专利名称：一种mems压力敏感芯片的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及微电子机械系统(MEMS)压力传感器领域，具体为一种MEMS压力 敏感芯片。
背景技术：
基于微电子机械系统(MEMS)的微机械敏感器件以其体积小、成本低、结构简单、可 与处理电路集成等优点得到广泛应用和迅速发展。MEMS压力传感器，是微电子机械系统(MEMS)中最早的商业产品，由于MEMS压力敏 感芯片具有输出信号大、信号处理简单等优点，已经得到了越来越广泛的应用，目前市场上 的MEMS压力敏感芯片，其包括MEMS相对压力敏感芯片、MEMS绝对压力敏感芯片，其中MEMS 绝对压力敏感芯片以真空做为基准，传感器内封装了一个真空腔，以这个真空腔里的真空 为基准；MEMS相对压力敏感芯片底部的空腔可连通有一定压力的的接口，将该有一定压力 的接口作为基准。目前压力敏感芯片主要采用硅-玻璃键合的芯片，然而由于硅和玻璃的膨胀系数不 匹配，受压力时其变形量不同，易造成压力敏感芯片的不稳定，从而导致其误差大、精度低。

实用新型内容针对上述问题，本实用新型提供了一种MEMS压力敏感芯片，其能有效提高芯片的 稳定性，其误差小、精度高。其技术方案是这样的一种MEMS压力敏感芯片，其包括硅片、基底、敏感电阻排布区、敏感电阻排布区外 部电气连接件，其特征在于所述基底具体为衬底硅片，所述衬底硅片的上表面和下表面的 中心部分均开有浅槽，所述衬底硅片的上表面为二氧化硅(SiO2)的氧化层，所述硅片的底 面键合于所述衬底硅片的上表面。其进一步特征在于所述硅片的正面排布有敏感电阻排布区、敏感电阻排布区外部电气连接件；所述敏感电阻排布区内包括压敏电阻、P+连接、金属引线；所述MEMS压力敏感芯片为MEMS相对压力敏感芯片，所述相对压力敏感芯片其通 气孔贯穿所述衬底硅片；所述通气孔位于所述浅槽的中心位置。在本实用新型中，由于硅片的底面键合于所述衬底硅片的上表面，故上层硅片和 底部的衬底硅片的材质均为硅，受力时，由于其膨胀系数相同，进而其变形量相同，故其能 有效提高芯片的稳定性，其误差小、精度高。

图1是MEMS绝对压力敏感芯片主视图的结构示意图，[0015]图2是MEMS相对压力敏感芯片主视图的结构示意图。
具体实施方式
具体实施例一 MEMS绝对压力敏感芯片其结构见图1 其包括硅片1、基底、敏感电阻排布区、敏感电阻排布区外部电气连 接件(属于现有成熟技术，图中未画出)，基底具体为衬底硅片2，衬底硅片2的上表面和下 表面的中心部分均开有浅槽3，衬底硅片2的上表面为SiO2的氧化层4，硅片1的底面键合 于衬底硅片2的上表面；硅片1正面依次涂布有二氧化硅(SiO2)的氧化层9和氮化硅层10， 硅片1的正面排布有敏感电阻排布区、敏感电阻排布区外部电气连接件；敏感电阻排布区 内包括压敏电阻5、P+连接6、金属引线7。具体实施例二 MEMS相对压力敏感芯片其结构见图2 其包括硅片1、基底、敏感电阻排布区、敏感电阻排布区外部电气连 接件(属于现有成熟技术，图中未画出)，基底具体为衬底硅片2，衬底硅片2的上表面和下 表面的中心部分均开有浅槽3，衬底硅片2的上表面为SiO2的氧化层4，硅片1的底面键合 于衬底硅片2的上表面；硅片1正面依次涂布有二氧化硅(SiO2)的氧化层9和氮化硅层 10，硅片1的正面排布有敏感电阻排布区、敏感电阻排布区外部电气连接件；敏感电阻排布 区内包括压敏电阻5、P+连接6、金属引线7 ；通气孔8贯穿衬底硅片2 ；通气孔8位于浅槽 3的中心位置。
权利要求一种MEMS压力敏感芯片，其包括硅片、基底、敏感电阻排布区、敏感电阻排布区外部电气连接件，其特征在于所述基底具体为衬底硅片，所述衬底硅片的上表面和下表面的中心部分均开有浅槽，所述衬底硅片的上表面为二氧化硅(SiO2)的氧化层，所述硅片的底面键合于所述衬底硅片的上表面。
2.根据权利要求1所述的一种MEMS压力敏感芯片，其特征在于所述硅片的正面排布 有敏感电阻排布区、敏感电阻排布区外部电气连接件。
3.根据权利要求1或2所述的一种MEMS压力敏感芯片，其特征在于所述敏感电阻排 布区内包括压敏电阻、P+连接、金属引线。
4.根据权利要求1所述的一种MEMS压力敏感芯片，其特征在于所述MEMS压力敏感 芯片为MEMS相对压力敏感芯片，所述相对压力敏感芯片其通气孔贯穿所述衬底硅片。
5.根据权利要求4所述的一种MEMS压力敏感芯片，其特征在于所述通气孔位于所述 浅槽的中心位置。
专利摘要本实用新型提供了一种MEMS压力敏感芯片。其能有效提高芯片的稳定性，其误差小、精度高。其包括硅片、基底、敏感电阻排布区、敏感电阻排布区外部电气连接件，其特征在于所述基底具体为衬底硅片，所述衬底硅片的上表面和下表面的中心部分均开有浅槽，所述衬底硅片的上表面为二氧化硅(SiO2)的氧化层，所述硅片的底面键合于所述衬底硅片的上表面。
文档编号G01L1/18GK201716136SQ201020166950
公开日2011年1月19日 申请日期2010年4月22日 优先权日2010年4月22日
发明者周刚, 沈绍群, 王树娟, 郭玉刚 申请人:无锡市纳微电子有限公司