专利名称：辐射检测器和辐射检测方法
技术领域：
本发明涉及利用各向异性热电效应的辐射检测器和使用该辐射检测器的辐射检 测方法。
背景技术：
当热电转换材料的两端产生温度差时，与该温度差成比例地产生电动势(热电动 势)。在热电转换材料中，热能转换为电能的现象，作为塞贝克效应被公知。所产生的电动 势V能够用温度差Δ T和材料固有的塞贝克系数SWv = SAT来表示。在表现各向同性的物性的热电转换材料中，基于塞贝克效应产生的电动势，仅在 产生温度差的方向上产生。另一方面，在电传导特性上表现各向异性的热电转换材料，由于 结晶轴的倾斜配置，而在与产生温度差的方向正交的方向上产生电动势。另外，电传导特性 是指具有电荷的电子或空穴在物质中移动的行为。这样，将由于材料的结晶轴的倾斜配置 而在与产生温度差的方向(热流方向)不同的方向上产生电动势的现象，称为各向异性热 电效应或非对角热电效应。图11为用于说明各向异性热电效应的坐标系的图。如图11所示，试料101的结 晶轴abc相对于空间轴xyz倾斜。在试料101中，如果在ζ轴方向上提供温度差ΔΤ2，则在 沿着与ζ轴正交的方向即Χ轴的方向上产生电动势Vx。电动势Vx可用式(1)表示。K = 1/2d ΔΤz · Δs · sin 2α (1) 其中，1表示试料101的宽度，d表示试料101的厚度，α表示ab面相对于试料 101的表面(xy面)的倾斜角度，Δ S表示c轴方向的塞贝克系数S。与ab面内方向的塞贝 克系数Sab之差(由于各向异性导致的差)。以往，作为利用各向异性热电效应的辐射检测器，提出有使用YB Cu307_d(以下称 SYBCO)的倾斜叠层薄膜的辐射检测器(例如参照专利文献1)。倾斜叠层薄膜为叠层在 基板上的薄膜，具有结晶轴相对于基板表面倾斜、多个倾斜的层叠层形成的层状构造。YBCO 薄膜包括由具有电传导性的01 层和具有绝缘性的Y层和BaO层沿着c轴方向交替叠层 而成的各向异性的结晶构造。将该YBCO薄膜以c轴相对于基板表面倾斜的方式叠层(倾 斜叠层)在适当的基板表面上时，与图11所示的系统相同的系统成立。CuO2面与图11中 的ab面相对应。如果电磁波入射到该倾斜叠层的YBCO薄膜的表面上，则在与YBCO薄膜的 表面垂直的方向上产生温度差。其结果是，由于各向异性热电效应，在与YBCO薄膜的表面 平行的方向上产生电动势。通过读取该电动势，能够检测入射到YBCO薄膜的表面上的电磁 波。使用该YBCO薄膜的辐射检测器中，能够以约100mV/K的灵敏度检测电磁波。根据公式(1)，基于各向异性热电效应所产生的电动势Vx，与塞贝克系数的各向异 性带来的差Δ S、试料的纵横比(aspect ratio) 1/d和倾斜角度α的2倍的角度的正弦值 sin2a成比例。TOCO薄膜的Δ S小于10 μ V/K、CuO2面的倾斜角度α保持为单一角度时 的上限被限制为10 20° (例如，参照非专利文献1、非专利文献2)。因此，使用YBCO薄膜的辐射检测器为了实用化，而灵敏度并不足够。为了提高使用倾斜叠层薄膜的辐射检测 器的灵敏度，有使用AS更大的材料、使薄膜的倾斜角度α尽量靠近45度等方法。倾斜叠 层薄膜的倾斜角度α的范围，依赖于薄膜材料与叠层有该薄膜材料的基板材料的组合，因 此优选选择适当的基板材料，使得能够大范围地控制倾斜角度α至45°附近。在专利文献1中，公开了使用部分掺杂了 ft"的TOCO薄膜的辐射检测器。根据专 利文献1，该辐射检测器与使用没有掺杂的YBCO薄膜的辐射检测器相比，具有约20倍的灵 敏度。其理由被认为是通过进行ft·掺杂而使TOCO薄膜的塞贝克系数增加。但是，在非专 利文献3中记载了通过进行ft·掺杂，虽然TOCO薄膜中的ab面内方向的塞贝克系数增加， 但是AS变小的情况。此外，在非专利文献3中记载了专利文献1的辐射检测器所使用的 YBCO薄膜的ft·掺杂范围中Δ S变小的情况。非专利文献3中还记载有使用与专利文献1 中所使用的波长248nm的光不同的波长(308nm)的光，测定对于进行了 ft·掺杂的TOCO薄 膜的光照射的响应的结果。根据该结果，就基于各向异性热电效应产生的电动势而言，与没 有掺杂的YBCO薄膜相比，进行了 ft·掺杂的TOCO薄膜的更小。如专利文献1所记载，使用 进行了 ft·掺杂的TOCO薄膜的辐射检测器的灵敏度提高的原因，可能是由于通过ft·掺杂使 得TOCO薄膜对波长MSnm的光的吸收系数增加。因此，专利文献1的辐射检测器对于波长 MSnm的光有高灵敏度，但对其他的波长范围，未必能提高检测灵敏度。专利文献1 日本特开平8147851号公报非专利文献 1 :H. S. Kwok, J. P. Zheng, "Anomalous photovoltaic response in YBa2Cu307”，The American Physical Society, PHYSICAL REVIEW B, (1992)，VOLUME 46， NUMBER 6,3692非专利文献2 :Physica C 377(2002)26-35, Elsevier Science B. V.非专利文献 3 :15th International Conference on Thermoelectrics (1996)， IEEE,pp.494-498

发明内容
本发明是鉴于上述问题而完成的发明，其目的在于提供一种检测灵敏度更高的辐 射检测器和辐射检测方法。本发明人进行了各种研究，结果发现上述目的可以通过以下发明来达成。即，本发 明的辐射检测器包括=Al2O3基板；CaxCc^2薄膜，其叠层在上述Al2O3基板上，CoO2面相对于 上述Al2O3基板表面倾斜地排列，其中，0. 15 < χ < 0. 55 ；第一电极，其配置在上述(薄膜上；和位于上述CaxCoO2薄膜上的第二电极，该第二电极在上述( 面倾斜排列的方向 上，配置在与上述第一电极相对的位置，其中，上述Al2O3基板的表面为η面或S面。此外，本发明的辐射检测方法，其使用辐射检测器对电磁波进行检测，该辐射检测 方法的特征在于上述辐射检测器包括=Al2O3基板；CaxCc^2薄膜，其叠层在上述Al2O3基板 上，( 面相对于上述Al2O3基板表面倾斜地排列，其中，0. 15 < χ < 0. 55 ；第一电极，其配 置在上述CaxCc^2薄膜上；和位于上述CaxCc^2薄膜上的第二电极，该第二电极在上述( 面倾斜排列的方向上，配置在与上述第一电极相对的位置，其中，上述Al2O3基板的表面为η 面或S面，基于由于入射至上述CaxCc^2薄膜的电磁波而在上述CaxCc^2薄膜内产生的温度 差，取出在上述第一电极与上述第二电极之间产生的热电动势，基于上述热电动势检测上述电磁波。本发明人对各种条件进行了研究并通过最优化，发现能够在具有CaxCoO2薄膜、 Al2O3基板的2层构造的叠层体中，制作结晶轴相对于Al2O3基板的表面大幅倾斜的CaxCc^2 薄膜。根据配置有具备2层构造的叠层体的辐射检测器，能够使作为倾斜叠层薄膜的 CaxCoO2薄膜的结晶轴的倾斜角度增大。因此，也能够使倾斜角度接近45°，由此能够提高 辐射检测器的检测灵敏度(电动势)。根据本发明，能够提供检测灵敏度更高的辐射检测器和辐射检测方法。


图1为本发明的辐射检测器的一个方式的截面图。图2 为表示 C￡ixCo02/Al203-n 薄膜的极图(pole figure)的图。图3为表示CEIxC0O2AI2O3-S薄膜的极图的图。图4为C￡ixCo02/Al203-n叠层体的2层截面像。图5为CEtxCoO2Al2O3-Ii薄膜内的高分辨率像。图6为CaxCoO2Al2O3-S叠层体的2层截面像。图7为CeixC0O2AI2O3-S薄膜内的高分辨率像。图8为表示电动势测定用的辐射检测器的结构的立体图。图9为表示使用CaxCO02/Al203-n薄膜的辐射检测器中由电磁波的入射和截断引起 的电动势随时间变化的曲线图。图10为表示使用CaxCoO2Al2O3-S薄膜的辐射检测器中由电磁波的入射和截断引 起的电动势随时间变化的曲线图。图11为用于说明各向异性热电效应的坐标系的图。
具体实施例方式图1为本发明的辐射检测器的一个方式的截面图。如图1所示，辐射检测器10包 括Al2O3基板(蓝宝石基板)11、以与Al2O3基板11相接的方式叠层在Al2O3基板11上的 CaxCoO2薄膜13、配置在CaxCc^2薄膜13上的第一电极14和第二电极15。其中，CaxCc^2薄 膜13因制作条件不同而产生成分(组成)偏差，但χ为0.15 <x <0.55即可。χ在该范 围内时，CaxCoO2具有稳定的构造。CaxCoO2薄膜13为倾斜叠层薄膜，具有( 层和Qix块层(block layer)交替叠 层的层状构造。在CaxCc^2薄膜13中，( 面16内方向的塞贝克系数Sab与其垂直方向即 CaxCoO2薄膜13的c轴方向的塞贝克系数S。为不同的值，CaxCc^2薄膜13显示出各向异性。在CaxCoA薄膜13中，多个( 面16相对于Al2O3基板11表面倾斜，相互平行地 排列配置。第二电极15与第一电极14在电动势取出方向17上分离地配置。S卩，电动势取 出方向为第一电极14与第二电极15对置的方向。电动势取出方向17，是相对于CoO2面16 与CaxCc^2薄膜13的表面的交线(与纸面垂直方向上的线)垂直并且与CaxCc^2薄膜13的 表面平行的方向，是CoO2面16倾斜排列的方向。CoO2面16相对于电动势取出方向17以 倾斜角度α倾斜。此外，CoO2面16相对于Al2O3基板11的表面也以倾斜角度α倾斜。辐射检测器10具有由CaxCc^2薄膜13和Al2O3基板11构成的2层构造。在该2层构造的叠层体中，相对于Al2O3基板11的表面，能够制作具有结晶轴大幅倾斜的构造的倾 斜叠层薄膜(CaxCoO2薄膜13)。因此，能够使倾斜角度α比现有的辐射检测器的倾斜叠层 薄膜的倾斜角度更大。在辐射检测器10中，倾斜角度α为10°以上80°以下即可，优选 为20°以上70°以下。由此，能够实现检测灵敏度高的辐射检测器10。从公式(1)可知， 在辐射检测器10中，倾斜角度α特别优选为45°。在辐射检测器10中，能够使倾斜角度 α更接近45°。在辐射检测器10中，当电磁波入射到CaxCc^2薄膜13上时，电磁波被CaxCc^2薄膜 13吸收。由此，在CaxCoO2薄膜13中，薄膜面间方向(厚度方向)18上产生温度梯度。薄膜 面间方向18为垂直于CaxCoO2薄膜13的表面的方向，与电动势取出方向17正交。通过在 CaxCoO2薄膜13内产生温度差，由于各向异性热电效应，所以在CaxCc^2薄膜13中在电动势 取出方向17上产生电动势。所产生的电动势经由第一电极14和第二电极15被输出到外 部。通过检测输出到外部的电动势，能够检测入射到CaxCc^2薄膜13的电磁波。本发明的辐射检测器10能够通过在Al2O3基板11上叠层CaxCc^2薄膜13，在 CaxCoO2薄膜13上设置第一电极14和第二电极15而制作。叠层CaxCc^2薄膜13的方法并 无特别限定。例如，利用溅射法、蒸镀法、激光烧蚀法、化学气相生长法等气相生长的方法或 者自液相的生长等，各种方法均可适用。CaxCoO2薄膜13的膜厚，只要为单位晶格层以上则 无特别限定，具体来说可以为100 200nm。另外，在该范围以外的厚度也没有问题。CaxCoO2薄膜13的( 面16的倾斜角度α，由Al2O3基板11的(0001)面19相 对于Al2O3基板11的表面的倾斜角度β决定。因此，在制作辐射检测器10时，使用具有与 所期望的倾斜角度α的值相应的倾斜角度β的Al2O3基板11即可。例如，优选使用表面 为η面或S面的Al2O3基板11。另外，η面例如为(11-23)面，S面例如为(10-11)面。另 外，α为β 士 10°左右的值，但根据制作条件α的值也会变动到该范围以外。第一电极14和第二电极15只要是电传导性高的材料则没有特别限定。具体来说， 使用Cu、Ag、Mo、Al、Ti、Cr、Au、Pt、In等金属、TiN等氮化物或添加锡的氧化铟(铟锡氧化 物)(ITO)、SnO2等氧化物即可。此外，也可以使用焊料、导电性浆料等制作第一电极14、第 二电极15。此外，在CaxCc^2薄膜13上制作第一电极14、第二电极15的方法也没有特别 限定。例如，除了蒸镀法、溅射法等利用气相生长的方法外，还能够利用导电性浆料的涂覆、 电镀、热喷涂、焊料接合等各种方法。另外，第一电极14和第二电极15的构成材料，优选为 Cu、Ag、Au或Al，更优选为Cu、Ag或Au，特别优选为Cu或Ag。另外，辐射检测器10的制造方法，只要是能够实现由Al2O3基板11和CaxCc^2薄膜 13构成的2层构造，并在CaxCc^2薄膜13上设置第一电极14、第二电极15的方法即可，并 不特别限定于上述方法。辐射检测器10在制作时，能够通过控制Al2O3基板11的(0001)面19的倾斜角度 β来控制倾斜角度α，因此能够在大范围内控制倾斜角度α。由此，与现有的YBCO薄膜相 比，在具有约4倍左右大小的Δ S的CaxCc^2薄膜13中，能够实现大幅超过现有的YBCO薄 膜的01 面的倾斜角度的( 面16的倾斜角度。因此，能够实现大大超过现有的使用倾 斜叠层薄膜的辐射检测器的性能的辐射检测器。本发明能够促进热与电的能量转换，本发 明的工业价值较高。另外，虽然使用CaxCc^2薄膜作为倾斜叠层薄膜，但使用SrxCc^2薄膜来代替也能够认为起到同样的效果。[实施例]下面说明本发明的更具体的实施例。在表面具有相对于(0001)面以61°倾斜的η面((11_23)面)的Al2O3-ii面基板 上叠层CaxCc^2薄膜，制作出2层构造的叠层体。以下，将该叠层体中的CaxCc^2薄膜记为 QixCO02/Al203-n薄膜。另外，Al2O3-Ii面基板的倾斜角度β为61°。此外，在表面具有相对于(0001)面以72°倾斜的S面((10-11)面)的Al2O3-S面 基板上，叠层CaxCc^2薄膜，制作出2层构造的叠层体。以下，将该叠层体中的CaxCc^2薄膜 记为CaxCoO2Al2O3-S薄膜。另外，Al2O3-S面基板的倾斜角度β为72°。薄膜的制作全部 使用了高频(RF:Radio Frequency)磁控管溅射器。在CaxCc^2薄膜(膜厚150nm)的制作中，使用以Ca、Co的摩尔比为1 1的方式 混合而成的靶。将成膜腔室内排气至1.0X10_3Pa以下后，导入氩(96%)、氧的混合 气体，并且利用电阻加热器加热Al2O3-Ii面基板。为了选定用于制作CaxCc^2薄膜的最佳条 件，作为成膜条件，在将气压固定为5 的状态下，使Al2O3-Ii面基板的温度在400 600°C 内变化。溅射时的RF功率固定为100W。薄膜沉积后，导入氩(96% )、氧)的混合气 体，将腔室内的气压保持为5Pa，经过60分钟冷却至室温。同样地，在Al2O3-S面基板上也 制作出CaxCc^2薄膜(膜厚150nm)。利用能量分散型X射线分析装置对所制作的CaxCoO2/ Al2O3-H薄膜和CaxCoO2Al2O3-S薄膜的阳离子组成比进行评估后，可知两者的Ca、Co组成比 都为大致1 2。因此，χ N 0. 5。为了确认C￡ixCo02/Al203-n薄膜和CeixCo02/A1203-S薄膜中的( 面的倾斜叠层 构造，分别对其进行极图XRD测定。通过极图测定，能够得到某个特定的结晶面的相对于 基板表面的倾斜度、与其排列(整列)方向相关的信息。测定条件，在作为测定目标的结 晶面与水平面平行地配置中，将X射线的入射以及检测角度(Θ-2Θ)固定为满足布拉格 (Bragg's)条件的角度。在此状态下，使基板平面从水平方向起倾斜(Ψ =0 90° )，进 一步在面内方向上旋转(φ=0 360°)。检测的散射X射线，仅在与作为目标的结晶面与水 平面平行时相互增强。通过使Ψ和Φ变化来测定所检测的散射光的强度分布，能够获知该 结晶面的倾斜角度(Ψ值)和排列方向(φ值)。将2 θ固定于fexCO02/Al203-n薄膜的(001)衍射峰出现的角度来进行测定，表示 所得到的极图的图如图2所示。另夕卜，CaxCO02/Al203-n薄膜的(001)面与CoO2面相对应。 如图2所示，Ψ N 62°、φ_90°处出现具有最大值的一个衍射峰。这表明CoO2面相对于 Al2O3-Ii面基板的表面以62°倾斜地叠层。因此，倾斜角度α为约62°。表示同样地测定所得到的QixCoO2Al2O3-S薄膜的极图的图如图3所示。如图3所 示，ψ N 70°、φ —90°处出现具有最大值的一个衍射峰。这表明CoO2面相对于Al2O3-S面 基板的表面以70°倾斜地叠层。因此，倾斜角度α为约70°。在图2和图3中，只观测到 一个衍射峰，因此可知在CaxC0O2Al2O3-Ii薄膜和CaxCoO2Al2O3-S薄膜中，( 面在单一方 向上倾斜地叠层。为了进一步确认cetxcoo2al2o3-ii薄膜和ceixc0o2ai2o3-s薄膜中的( 面的倾斜 叠层构造，利用截面透射电子显微镜进行评估。图4为CaxCO02/Al203-n叠层体的2层截面 像，图5为CaxC0O2Al2O3-Ii薄膜内的高分辨率像。此外，图6为CaxCoO2Al2O3-S叠层体的2层截面像，图7为Cax0O2Al2O3-S薄膜内的高分辨率像。根据图4 图7，在CEtxCoO2Al2O3-Ii薄膜和CEIxC0O2AI2O3-S薄膜中清晰地观察到 均勻的条纹构造。该条纹构造分别相对于Al2O3-Ii面基板和Al2O3-S面基板的表面倾斜，其 角度与根据各自的极图计算出的CoO2面的倾斜角度α —致。进一步地，该条纹的间隔与 CaxCoO2中的CoO2面的晶格间隔(5入(埃))一致。根据以上，能够确认通过在(0001)面 相对于表面倾斜的Al2O3基板上叠层CaxCc^2薄膜，实际形成有CoO2面相对于Al2O3基板表 面倾斜叠层的CaxCc^2薄膜。图8为表示电动势测定用的辐射检测器的结构的立体图。如图8所示，辐射检测 器20包括Al2O3基板11、叠层在Al2O3基板11上的CaxCc^2薄膜13、设置在CaxCc^2薄膜13 上的第一电极对21和第二电极对22。第一电极对21为沿着CoO2面16的倾斜排列方向23 分离地配置的一对电极，第二电极对22为沿着与倾斜排列方向23垂直的方向分离地配置 的一对电极。另外，倾斜排列方向23与电动势取出方向为同一方向。以连结第一电极对21 的各电极间的线段与连结第二电极对22的各电极间的线段的交点位于彼此的线段的中心 位置的方式配置第一电极对21和第二电极对22。此外，第二电极对22是用于确认在与倾 斜排列方向23垂直的方向上是否产生电动势的部件，实际的辐射检测器中也可以不配置。分别使用QixCO02/Al203-n薄膜和QixC0O2Al2O3-S薄膜，制作出图8所示构造的辐 射检测器。第一电极对和第二电极对分别由Au构成，利用真空蒸镀法形成在CaxCc^2薄膜 的表面。各电极对中的各个电极之间的宽度为6mm。另外，在实际的辐射检测器中，电极宽 度并不限定于6mm，根据用途和设置部位适当确定并最适化即可。使从红外线灯(波长800 2000nm)产生的电磁波，以斑点(spot)直径为8mm入 射到所制作的辐射检测器的表面。具体来说，从红外线灯输出480mW的电磁波，使其入射到 CaxCoO2薄膜的表面的中心位置，测定在倾斜排列方向上产生的电动势V1和相对于倾斜排 列方向垂直的方向上产生的电动势V2。图9为使用CaxCO02/Al203-n薄膜的辐射检测器中由 电磁波的入射和截断引起的电动势随时间变化的曲线图。如图9所示，在来自红外线灯的 电磁波没有入射到使用CaxCO02/Al203-n薄膜的辐射检测器中时，不产生电动势力和V2。然 后，当打开(On)红外线灯使电磁波射入时，电动势V1急剧地增加，固定地显示约112 μ V的 值。另一方面，电动势V2不会显示出显著的增减。其后，当关闭(OFF)红外线灯而截断电 磁波时，电动势V1急剧减少并回到零。另一方面，电动势V2不会显示出显著的增减。此外，图10为表示使用QixC0O2Al2O3-S薄膜的辐射检测器中由电磁波的入射和截 断引起的电动势随时间变化的曲线图。如图10所示，在来自红外线灯的电磁波没有入射到 使用CaxC0O2Al2O3-S薄膜的辐射检测器中时，不会产生电动势V1和V2。然后，当打开红外 线灯使电磁波射入时，电动势V1急剧地增加，固定地显示约90 μ V的值。另一方面，电动势 V2不会显示出显著的增减。其后，当关闭红外线灯来截断电磁波时，电动势V1急剧减少并 回到零。另一方面，电动势V2不会显示出显著的增减。从图9和图10可知，在辐射检测器 中，电动势产生的方向仅为倾斜排列方向。由于电动势的产生方向依赖于CoO2面的倾斜排 列方向，所以可知V1的电动势的产生由来于各向异性热电效应。这些辐射检测器的CEtxCoO2Al2O3-Ii薄膜和CEIxC0O2AI2O3-S薄膜的表背面中产生 的温度差ΔΤΖ，由公式⑴均估算为0.25mK左右。另外，公式⑴中的各值，均为AS = 35μ V/K,d = 150nm、I = 6mm。而且，如上所述，在各个辐射检测器中，Vx为112 μ V、90 μ V，α 为 62°、70°。因此，倾斜排列方向的检测灵敏度，在各个辐射检测器中分别达到450mV/K和 360mV/K。这与现有的使用YBCO倾斜叠层薄膜的辐射检测器的检测灵敏度(100mV/K)相比 较，分别为约4. 5倍和约3. 6倍。产业上的可利用性本发明的辐射检测器，具有优良的辐射检测特性，能够应用于温度传感器、激光的 功率计等伴随有电磁波的辐射的各种对象物的检测中。
权利要求
1.一种辐射检测器，其特征在于，包括 Al2O3基板；叠层在所述Al2O3基板上、CoO2面相对于所述Al2O3基板表面倾斜地排列的CaxCc^2薄 膜，其中，0. 15 < χ < 0. 55 ；配置在所述CaxCc^2薄膜上的第一电极；和位于所述CaxCc^2薄膜上的第二电极，该第二电极在所述( 面倾斜排列的方向上，配 置在与所述第一电极相对的位置，其中， 所述Al2O3基板的表面为η面或S面。
2.如权利要求1所述的辐射检测器，其特征在于 所述第一电极和所述第二电极包含Cu、Ag、Au或Al。
3.一种辐射检测方法，其使用辐射检测器对电磁波进行检测，该辐射检测方法的特征 在于所述辐射检测器包括=Al2O3基板；叠层在所述Al2O3基板上、CoO2面相对于所述Al2O3 基板表面倾斜地排列的CaxCc^2薄膜，其中，0. 15 < χ < 0.55 ；配置在所述CaxCc^2薄膜上 的第一电极；和位于所述CaxCoO2薄膜上的第二电极，该第二电极在所述( 面倾斜排列的 方向上，配置在与所述第一电极相对的位置，其中，所述Al2O3基板的表面为η面或S面，基于由于入射至所述CaxCc^2薄膜的电磁波而在所述CaxCc^2薄膜内产生的温度差，取 出在所述第一电极与所述第二电极之间产生的热电动势，基于所述热电动势检测所述电磁
全文摘要
本发明提供辐射检测器和辐射检测方法。该辐射检测器是具有高检测灵敏度的辐射检测器。本发明的辐射检测器，包括Al2O3基板；叠层在Al2O3基板上、CoO2面相对于Al2O3基板表面倾斜地排列的CaxCoO2薄膜(0.15＜x＜0.55)；配置在CaxCoO2薄膜上的第一电极；和位于上述CaxCoO2薄膜上的第二电极，该第二电极在上述CoO2面倾斜排列的方向上，配置在与第一电极相对的位置上，其中，上述Al2O3基板的表面为n面或S面。
文档编号G01J5/12GK102084510SQ200980125800
公开日2011年6月1日 申请日期2009年12月2日 优先权日2009年2月20日
发明者菅野勉, 足立秀明, 酒井章裕, 高桥宏平 申请人:松下电器产业株式会社