专利名称：一种微纳米尺度散斑的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种微纳米尺度散斑的制作方法，属于光测力学技术领域。
背景技术：
随着微加工技术的不断进步，器件尺寸越来越小，MEMS系统等微小器件的变形测 量需要发展微纳米力学实验方法。数字散斑相关方法具有非接触、全场测量和灵敏度高等 优点，与高分辨率设备相结合可以进行微纳米尺度的变形测量，但是要求试件表面必须具 有清晰可辨的微纳米散斑图案。目前常用的散斑制作方法多为人工制斑方法，如喷漆法，这种方法得到的散斑颗 粒较大，可以通过肉眼识别，仅适用于宏观试件的宏观变形测量，无法满足宏观试件微观 变形测量和微观试件(如MEMS)的变形测量要求。S A Collette等(S A Collette, M A Sutton, P Miney 等，Nanotechnology 15(2004) 1812-1817)发展了一种可用于纳米级应变 测量的散斑制作方法，首先将金膜涂在多孔氧化铝板表面，然后将该板压入聚合物试件中， 将氧化铝板溶解从而使得金膜遗留在试件表面，但是这种方法仅适用于可以软化的聚 合物 材料，适用范围较小，而且难以控制散斑的尺寸。W. A. Scrivens等(W. A. Scrivens & Y. Luo & M. A.Sutton 等，ExperimentalMechanics (2007) 47 :63_77)等发展了两种可用于微纳米 量级应变测量的散斑制作方法，一种是化学气相沉积方法制作纳米级散斑，另一种是紫外 线光刻方法制作微米级散斑，这两种方法都属于化学方法，前者需要镀膜和加温，后者需要 掩模板及镀膜、甩胶、曝光、显影、定影等步骤，且两者都不易定量调节散斑的尺寸。专利 200810101918. X提出利用电子束曝光制作高温微米尺度散斑的方法，该方法包括镀膜、甩 胶、曝光、显影、定影等步骤，虽然可以控制散斑的尺寸和面积，但制作过程较为繁冗复杂。

发明内容
本发明的目的是提供一种在聚焦离子束这一成熟商品仪器环境下，直接在试件表 面制作微纳米尺度散斑的方法。该方法无需掩模板和光刻胶，无温度要求，在常温下即可进 行，操作简单，可以在试件表面制作出可变大小和可变面积的散斑，适用于不同材料的微纳 观变形行为的研究。本发明的技术方案如下1. 一种制作微纳米尺度散斑的方法，其特征在于该方法包括如下步骤1)利用计算机软件生成多幅颗粒大小和数目各不相同的模拟散斑图，根据图像子 区灰度梯度平方和选择出最佳模拟图，将该散斑图转化为二值图；2)进行标定实验将标定试件平放在聚焦离子束系统的载物台上，选定某一放大 倍数，预设置束流强度和刻蚀时间，根据得到的二值图对标定试件表面进行刻蚀，观察该散 斑图案是否清晰，如果不清晰则调整束流强度和刻蚀时间，直至观察到清晰的图案结构为 止，记录选定放大倍数下的束流强度、刻蚀时间和视场面积；多次调整放大倍数，得到放大 倍数与束流强度、放大倍数与刻蚀时间以及放大倍数与视场面积的标定关系曲线；
3)根据被测试件的实际测量面积以及放大倍数与视场面积的标定关系曲线，计算 被测试件刻蚀散斑所需的放大倍数，然后根据所需的放大倍数得到束流强度和刻蚀时间；4)将被测试件平放在聚焦离子束系统的载物台上，根据步骤3)计算得到的被测 试件刻蚀散斑所需的放大倍数、束流强度和刻蚀时间，调整好聚焦离子束系统，根据步骤1) 中得到的二值图进行刻蚀，最终在被测试件表面得到所需尺寸的散斑结构。本发明所述的被测试件采用硅片、玻璃、金属、半导体或聚合物材料。本发明与现有技术相比，具有以下优点及突出性效果散斑的制作过程在聚焦离 子束系统这一成熟商品仪器中完成；制作散斑的工艺相对简单灵活，无需掩模板和光刻胶， 无温度要求；散斑大小可变、面积可变，为数字图像相关方法用于微纳米变形测量提供了前 提。


图1为本发明的操作流程图。
图2模拟散斑图。图3为经二值化处理的散斑图。图4放大倍数与视场边长关系曲线。
具体实施例方式现结合附图对本发明的具体实施方式
作进一步说明。图1为本发明的操作流程图。利用计算机软件(如Matlab)生成多幅颗粒大小和 数目各不相同的模拟散斑图，根据图像子区灰度梯度平方和选择出最佳模拟图，将该散斑 图转化为二值图。进行标定实验，将标定试件平放在聚焦离子束系统的载物台上，选定某一 放大倍数，预设置束流强度和刻蚀时间，根据得到的二值图对标定试件表面进行刻蚀，观察 该散斑图案是否清晰，如果不清晰则调整束流强度和刻蚀时间，直至观察到清晰的图案结 构为止，记录选定放大倍数下的束流强度、刻蚀时间和视场面积；多次调整放大倍数，得到 放大倍数与束流强度、放大倍数与刻蚀时间以及放大倍数与视场面积的标定关系曲线。根 据被测试件的实际测量面积以及放大倍数与视场面积的标定关系曲线，计算被测试件刻蚀 散斑所需的放大倍数，然后根据所需的放大倍数得到束流强度和刻蚀时间。将被测试件平 放在聚焦离子束系统的载物台上，根据计算得到的被测试件刻蚀散斑所需的放大倍数、束 流强度和刻蚀时间，调整好聚焦离子束系统，根据得到的二值图进行刻蚀，最终在被测试件 表面得到所需尺寸的散斑结构。下面通过具体的实施例进一步理解本发明。实施例1 利用Matlab软件生成散斑大小和数目各不相同的多幅模拟散斑图(图2)，模拟散 斑图由多个散斑颗粒(高斯光斑)叠加形成，其各点的灰度可用如下的函数表示
fJ_— 'Ν
、 . τ (χ-X,)2 + (y -Vz.)2
I (X, y) = int、1 Ik exp - --—~>
、“ L R 」J 其中，S为散斑颗粒的数目；R散斑颗粒的大小；二维随机变量(xk，yk)是第k个散 斑颗粒的中心位置；Ik为第k个散斑颗粒中心的灰度值。
根据图像子区灰度梯度平方和选择出最佳模拟图(图2(e))，图像子区灰度梯度 平方和越大，说明散斑图越好，将该散斑图转化为二值图(图3)，其中图像子区灰度梯度平 方和的定义为
<formula>formula see original document page 5</formula>
SSSIGx和SSSIGy分别为χ和y方向的图像子区灰度梯度平方和，gx和gy分别为χ 和y方向的灰度梯度，其计算公式为
<formula>formula see original document page 5</formula>首先以硅片进行标定实验，经清洗后，将该试件放置在聚焦离子束系统的载物台 上。聚焦离子束系统的固定加速电压U = 30kV，固定工作距离为18mm，在放大倍数为5000 时，预设置束流强度和刻蚀时间，根据得到的二值图对标定试件表面进行刻蚀，观察该散斑 图案是否清晰，如果不清晰则调整束流强度和刻蚀时间，直至观察到清晰的图案结构为止， 记录选定放大倍数下的束流强度、刻蚀时间和视场边长；调整放大倍数至10000,12000， 15000和20000，得到放大倍数与束流强度、放大倍数与刻蚀时间以及放大倍数与视场边长 的标定关系曲线(图4)。由于视场面积为两边长之积，两边长的比例又是一定的，所以得出 放大倍数与视场一边长的关系即相当于得到了放大倍数与视场面积的关系曲线。被测试件为无定形碳化硅微器件，经计算其刻蚀所需放大倍数为10000，对应束流 强度I = 164pA，刻蚀时间为5min，将该试件放置在聚焦离子束系统的载物台上，固定加速 电压U = 30kV，固定工作距离为18mm，根据步骤计算得到的被测试件刻蚀散斑所需的放大 倍数、束流强度和刻蚀时间，调整好聚焦离子束系统，根据图3在试件表面进行刻蚀，最终 得到所需的散斑图。
权利要求
一种微纳米尺度散斑的制作方法，其特征在于该方法包括如下步骤1)利用计算机软件生成多幅颗粒大小和数目各不相同的模拟散斑图，根据图像子区灰度梯度平方和选择出最佳模拟图，将该散斑图转化为二值图；2)进行标定实验将标定试件平放在聚焦离子束系统的载物台上，选定某一放大倍数，预设置束流强度和刻蚀时间，根据得到的二值图对标定试件表面进行刻蚀，观察该散斑图案是否清晰，如果不清晰则调整束流强度和刻蚀时间，直至观察到清晰的图案结构为止，记录选定放大倍数下的束流强度、刻蚀时间和视场面积；多次调整放大倍数，得到放大倍数与束流强度、放大倍数与刻蚀时间以及放大倍数与视场面积的标定关系曲线；3)根据被测试件的实际测量面积以及放大倍数与视场面积的标定关系曲线，计算被测试件刻蚀散斑所需的放大倍数，然后根据所需的放大倍数得到束流强度和刻蚀时间；4)将被测试件平放在聚焦离子束系统的载物台上，根据步骤3)计算得到的被测试件刻蚀散斑所需的放大倍数、束流强度和刻蚀时间，调整好聚焦离子束系统，根据步骤1)中得到的二值图进行刻蚀，最终在被测试件表面得到所需尺寸的散斑结构。
2.按照权利要求1所述的一种微纳米尺度散斑的制作方法，其特征在于所述的被测 试件采用硅片、玻璃、金属、半导体或聚合物材料。
全文摘要
一种微纳米尺度散斑的制作方法，属于光测力学技术领域。本发明的技术特点是在聚焦离子束系统这一成熟商品仪器环境下，完成微纳米尺度散斑的制作，该方法可直接在试件表面进行刻蚀，无需掩模板和光刻胶，无温度要求，在常温下即可进行，操作简单。通过比较图像子区灰度梯度平方和选用最佳模拟散斑图，通过改变聚焦离子束系统的放大倍数可以控制散斑的大小和面积，通过改变束流强度和刻蚀时间可改变散斑形貌，所制作的散斑适用于不同材料的微纳观变形行为的研究。
文档编号G01B11/16GK101832759SQ20101013883
公开日2010年9月15日 申请日期2010年4月6日 优先权日2010年4月6日
发明者朱建国, 李艳杰, 王怀喜, 谢惠民 申请人:清华大学