专利名称：一种高精度微位移测量装置及方法
技术领域：
本发明涉及一种高精度微位移测量装置及方法，特别是一种基于压电陶瓷的调整测量精度的微位移测量装置和方法。
背景技术：
位移传感器作为传感器领域中的重要一部分，可以用来精确测量被测物体的位置、位移变化等变化，主要应用于检测物体的位移、厚度、振动、距离、直径等几何量的测量， 在民用和军用领域有着广泛的应用前景。在现有报道中，位移传感器主要分为电感式位移传感器，电容式位移传感器，光电式位移传感器，超声波式位移传感器，霍尔式位移传感器。虽然种类很多，但是现有的位移传感器的位移精度最高只能达到纳米量级，因此，对一些需要高精度位移测量方面起了限制作用。图I为现有技术中的一种微位移传感器，待测物I与反射面2相连接，光源3出射光束分别通过光栅4和反射面2反射，两束反射光束发生干涉，该干涉光束的光强被光电探测器件5探测，在待测物I和光栅4之间通过静电吸引来改变两者之间的距离，当两者之间的距离发生改变时，相应地，光电探测模块5探测到的相干光束的光强信息也会随之改变， 通过分析光强信息的改变可以计算得出待测物I所发生的位移。

发明内容
本发明针对现有技术中的微位移传感器所存在的测量精度低的问题，提出了一种高精度微位移测量装置。一种高精度微位移测量装置，包括外壳，外壳内设有沿光路依次布置的光源和光栅，所述的光栅沿光轴方向可滑动的安装在外壳内，还设有压电陶瓷部件，该压电陶瓷部件一侧与所述的光栅的表面相贴合，另一侧与外壳相对固定。采用上述结构的微位移测量装置，光源出射光束分别经光栅和待测物反射后，在光栅朝向光源的一侧形成干涉光束，所述的压电陶瓷部件被施加电压后通过自身的形变带动与之相连的光栅沿光轴方向运动，调整了光栅和待测物之间的间距，当光栅和待测物之间的间距保持在某一定值时，待测物的微小位移可以导致所述干涉光束各个级次方向上的光强改变量最大，产生了最大的光强差值，根据光强的差值可以推算出待测物所发生的微小位移，即待测的微小位移通过光强的差值得到放大，通过检测光强的值可以得出微小位移值。所述的压电陶瓷部件为中心与光路对应的环形部件且带有两个电极，该环形结构使透过光栅的光束通过，不影响该光束的传播。所述的微位移测量装置设有用于驱动压电陶瓷部件形变的压电陶瓷驱动模块； 用于检测干涉光束光强的光电探测模块，所述的干涉光束为被光栅反射的光束和被待测物反射的光束发生干涉形成；用于根据光电探测模块的信号来控制压电陶瓷驱动模块的信号处理模块。所述的压电陶瓷部件的两个电极分别接入压电陶瓷驱动模块对应的接口。本发明高精度微位移测量装置中，光电探测模块和压电陶瓷驱动模块均与信号处理模块连接，信号处理模块一方面通过控制压电陶瓷驱动模块来改变压电陶瓷部件的形变量，另一方面用于接收光电探测模块收集的信息，信号处理模块通过分析光电探测模块所反馈的信息以及光栅与待测物之间的间距，并控制压电陶瓷驱动模块来驱动压电陶瓷调整光栅与反射面之间的距离同时给压电陶瓷施加一定频率和幅值的调制信号，通过对探测信号采取锁相放大处理可以精确获得被测表面位移量的大小。本发明还提供了一种高精度微位移测量方法，包括以下步骤(I)光源出射光束经过光栅后投射到待测物的反射面；(2)被光栅反射的衍射光束和被反射面反射经过光栅产生的同级次衍射光束发生干涉；(3)利用调制电压驱动压电陶瓷部件产生位相调制信号，对探测器探测的干涉光束的光强信号进行锁相放大处理计算得出待测物的位移量。本发明方法的关键在于，在开始测量前，通过压电陶瓷的自身形变带动与之相连的光栅沿轴向运动，直至光栅和待测物的反射面之间的初始距离为λ/8的奇数倍，λ为光源出射光束的波长，因为所述的干涉光束的各个级次的光强会随着光栅和待测物发射面之间的距离的变化而变化，如一级衍射光的光强表达式为I = (4Iin/ji2)Xsin2(2Jid/A)， 其中1&和λ分别为光源出射光束的光强和波长，d为光栅和待测物反射面之间的间距，而一级衍射光光强I对间距d的改变量可以表示为SI I dd = (SIjn / πλ) X sin {Απ / λ)在d取值为λ/8的奇数倍时，为最大，即所探测到的光强改变速率最大，这样，微小位移通过光强的改变量得到放大，通过测量该光强即可间接测量微小位移。本发明在外壳和光栅之间设置压电陶瓷部件，通过控制压电陶瓷的自身形变来调整光栅和待测物的反射面之间的间距，当该间距控制在某一固定值时，待测物的单位位移可以导致干涉光束各个级次方向上的光强改变量最大，通过探测该光强改变量并对探测信号采取锁相放大处理可以精确获得被测表面位移量的大小。本发明相对现有技术中的微位移传感器提高了测量灵敏度。


图I为现有技术中的一种微位移传感器结构示意图；图2为本发明的微位移测量装置结构示意图；图3为本发明的压电陶瓷部件的结构示意图。
具体实施例方式以下结合

本发明的一种实施方式。图2为本发明的一种高精度微位移测量装置结构不意图，包括外壳6,外壳6内设有沿光路依次布置的光源3和光栅4，光栅4沿光轴方向可滑动的安装在外壳6内，还设有压电陶瓷部件7，该压电陶瓷部件7 —侧与所述的光栅4的表面相贴合，另一侧与外壳6相对固定。如图3所示，压电陶瓷部件7为环形，中间部位为透光孔可容许光源发出的光束通过。光栅4朝向光源3 —侧的表面上设置有石英玻璃8，压电陶瓷部件7通过与之相连的压电陶瓷驱动模块9在压电陶瓷部件7的两个电极上施加电压来控制压电陶瓷部件7的形变量；光源3出射光束入射到光栅4上时，一部分光由光栅4直接反射；另一部分通过光栅4间隙照射到反射面2然后反射回来，这两部分光束在光栅4朝向光源3的一侧发生干涉，形成干涉光束，在干涉光束的各个级次方向上设置有光电探测模块5，用于探测干涉光束的光强，并将探测的光强信息传送到与之相连的信号处理模块10,信号处理模块10同时控制压电陶瓷驱动模块9，并间接控制压电陶瓷部件7的形变量。具体测量步骤如下首先，打开光源3，光源3出射的光束依次经过石英玻璃8、光栅4、压电陶瓷部件7后投射到待测物I的反射面2，利用信号处理模块10控制压电陶瓷驱动模块9，调整压电陶瓷驱动模块9施加在压电陶瓷部件7的两个电极上的电压，用于改变压电陶瓷部件7的形变量，并带动光栅4沿光轴方向运动，使光栅4和待测物I的反射面2 的间距为λ/8，λ为光源出射光束的波长，并记录此时光电探测模块5探测到的干涉光束一级衍射光的光强值，接着调整待测物I的位置，使之沿光轴方向产生微小位移，并再次记录干涉光束一级衍射光的光强值，通过锁相放大和差分处理，可以获得更高的测量精度，通过比较前后两次光强值，可以计算得出待测的微小位移值。本发明实施例中采用的光栅4为金属材质，周期为2μπι;本发明采用陶瓷-玻璃键合工艺，将石英玻璃8上的金属光栅与压电陶瓷结合做成测量的敏感部件。具体的由以下内容实现首先在石英玻璃8—面镀金属薄膜铬Cr，通过电子束曝光制作出金属光栅。然后，采用键合工艺将光栅4与压电陶瓷部件7结合成一个整体部件。反射面2为具有一定反射率的平面反射面。本发明实施例中采用的光源3为垂直腔表面发射激光器，功率为lmW，波长为 850nm,由恒功率电路驱动；光电探测器件5采用光电二极管，可探测的最小光电流为 O. InA,响应灵敏度为O. 6A/W。本发明通过压电陶瓷部件来改变光栅和待测物之间的间距， 使该间距取某一值时，光强的改变速率最大，并探测在该值附近待测物产生的微小位移所引起的光强变化量，本发明的微位移测量装置和方法使探测精度提高。
权利要求
1.一种高精度微位移测量装置，包括外壳￠)，外壳(6)内设有沿光路依次布置的光源 ⑶和光栅(4)，其特征在于所述的光栅⑷沿光轴方向可滑动的安装在外壳(6)内，还设有压电陶瓷部件(7)，该压电陶瓷部件(7) —侧与所述的光栅(4)的表面相贴合，另一侧与外壳(6)相对固定。
2.根据权利要求I所述的高精度微位移测量装置，其特征在于，所述的压电陶瓷部件(7)为中心与光路对应的环形部件且带有两个电极。
3.根据权利要求I所述的高精度微位移测量装置，其特征在于，设有用于驱动压电陶瓷部件(7)形变的压电陶瓷驱动模块(9)；用于检测干涉光束光强的光电探测模块(5)，所述的干涉光束为被光栅(4)反射的光束和被待测物(I)反射的光束发生干涉形成；用于根据光电探测模块(5)的信号来控制压电陶瓷驱动模块(9)的信号处理模块 (10)。
4.一种高精度微位移测量方法，其特征在于，包括以下步骤(1)光源出射光束经过光栅后投射到待测物的反射面；(2)被光栅反射的衍射光束和被反射面反射经过光栅产生的同级次衍射光束发生干涉；(3)利用调制电压驱动压电陶瓷部件产生位相调制信号，对探测器探测的干涉光束的光强信号进行锁相放大处理计算得出待测物的位移量。
全文摘要
本发明公开了一种高精度微位移测量装置，包括外壳，外壳内设有沿光路依次布置的光源和光栅，所述的光栅沿光轴方向可滑动的安装在外壳内，还设有压电陶瓷部件，该压电陶瓷部件一侧与所述的光栅的表面相贴合，另一侧与外壳相对固定，通过控制压电陶瓷部件的自身形变量来调整光栅和待测物之间间距，使在该间距附近，通过光栅直接反射的光束和经待测物反射面反射的光束干涉得到的各个级次方向上的光强变化速率达到最大，使得待测物的微小位移量可以通过光强变化量得到放大，本发明相对现有微位移传感器提高了测量精度。
文档编号G01B11/02GK102589446SQ201210056348
公开日2012年7月18日 申请日期2012年3月6日 优先权日2012年3月6日
发明者侯昌伦 申请人:浙江大学