作准直仪，能/电转换器与准直仪将隔离件夹在中间，给它们施加一温度和一负载，通过阳极连接法给Si材料施加一正电压实现能/电转换器、准直仪和隔离件之间的连接。
6.如权利要求2所述的辐射线探测器，其特征在于辐射线探测器的制作过程是在一个Si基片上形成能/电转换器，使用硼硅酸盐玻璃制作准直仪，能/电转换器与准直仪层叠连接，给它们施加一温度和一负载，通过阳极连接法给能/电转换器施加一正电压实现能/电转换器和准直仪之间的连接。
7.如权利要求1所述的辐射线探测器，其特征在于准直仪为一双层结构，由两种对被测辐射线具有不同吸收系数的材料组成，具有较小吸收系数的材料固定在板上，用作支撑件，具有较大吸收系数的材料上形成开口，用来传送辐射线。
8.如权利要求2所述的辐射线探测器，其特征在于准直仪为一双层结构，由两种对被测辐射线具有不同吸收系数的材料组成，具有较小吸收系数的材料固定在板上，用作支撑件，具有较大吸收系数的材料上形成开口，用来传送辐射线。
9.如权利要求7所述的辐射线探测器，其特征在于准直仪固定在板上，之后通过聚焦离子束(FIB)蚀刻法形成开口。
10.如权利要求8所述的辐射线探测器，其特征在于准直仪固定在板上，之后通过聚焦离子束(FIB)蚀刻法形成开口。
11.如权利要求1所述的辐射线探测器，其特征在于能/电转换器是一个超导跃迁边界传感器，用来吸收辐射线，将辐射线转换成热量，然后通过测量温度的变化，从中获取辐射线能量作为电信号，超导跃迁边界传感器作为吸热器形成在板上，并包括一个控制热量散发到吸热器的薄膜结构，一个根据薄膜上形成的温度而具有超导态、常导态和中间跃迁态的电阻，和用来连接外部驱动电路的电极。
12.如权利要求2所述的辐射线探测器，其特征在于能/电转换器是一个超导跃迁边界传感器，用来吸收辐射线，将辐射线转换成热量，然后通过测量温度的变化，从中获取辐射线能量作为电信号，超导跃迁边界传感器形成在板上，用作吸热量接收器，并包括一个控制热量散发到吸热器的薄膜结构，一个根据薄膜上形成的温度而具有超导态、常导态和中间跃迁态的电阻，和用来连接外部驱动电路的电极。
13.如权利要求11所述的辐射线探测器，其特征在于在电阻上提供一个吸收器。
14.如权利要求12所述的辐射线探测器，其特征在于在电阻上提供一个吸收器。
全文摘要
本发明提供一个能够对探测区进行精确辐射和具有高度探测性能的辐射线探测器。准直仪具有一个用来传送辐射线以辐射探测区的开口，准直仪用作为屏蔽板用来阻止辐射线辐射到探测区以外的部分区域，设置在构成能/电转换器(辐射线探测器)的同一块板上。这样构造辐射线探测器可使准直仪开口与探测区的对准变得容易，将探测区与准直仪开口靠近可以提高探测性能。
文档编号G01T1/26GK1451952SQ0313079
公开日2003年10月29日 申请日期2003年4月19日 优先权日2002年4月19日
发明者师冈利光, 田中启一, 永田笃士, 茅根一夫, 石川达次 申请人:精工电子有限公司