专利名称：测量系统和方法
技术领域：
本发明涉及光伏模块及其制造方法。
背景技术：
可用各种材料包覆玻璃板，以改变玻璃性质，例如，提供抗反射、导电、发光或光伏的表面。在沉积以产生这些表面中的一个或更多个的过程中或之后，在表面上会产生一缺陷或多个缺陷，和/或会出现基底的一部分相对于其期望的位置或形状的移位(偏离)。这些缺陷和/或移位会使包括该玻璃的最终装置的性能不正常。


图1是用于测量基底中的缺陷的系统的示意图。图2是用于测量基底中的缺陷的系统的示意图。
具体实施例方式一个或更多个包覆物或层可邻近于基底(substrate)(或覆板(superstrate))创建(例如，形成或沉积)。基底可包含各种材料中的任意一种，所述各种材料包括例如玻璃或半导体晶片(例如，硅)。例如，一个或更多个层可邻近于玻璃板形成。每个层可包含多种材料或层，并且可覆盖玻璃基底的全部或一部分和/或在该层下方的层或基底的全部或一部分。例如，“层”可包括与表面的全部或一部分接触的任何量的任何材料。可以通过选择性地施加包覆物，或者通过从基底去除(例如，消蚀)包覆物的一个或更多个部分，来使基底的一个或更多个边缘基本没有包覆物。这样的基底可适于各种用途，包括例如用作光伏模块基底。在诸如光伏模块的物体的制造过程中，尤其是在高温处理步骤过程中，在该物体的结构中会产生一个或更多个缺陷、变形和/或移位，导致其脱离其期望的形状或轮廓。例如，基本平坦的物体(例如用在光伏模块中的基底)在热处理过程中或之后会具有容易移出平面的边缘。这种移位会由基底材料的软化(例如，在大约600°C以上的温度)以及其后或同时与辊或传送器的接触而导致，从而导致移位。会在物体的一部分中出现的这种移位的另一示例是当物体或其一部分具有弯曲的、期望的轮廓时，出现移位，导致物体或其一部分呈现伸直的或基本平坦的形状或轮廓，与所期望的轮廓相反。在物体是具有基本平坦的、期望的形状或轮廓的基底的其它示例中，基底的表面会在基底的表面的多个部分倾斜；基底会包含结构性上的各种不一致；基底的整体形状会从其预加工形式显著变化；或者基底的体积会在多个区域膨胀或收缩。这些缺陷、变形和/或移位会表现为基底中的弯曲或扭曲(kink)。这些缺陷会出现在基底的任何区域上以及基底的任何区域内，包括例如，沿着基底的一个或更多个边缘，或基本接近于基底的一个或更多个边缘，或者沿着基底的包覆部分或未包覆部分中的任一个。缺陷会由于各种原因中的任何原因而出现。玻璃(通用的基底材料)是非晶结构。这样，玻璃基底上以及整个玻璃基底的热膨胀系数会显著变化，当暴露于高温时，可能导致基底的不均匀膨胀。这会导致在特定区域的厚度变化，包括例如，会表现为弯曲或“扭曲”(kink)的厚度变化。例如，在沉积各种包覆层的过程中，基底可被暴露于显著高的温度，包括例如大约400°C以上、大约500°C以上、大约600°C以上或大约700°C以上。例如，一个或更多个活性层或半导体层(例如，硫化镉和碲化镉，或者镉、铟、镓和硒的层)可邻近于基底沉积。半导体层可使用任何合适的高温技术邻近于基底形成，包括例如气相传输沉积或近空间升华。这些和其它相似的高温处理会导致玻璃基底出现不均匀的热膨胀，导致会影响模块性能的一个或更多个缺陷。相似地，可检测到的变形和/或移位会出现在由容易在热处理过程中软化的材料制成的任何物体的任一部分或整个中，包括具有塑料、聚碳酸酯、矿物、金属、玻璃、纤维或聚合物组分，或者任何这样的材料的任何合适的组合，或者任何其它合适的材料的物体。可检测到的变形会在高温热处理步骤和/或制造工艺的步骤中出现，即，材料经受的温度等于或大于该材料软化并变得容易变形和/或一部分移位的温度。这样的高温热处理可包括退火、回火、包覆或者这些的任意组合，或任何其它高温热处理。在诸如光伏基底的基底的情况下，还会由于基底和沉积在其上的各种包覆层的热膨胀系数的不一致而出现缺陷。如上所述，各种层可以邻近于基底形成。这些层中的每个层会具有与基底的热膨胀系数不同的热膨胀系数。这些层会以许多不同的方式膨胀(例如，变形)，包括例如，以导致支撑基底的变形的方式。因此，基底会变形的方式和程度不是完全可以预测的。并且它也不完全取决于基底自身的特性。作为非限制性示例，可以邻近于基底(例如，直接在基底上)形成一个或更多个阻挡层。阻挡层可包括任何合适的阻挡材料，包括例如氮化硅、掺杂有铝的氮化硅、氧化硅、掺杂有铝的氧化硅、掺杂有硼的氮化硅、掺杂有磷的氮化硅、氮氧化硅或氧化锡。可邻近于该一个或更多个阻挡层形成透明导电氧化物层。透明导电氧化物层可包含任何合适的材料，包括例如镉和锡(例如，锡酸镉)的层。可邻近于透明导电氧化物层形成缓冲层。缓冲层可包括任何合适的材料，包括例如氧化锡、氧化铟、氧化锌、氧化锌锡以及高电阻氧化物的任意其它合适的组合。阻挡层、透明导电氧化物层和缓冲层可以是透明导电氧化物堆叠件的部件。透明导电氧化物堆叠件中的层可利用各种沉积技术中的任何技术来形成，包括例如低压化学气相沉积、大气压化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、热化学气相沉积、DC或AC溉射、旋涂沉积或喷射热解。可以邻近于透明导电氧化物堆叠件形成一个或更多个活性层或半导体层，包括例如邻近于硫化镉层形成的碲化镉层。这些堆叠件或半导体层中的任意一个可具有彼此不同的热膨胀系数或者与玻璃基底不同的热膨胀系数。虽然模块基底(或任何基底)中的缺陷在某种程度上是平常的，但是相对于优选平面的弯曲或偏差有多少能够被接受是存在限制的，尤其是，如果这些缺陷将对期望的使用具有实质性的影响。对于光伏模块基底，例如，存在阈值，超过该阈值时，缺陷会损害获得的装置的适当的功能和性能，该阈值例如是基底的热处理过程中由例如传送器或辊导致变得可变形的基底引起的大约Imm或更大的偏移。可类似于基底中的扭曲(kink)的边缘偏移会影响包括层叠工艺的光伏模块的制造，或者影响模块通过后续的性能测试的能力。在光伏模块的制造之前、制造过程中或制造之后检测或测量基底的表面或边缘上的缺陷可提供装置制造过程中的有价值的信息，该信息可用于调整工艺参数。这可通过接近被构造成接纳基底的区域(zone)或区(area)设置一个或更多个传感器来实现。可在任何合适的位置(例如，在材料包覆设备的位置之后)接近基底输送过程中的基底(例如在基底上方)安装传感器。可使传感器避光，以保持通过传感器进行的测量的完整性(integrity)。例如，传感器可位于阻挡周围的光到达感测环境的防护装置或室中。传感器可以是任何合适的类型，包括例如，任何合适的光学测微计或激光移位传感器。传感器可被构造成检测或测量模块基底中的包括例如平面变形在内的任何种类的缺陷，以及基底的任何部分上或任何部分内(包括例如在一个或更多个包覆的或未包覆的边缘上)的任何弯曲或“扭曲”(kink)。传感器可以以基本上接近基底的方位设置，以能够检测或测量基底的一个或更多个尺寸。例如，第一传感器可设置在基底的第一边缘上方或下方，第二传感器可设置在基底的第二边缘上方或下方。第一传感器和第二传感器可被构造成测量基底的前边缘和/或后边缘上的边缘缺陷。基底可被放置在穿梭机(shuttle)上或者用于传输基底的任意其它合适的装置上。基底可邻近一个或更多个传送辊放置，并接近一个或更多个传感器来进行输送。基底可以沿着轴输送，所述一个或更多个传感器可以沿所述轴设置，以随着基底沿该轴经过而测量沿基底的边缘的缺陷。所述一个或更多个传感器可排列在与输送轴垂直的公共轴上。输送轴可被构造成输送装配线中的多个基底。在输送轴上移动的基底可具有沉积在其上的一个或更多个包覆层，或者它们可以基本或完全不具有包覆物。例如，输送轴可包括装配线的一部分，在所述一部分中，基底具有沉积在其上的一个或更多个半导体层(例如，在硫化镉层上的碲化镉层)。在这种情况下，可将所述一个或更多个传感器构造成检测或测量制造后的基底中的缺陷。可选地，输送轴可包括装配线的一部分，在所述一部分中，经过该部分的基底仅具有沉积在其上的一个包覆物或不具有沉积在其上的包覆物。在这种情况下，所述一个或更多个传感器可被构造成检测或测量在制造模块之前或制造模块过程中的基底中的缺陷。所述传感器可以与一个或更多个另外的传感器结合使用，所述另外的传感器被构造成表征模块的光电性质。对于该工作，可使用任何合适的传感器，包括例如光谱反射/透射传感器、雾度传感器(haze sensor)、薄层电阻传感器或光-发光传感器。这些另外的传感器可位于基本接近于模块基底所经过的区域的任何合适的位置，包括例如，基本靠近任何其它传感器，或者在输送轴或模块基底的上方或下方。所有上述传感器可以电连接到微处理器，微处理器可被构造成接收并处理数据。微处理器可具有存储在其中的阈值，所述阈值表示临界的最大缺陷水平。该阈值可对应于相对于存储在微处理器中的初始基底轮廓的最大可接受偏差。初始基底轮廓可包括这样的信息，该信息表示在制造之前的基底的体积或面积的初始测量值。这些值可存储在存储组件中，所述存储组件可与微处理器连接，或者可以是微处理器本身的一部分。可在制造基底(即，在基底的表面上沉积各种层)之前获得该初始轮廓。初始轮廓可对应于正在被测量的基底的实际轮廓或者对应于理论上的基底，对于理论上的基底，理论上的测量值表示基底的面积和体积参数的实际值的合理估计。
微处理器可以将从传感器接收的值与初始轮廓作比较，从传感器接收的值可等于正在被测量的当前基底的各个区域上的面积和体积的测量值。可以将初始轮廓和测量的值之间发现的任何差别与阈值作比较。如果测量的值与初始轮廓之间的差别超出阈值，则微处理器可输出报警信号。报警信号可对应于声音或光的形式的实际报警，或者它可以是HIGH或LOW电压信号(即，以_5V、0V或5V输出的形式)。报警信号可以采取数字形式或模拟形式(即，从大约OmA至大约20mA)。微处理器可将报警信号输出至计算机、计算机网络或任何其它系统。该信号可以通过硬件或无线通信的任何合适的方式来输出。在接收到该信号时，计算机、计算机网络或其它系统可以启动自动响应。例如，可使生产线或系统暂停，从而可从装配线移除模块以进行检查。基底也可被改送至另一制造区(area)或制造区域(zone)。该新的制造区域可包括用于修复基底中的一个或更多个测量到的缺陷的装置，或者它可以允许对基底进行进一步分析和检查，以确定是否应将该基底废弃，或者是否可继续进一步的处理。来自传感器的数据可以以任何合适的方式被编辑和处理。例如，数据可以以任何合适的方式用于改善制造工艺和设备及其控制。基底可被输送至指定的区域，以用于修复基底中测量到或检测到的缺陷中的一个或更多个。例如，可升高或降低处理环境的温度来控制基底的热膨胀。这可以通过使接近基底设置的一个或更多个加热器的温度升高或降低来实现。可在模块的处理过程中执行该修复步骤。例如，传感器可接近沉积一个或更多个层的过程中的基底设置。传感器可向系统表明沉积环境的参数正在引起过度的变形。该系统可被构造成响应于检测到的缺陷来调整环境的温度。这种校正步骤也可在沉积一个或更多个包覆层之后进行。这里讨论的方法和系统可用于绘制基底的表面轮廓。这些测量值可用作回火、退火、沉积或其它制造或测试工艺中的温度、包覆物或材料特性的实时指示器(real-timeindicator)。因此，在制造工艺的全部时间，可以监测基底的特性，以确保基底保持适当的形式，从而确保获得的光伏模块的最佳性能。在一方面中，一种具有期望的形状的物体的一部分中的移位的测量方法可包括:利用沿用于输送物体的第一轴设置的一个或更多个传感器来检测所述物体的一部分相对于所述一部分的期望位置的移位。该方法可包括接近被构造成接纳所述物体的区域设置传感器。被构造成接纳基底的区域可以沿用于输送所述物体的第一轴设置。所述一个或更多个传感器可包括沿与第一轴基本垂直的第二轴排列的两个传感器。这两个传感器可以设置在第一轴的相对侧上。随着所述物体在第一轴上移动，可以进行所述检测。该方法可包括沿着第二轴排列两个传感器，第二轴基本垂直于第一轴并横过被构造成接纳所述物体的区域。这两个传感器可设置在被构造成接纳所述物体的区域的相对侧上。所述检测可包括测量沿着所述物体的边缘的移位。所述物体可包括平坦表面。所述物体可包括基底。所述物体可包括被构造成用在光伏模块中的基底。基底可包括玻璃。所述检测可包括测量沿着基底的未包覆区域的移位。在另一方面中，一种具有期望的轮廓的物体的一部分中的缺陷的测量方法可包括确定期望的物体轮廓。该方法可包括确定在用于输送所述物体的第一轴上移动的物体的实际物体轮廓。该方法可包括将期望的物体轮廓与实际物体轮廓作比较，来确定缺陷值。该方法可包括接近被构造成接纳所述物体的一部分的区域设置传感器。被构造成接纳所述物体的一部分的区域可以沿用于输送所述物体的第一轴设置。
缺陷值可对应于所述物体的一部分上的一个或更多个缺陷。所述部分可包括边缘部分。缺陷值可对应于所述物体的未包覆边缘上的一个或更多个缺陷。所述物体可包括平坦的基底。期望的物体轮廓可对应于理论上的物体的一组测量值。该方法可包括将缺陷值与阈值作比较。该方法可包括:如果缺陷值超出阈值，则暂停基底的处理。该方法可包括:如果缺陷值超出阈值，则将基底移至检查区域。该方法可包括:如果缺陷值未超过阈值，则继续基底的处理。该方法可包括:如果缺陷值超过阈值，则修复基底中的一个或更多个缺陷。所述修复可包括使基底周围的气氛中的温度升高或降低。基底可以是光伏模块的一部分。基底可包括玻璃。在另一方面中，一种包括期望的轮廓的物体的一部分中的移位的测量系统可包括一个或更多个传感器，所述一个或更多个传感器被构造成:随着物体沿着输送轴经过，测量所述物体的一部分的移位。该系统可包括被构造成接纳物体的区域。被构造成接纳物体的区域可以沿输送轴设置。所述一个或更多个传感器可沿着第二轴并基本接近于所述区域设置(定位)，第二轴横过被构造成接纳物体的区域。所述一个或更多个传感器可包括光学测微计。所述一个或更多个传感器可包括激光移位传感器。所述一个或更多个传感器可包括沿着与输送轴基本垂直的第二轴排列的第一传感器和第二传感器。被构造成接纳物体的区域可位于第一传感器和第二传感器之间。所述一个或更多个传感器可被构造成测量经过被构造成接纳基底的区域输送的物件的一部分的移位。该系统可包括与所述一个或更多个传感器连接的微处理器。在另一方面中，一种用于测量基底中的缺陷的系统可包括被构造成测量基底中的缺陷的一个或更多个传感器。所述系统可包括被构造成接纳基底的区域。被构造成接纳基底的区域可沿用于输送基底的第一轴设置。所述一个或更多个传感器可沿着第二轴并基本接近于被构造成接纳物体的区域设置(定位)，第二轴横过被构造成接纳物体的区域。该系统可包括与所述一个或更多个传感器通信的微处理器，所述微处理器被构造为:确定在第一轴上移动并经过被构造成接纳基底的区域的基底的第二基底轮廓。微处理器可被构造成将第一基底轮廓与第二基底轮廓作比较，以确定缺陷值。缺陷值可对应于基底的边缘上的一个或更多个缺陷。缺陷值可对应于基底的未包覆边缘上的一个或更多个缺陷。基底可以是光伏模块的一部分。第一基底轮廓可对应于理论上的基底的一组测量值。微处理器可被构造成将确定的缺陷值与阈值作比较。微处理器可被构造成:如果缺陷值超出阈值，则输出STOP信号以暂停对基底的处理。微处理器可被构造成:如果缺陷值超出阈值，则输出信号，该信号指示制造系统将基底移至检查区域。基底可以是光伏模块的一部分。参照图1，用于测量物体中的缺陷(例如，诸如基底102的物体的表面的移位、变形或偏离)的系统可包括沿输送轴设置的传感器116a和116b。一个或更多个传送辊126可沿输送轴设置，以输送光伏模块或基底，包括例如基底102。基底102可包括任何合适的基底材料，包括例如玻璃(例如，钠钙玻璃)。基底102在其表面上包括一个或更多个包覆层，包括例如，适于利用太阳能的一个或更多个半导体层(例如，碲化镉)。基底102可通过传送棍126沿输送轴输送。基底102可位于任何其它合适的输送装置上。例如，基底102可位于穿梭机上，穿梭机可放在传送辊126上。穿梭机和/或传送辊126可用于将基底102输送至各种制造站。因此，图1和图2中描绘的系统可对应于制造工艺的单个区域或步骤。该制造工艺可以与可能需要使用基底的任何合适的材料、器件或组件的制造有关。因此，这里讨论的系统可适于需要监测其任何部分中的缺陷、变形或扭曲(kink)的任何基底。传感器116a和116b可以沿基底102的输送轴设置在任何合适的位置。例如，传感器116a和116b可设置在输送轴的相对侧上,并在与输送轴垂直的另一轴上。传感器116a和116b中的每个可包括上部和下部。上部可位于沿着输送轴的、基底102可经过的区域的上方。下部可位于沿着输送轴的、基底102可经过的区域的下方。利用这种构造，基底102在沿着输送轴经过时将位于传感器116a和116b的上部和下部之间。传感器116a和116b可以是任何合适的尺寸，并且可具有邻近于基底的任何合适的区域延伸的组件，以用于测量。例如，传感器116a和116b的上部和下部可突出至传送辊126的正上方或正下方的区域中，从而一旦基底102经过该区域，上部和下部邻近于基底102的相对的边缘108a和108b。这些上部和下部的位置可允许传感器116a和116b中的每个测量基底102的各个边缘的物理缺陷。例如，传感器116a和116b可测量基底102的边缘相对于与输送轴平行的平面的偏差。传感器116a和116b可被构造成对沿基底102的边缘的一个或更多个位置进行测量。因此，传感器116a和116b可以确定沿基底102的边缘的多个位置与基底的优选平面取向不相符。传感器116a和116b可包括用于测量平面缺陷的任何合适的装置，包括例如任何合适的光学测微计或激光移位传感器。系统可通过将传感器116a和/或116b获取的、表示基底102的实际物体形状或轮廓的测量值与基底102的期望物体形状或轮廓进行比较来检测基底102的缺陷、变形或移位。如果基底102的实际物体形状或轮廓与期望物体形状或轮廓基本相同，则可认为基底102是在规格内。如果基底102的实际物体形状或轮廓与基底102的期望物体形状或轮廓显著不同，则检测到缺陷、变形或移位，并且可认为基底102是有缺陷的或在规格外。该系统能够检测基底102的形状或曲率(包括平面曲率)，在Imm以内、IOOpm以内或IOpm以内，或者能够由传感器116a和/或116b提供的其它合适的精度。图2描绘了测量系统的可选的构造，其中，传感器214a和214b分别位于传送辊126上方和下方,从而当基底102在输送轴上移动时,基底102的一个或更多个部分位于传感器214a和214b之间。传感器214a和214b可具有各种各样的测量组件204，以允许传感器214a和214b中的每个测量基底102上的一个或更多个区域，包括例如边缘108a和108b中的任意一个。图2的构造使得传感器可对整个基底扫描平面缺陷。这可包括基底102的全部包覆部分和未包覆部分。传感器214a、214b、116a和116b中的任意一个可连接到用于存储或处理任何测量的数据的一个或更多个电子装置。例如，传感器可连接到存储组件(或者可具有容纳在其中的存储器)。传感器还可连接到微处理器，微处理器可被构造成确定任何测量到的缺陷是否落入到可接受的差错范围内。微处理器可具有临界缺陷值，并且可被构造成(通过计算机硬件上的软件操作)将测量到的值与该阈值进行比较。微处理器可被构造成:如果一个或更多个测量值超过阈值，则输出报警信号。报警信号可以采取任何合适的形式。例如，报警信号可以是声音，从而指示制造工厂中的人员可能需要暂停当前模块的处理。当停止处理时，可将模块从装配线上移除，以进行进一步的检查。可通过进一步的检查确定基底应当被废弃，因为继续制造会导致制造出不符合性能标准的模块。可选择地，所述报警可以是简单的输出信号。例如，微处理器可向计算机、网络或其它系统输出HIGH信号。HIGH信号可以构成任何合适的方式来表示报警，包括例如大于-5V、大于0V、大于5V或小于IOV。微处理器也可被构造成输出LOW信号,可以用任何合适的电压输出表不LOW信号,包括例如小于10V、小于5V、小于OV或大于-5V。接收该信号的计算机、网络或系统可以启动被编排好的响应。这可包括自动地暂停生产线或者启动替换性的制造工艺。例如，在收到模块基底包含落入可接受的差错容限以外的缺陷的报警时，模块可被自动地输送至用于一个或更多个缺陷修复步骤的区域。缺陷修复步骤可包括使用一个或更多个加热器来在基底中引起热变形，以将基底“弯曲”至可接受的位置。利用这里讨论的方法和系统制造的光伏模块可以被包括在用于发电的系统中。例如，可利用光束照射光伏模块来产生光电流。可收集光电流，并可将光电流从直流(DC)转换为交流(AC)并配送至电网。可将任何合适波长的光(包括例如大于400nm或小于700nm(例如，紫外光))引导至该模块来产生光电流。从一个光伏模块产生的光电流可与从其它光伏模块产生的光电流组合。例如，光伏模块可以是光伏阵列的一部分，可以利用和配送来自光伏阵列的汇聚电流。虽然这里讨论的方法和系统可用于制造光伏模块，但是它们不必局限于这样的情形。相反，上述方法和系统可用于为了任何合适的目的来检测或测量任何基底中的缺陷。此外，这样的方法和系统还可用于测量和检验任何种类的物体的表面形貌(surfacetopology)，对于该物体来说，相对于水平面的偏差是受关注的参数。以说明和示例的方式提供了上述实施例。应当理解的是，上面提供的示例可以在特定方面进行改变并仍然保持在权利要求的范围内。应当理解的是，虽然已经参照上面的优选实施例描述了本发明，但是其它实施例也在权利要求的范围内。
权利要求
1.一种测量具有期望的形状的物体的一部分中的移位的方法，所述方法包括: 利用沿用于输送物体的第一轴设置的一个或更多个传感器来检测所述物体的一部分相对于所述部分的期望位置的移位。
2.如权利要求1所述的方法，其中，随着所述物体在第一轴上移动，进行所述检测。
3.如前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述一个或更多个传感器包括沿与第一轴基本垂直的第二轴排列的两个传感器，其中，所述两个传感器设置在第一轴的相对侧。
4.如前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述检测包括测量沿着所述物体的边缘的移位。
5.如前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述物体包括平坦表面。
6.如前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述物体包括基底。
7.如权利要求6所述的方法，其中，所述物体包括被构造成用在光伏模块中的基底。
8.如权利要求6所述的方法，其中，基底包括玻璃。
9.如权利要求6所述的方法，其中，所述检测包括测量沿着基底的未包覆区域的移位。
10.一种测量具有期望的轮廓的物体的一部分中的缺陷的方法，所述方法包括: 确定期望的物体轮廓；` 确定在用于输送物体的第一轴上移动的物体的实际物体轮廓；以及 将期望的物体轮廓与实际物体轮廓作比较，以确定缺陷值。
11.如权利要求10所述的方法，其中，缺陷值对应于所述物体的一部分上的一个或更多个缺陷。
12.如权利要求10所述的方法，其中，所述部分包括边缘部分。
13.如权利要求12所述的方法，其中，缺陷值对应于所述物体的未包覆边缘上的一个或更多个缺陷。
14.如权利要求10所述的方法，其中，所述物体包括平坦的基底。
15.如权利要求10所述的方法，其中，期望的物体轮廓对应于理论上的物体的一组测量值。
16.如权利要求10至权利要求16中的任一项所述的方法，所述方法还包括将缺陷值与阈值进行比较。
17.如权利要求14所述的方法，所述方法还包括:如果缺陷值超过阈值，则暂停基底的处理。
18.如权利要求14所述的方法，所述方法还包括:如果缺陷值超过阈值，则将基底移至检查区域。
19.如权利要求14所述的方法，所述方法还包括:如果缺陷值未超过阈值，则继续基底的处理。
20.如权利要求14所述的方法，所述方法还包括:如果缺陷值超过阈值，则修复基底中的一个或更多个缺陷。
21.如权利要求20所述的方法，其中，所述修复包括使基底周围的气氛中的温度升高或降低。
22.一种用于测量包括期望的轮廓的物体的一部分中的移位的系统，包括:一个或更多个传感器，所述一个或更多个传感器被构造成:随着物体沿着输送轴经过，测量所述物体的一部分的移位。
23.如权利要求22所述的系统，其中，所述系统还包括被构造成接纳物体的区域，其中，所述区域沿输送轴设置，其中，所述一个或更多个传感器沿第二轴设置。
24.如权利要求22所述的系统，其中，所述一个或更多个传感器包括光学测微计。
25.如权利要求22所述的系统，其中，所述一个或更多个传感器包括激光移位传感器。
26.如权利要求23所述的系统，其中，所述一个或更多个传感器包括沿着与输送轴基本垂直的第二轴排列的第一传感器和第二传感器，其中，所述区域位于第一传感器和第二传感器之间。
27.如权利要求23所述的系统，其中，所述一个或更多个传感器被构造成测量经过所述区域输送的物体的一部分的移位。
28.如权利要求22所述的系统，所述系统还包括与所述一个或更多个传感器连接的微处理器。
29.一种用于测量基底中的缺陷的系统，所述系统包括: 一个或更多个传感器，被构造成测量基底中的缺陷； 被构造成接纳基底的区域，其中，所述区域沿用于输送基底的第一轴设置，其中，所述一个或更多个传感器沿着第二轴并基本接近于所述区域设置，第二轴横过所述区域；以及微处理器，与所述 一个或更多个传感器通信，所述微处理器被构造成: 确定在第一轴上移动并经过所述区域的基底的第二基底轮廓；以及 将第一基底轮廓与第二基底轮廓进行比较，以确定缺陷值。
30.如权利要求29所述的系统，其中，缺陷值对应于基底的边缘上的一个或更多个缺陷。
31.如权利要求29所述的系统，其中，缺陷值对应于基底的未包覆边缘上的一个或更多个缺陷。
32.如权利要求29所述的系统，其中，第一基底轮廓对应于理论上的基底的一组测量值。
33.如权利要求29所述的系统，其中，微处理器还被构造成将确定的缺陷值与阈值进行比较。
34.如权利要求33所述的系统，其中，微处理器还被构造成:如果缺陷值超出阈值，则输出STOP信号以暂停对基底的处理。
35.如权利要求33所述的系统，其中，微处理器还被构造成:如果缺陷值超出阈值，则输出信号，所述信号指示制造系统将基底移至检查区域。
全文摘要
一种测量基底中的平面缺陷的方法可包括接近被构造成接纳基底的区域设置传感器。
文档编号G01N21/89GK103201588SQ201180049743
公开日2013年7月10日 申请日期2011年8月16日 优先权日2010年8月16日
发明者约书亚·康利, 斯蒂芬·墨菲 申请人:第一太阳能有限公司