专利名称：一种激光椭偏仪的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种激光椭偏仪，尤其涉及一种在硅太阳能电池片生产过程中用于测量电池片表面膜厚及折射率的激光椭偏仪。
背景技术：
在硅太阳电池的制工艺过程之中，通常需要采用薄膜沉积工艺进行硅片的镀膜， 例如可采用PECVD (plasma enhanced chemical vapor d印osition，等离子增强化学气相沉积)的沉积工艺对硅片进行氮化硅的真空镀膜，使在硅片表面形成防反射层。在镀膜结束后我们需要测量硅片表面所镀的减反射薄膜的折射率及膜厚是否达到我们工艺设定的要求，我们一般需要在硅片测试5个不同的点来确定薄膜是否合格。这 5个点分别为硅片中心点、硅片四角距离硅片边缘Icm处。现用的激光椭偏仪有以下缺点1、通过手动在载物台上移动硅片容易导致碎片；2、手动移动电池片不能够准确使硅片移动到准确位置，导致测量误差；3、单晶及多晶切换测量时需要更换载物台。

实用新型内容实用新型目的本实用新型的目的在于针对现有技术的不足，提供一种能够可自动定向定点移动、适用于单多晶测量要求的激光椭偏仪。技术方案本实用新型所述的激光椭偏仪，包括硅片载物台，还包括设置在所述硅片载物台下方的正交导轨，所述正交导轨上设置有由步进电机驱动的丝杠，由所述步进电机驱动所述丝杠转动带动所述硅片载物台沿所述正交导轨定向移动，以方便测量电池片不同点的减反膜参数。所述硅片载物台与水平台面之间设置有可改变所述硅片载物台倾斜角度的活动支架，不用更换载物台便能适用于单多晶测量要求的载物台。根据检测要求，在测试单晶硅片减反膜折射率及膜厚时载物台需要倾斜45度，我们可以通过载物台活动支架调节载物台角度。所述硅片载物台表面设置有两个用于固定硅片位置的突起的定位点，方便硅片的固定。本实用新型与现有技术相比，其有益效果是1、本实用新型通过步进电机控制硅片载物台的移动距离，增加了测试点选择的准确性，减少测量误差；2、在测试单晶和多晶时不再需要根据测试要求更换载物台，只需要通过载物台支架更改倾斜角度，使用方便；3、本实用新型结构简单，经济实用，和手动移动硅片相比减少了碎片的可能性。

图1为本实用新型激光椭偏仪的结构示意图。
具体实施方式

以下结合附图，对本实用新型技术方案进行详细说明，但是本实用新型的保护范围不局限于所述实施例。实施例如图1所示，本实用新型所述激光椭偏仪，包括硅片载物台1，设置在所述硅片载物台ι下方的正交导轨2，所述正交导轨2上设置有由步进电机驱动的丝杠3，由所述步进电机驱动所述丝杠3转动带动所述硅片载物台1沿所述正交导轨2定向移动；所述硅片载物台1与水平台面之间设置有可改变所述硅片载物台1倾斜角度的活动支架4 ；所述硅片载物台1表面设置有两个用于固定硅片位置的突起的定位点。工作时，步进电机控制丝杠，丝杠带动载物台沿导轨定向移动，步进电机精确控制载物台移动距离，使我们能够测量载物台上硅片的不同测试点。根据检测要求，在测试单晶硅片减反膜折射率及膜厚时载物台需要倾斜45度，我们可以通过隐藏在载物台下面的支架调节载物台角度，只需将支架拿出撑住载物台即可。如上所述，尽管参照特定的优选实施例已经表示和表述了本实用新型，但其不得解释为对本实用新型自身的限制。在不脱离所附权利要求定义的本实用新型的精神和范围前提下，可对其在形式上和细节上作出各种变化。
权利要求1.一种激光椭偏仪，包括硅片载物台(1)，其特征在于还包括设置在所述硅片载物台 (1)下方的正交导轨O)，所述正交导轨( 上设置有由步进电机驱动的丝杠C3)，由所述步进电机驱动所述丝杠C3)转动带动所述硅片载物台(1)沿所述正交导轨( 定向移动。
2.根据权利要求1所述的激光椭偏仪，其特征在于所述硅片载物台(1)与水平台面之间设置有可改变所述硅片载物台(1)倾斜角度的活动支架G)。
3.根据权利要求1所述的激光椭偏仪，其特征在于所述硅片载物台(1)表面设置有两个用于固定硅片位置的突起的定位点。
专利摘要本实用新型公开一种激光椭偏仪，包括硅片载物台(1)，还包括设置在所述硅片载物台(1)下方的正交导轨(2)，所述正交导轨(2)上设置有由步进电机驱动的丝杠(3)，由所述步进电机驱动所述丝杠(3)转动带动所述硅片载物台(1)沿所述正交导轨(2)定向移动。本实用新型通过步进电机控制硅片载物台的移动距离，增加了测试点选择的准确性，减少测量误差。
文档编号G01B11/06GK202119404SQ20112019219
公开日2012年1月18日 申请日期2011年6月9日 优先权日2011年6月9日
发明者勾宪芳, 姜利凯, 孙晨财, 王鹏, 陈呈, 高荣刚, 魏文文 申请人:中节能太阳能科技(镇江)有限公司